Микроэлектронные схемы

Происходившие ранее революционные процессы в науке и технике были в значительной степени обособлены друг от друга. Теперь же революция, начавшись лишь в некоторых областях науки, лавинообразно захватила всю систему наука—техника , затронув в конечном счете все современное общество. Объясняется это тем, что все важнейшие достижения современной техники прочно связаны с фундаментальными областями естествознания. Круг научных дисциплин, находящих практическое приложение, постоянно расширяется, постоянно сокращаются сроки технического воплощения научных открытий. Одним из непременных условий современного общественного развития стало создание опережающего задела знаний, которые подготавливают базу для грядущего революционного развития техники. Мы, ге, кто связал свою жизнь с современной техникой, относимся к ней не только с профессиональным почтением, мы относимся к современной технике с искренним восхищением. И разве можно не восхищаться такими творениями ума и рук человека, как микроэлектронная схема, где в габаритах булавочной головки размещается устройство, по сложности эквивалентное чуть ли не целому телевизору И можно ли не восхищаться луноходом— машиной, которая исследует безжизненную лунную поверхность, повинуясь командам, приходящим с расстояния почти в четыреста тысяч километров... [c.127]

В МВТУ была создана гамма конденсаторных установок точечная установка К-7 с электромагнитным приводом точечная двухпозиционная установка К-23, обеспечивающая возможность производства сварки изделий двух видов без переналадки роликовая К-30 точечная К-37, выполняющая сварку по рельефу специальная установка МТК-1 для сварки микроэлектронных схем специальная установка К-22М для сварки узлов резисторов и др. Все указанные установки доведены до рабочего состояния, [c.169]

Репродукционные О., используемые в репрографии и для фотолитографии при произ-ве микроэлектронных схем, создают уменьш. изображения плоских оригиналов чертежей, текстов, рисунков, шаблонов обладают повышенной разрешающей способностью, определяемой дифракцией и достигающей 1500 мм для фотолитография. О. и 150 мм - для репрография. О. [c.393]

Микроэлектронные схемы предназначены для повышения надежности радиоэлектронного оборудования в условиях увеличения его функциональной сложности, снижения объемно-весовых и энергетических характеристик оборудования. [c.350]

Проведение работ по созданию оптических запоминающих устройств обусловлено насущными потребностями вычислительной техники. Существующие устройства на магнитны лентах, барабанах и дисках или ферритовых элементах обладают существенными недостатками, например сложностью осуществления произвольной выборки и относительно низкой плотностью записи. Использование микроэлектронных схем с ферритовыми элементами также не обеспечивает высокой плотности записи. Использование в системах памяти многослойных полупроводниковых структур в какой-то степени решает Проблему обеспечения большой е.мкости при произвольной и быстрой выборке информации. Однако на пути применения таких устройств стоят весьма значительные технологические трудности. [c.266]

Ультра- и гиперзвуковые П. в. широко используются в технике для всестороннего неразрушающего контроля поверхности и поверхностного слоя образца (см. Дефектоскопия), для создания микроэлектронных схем обработки электрич. сигналов (см. Акустоэлектроника) и т. д. Если поверхность твёрдого образца свободная, то применяются рэлеевские волны. В тех случаях, когда образец находится в контакте с жидкостью, с другим твёрдым образцом или твёрдым слоем, рэлеевские волны заменяются другим соответствующим типом П. в. [c.257]

Однако цель статьи — показать, что потенциальные возможности повышения точности указателей количества топлива в прошлом использовались недостаточно и что их можно реализовать с помощью простых датчиков емкостного типа и микроэлектронных схем. [c.18]

Установки для прецизионной микросварки и прецизионной обработки предназначены для соединения и размерной обработки микроминиатюрных деталей и применяются преимущественно в радиоэлектронной промышленности для создания микроэлектронных схем и приборов. [c.89]

Микросхема — микроэлектронное изделие, имеющее эквивалентную плотность монтажа не менее пяти элементов в 1 см объема, занимаемого схемой, и рассматриваемое как единое конструктивное целое. [c.187]

Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигнала или накапливания информации, например суммирование, имеющее высокую плотность упаковки (существуют приборы размером до 1 см ) электрически соединенных элементов. С точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации, интегральная схема рассматривается как единое целое. [c.538]

Для обработки цифровой информации в системах автоматики используют программно-управляемые устройства на основе больших микроэлектронных интегральных схем (БИС), называемые микропроцессорами. Каждая БИС представляет собой кристалл размером в несколько квадратных миллиметров, в котором сосредоточены десятки тысяч полупроводниковых элементов. В каждой БИС микроэлементы соединены между собой внутренними связями. Внешние контакты служат для ввода и вывода информации, а также для внешнего управления. [c.106]

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

II. Оксидно-полупроводниковые конденсаторы (обозначение К53). В оксидно-полупроводниковых конденсаторах вторым электродом служит слой полупроводниковой двуокиси марганца МпОг, получаемый пиролитическим разложением раствора нитрата марганца. Конденсаторы этого типа по сравнению с электролитическими обладают повышенной надежностью, большим сроком службы и более широким интервалом рабочих температур. Основным типом таких конденсаторов являются конденсаторы с объемно-пористым анодом, спеченным из тантала, ниобия или алюминия. Для интегральных схем промышленностью выпускаются чип-конденсаторы, представляющие собой оксидно-полупроводниковые конденсаторы малых габаритных размеров, обычно в бескорпусном исполнении. В микроэлектронных пленочных схемах используются пленочные оксидно-полупроводниковые конденсаторы, в которых на напыленный тантал после анодного окисления реактивным напылением наносится слой двуокиси марганца. [c.262]

Ученые прошлого не могли представить себе точность приборов в нашем веке. Не могли они предвидеть, на какой базе будет достигнута такая невообразимая точность. А микроэлектронная база приборостроения сама требует фантастической точности. Вот большая интегральная схема тонкая, толщиной в 0,3 — 0,5 мм, кристаллическая пластина площадью в 0,25 см . Чтобы создать внутри такой безотказно работающей пластины сотни тысяч и даже миллионы деталей, нужно дозировать полезные добавки, ,чужого" вещества в этот магический кристалл с точностью до единиц атомов. Достичь точности в миллиардные доли процента, то есть различить один атом примеси среди 10 атомов основного вещества позволяют методы и средства ядерного активационного анализа. Благодаря этой точности сейчас серийно выпускаются сверхбольшие интегральные схемы, размеры которых достигают всего 1 мкм. [c.24]

Система числового программного управления включает в себя в укрупненных комплексах пульт (управляющее устройство), приводы подачи и датчики путевого контроля. При более детализированном разделении по функциональным признакам управляющие устройства можно представить следующим перечнем блоков ввода информации, интерполяции, управления, буферной памяти, позиционирования, индикации, питания и панели ручного управления. Все большее распространение получают блоки с микроэлектронными интегральными схемами. [c.141]

Наибольшее распространение в микроэлектронной технике получили тонкопленочные микросхемы, на базе которых создают большие гибридные интегральные схемы. Объясняется это тем, что тонкопленочная технология позволяет расширить пределы номинальных значений элементов и получить для них более высокую точность, стабильность и надежность. [c.146]

Микроэлектронные функциональные узлы могут быть двух видов разработанные на основе интегральной микроэлектроники и разработанные на основе функциональной электроники. К первым относят интегральные микросхемы, т. е. схемы, все или часть элементов которых нераздельно связаны и электрически соединены между собой так, что изделие рассматривается как единое целое. Ко вторым относят [c.212]

Понятие об интегральных схемах. Ускорению научно-техничес-кого прогресса способствует внедрение микроэлектроники во все отрасли народного хозяйства. Процесс усложнения технических решений сопровождается увеличением числа различных электронных устройств, что приводит к снижению надежности разрабатываемых систем. Повысить надежность можно уменьшением числа входящих в систему элементов и соединений между ними, т. е. использовать процесс интеграции, заключающийся в объединении в одном сложном микроэлементе ряда простейших приборов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др.). Такие микроэлектронные устройства назвали интегральными микросхемами (ИС). [c.289]

Другой вариант схемы с модуляцией — схема с импульсной стабилизацией и запоминанием смещения нулевого уровня. Основное ее преимущество перед схемой с усилителем переменного тока — уменьшение числа требующихся конденсаторов — обстоятельство немаловажное с точки зрения микроэлектронной реализации схемы. Вспомним, что проблема получения конденсаторов, особенно хорошего качества и относительно большой емкости, фактически до сих пор не решена на уровне микроэлектроники. Поэтому остановимся на этой схеме подробнее, тем более что с запоминающими конденсаторами (так называемыми фиксирующими звеньями) нам еще придется встретиться. [c.115]

Для студентов вузов, специализирующихся в области электроники и изучающих дисциплины, связанные с проектированием интегральных схем и систем. Книга также может быть полезна разработчикам микроэлектронной аппаратуры. [c.574]

Технология резки подложек интегральных схем может быть внедрена в отраслях, занимающихся производством микроэлектронных приборов (Минэлектронпром, Минрадиопром, Министерство средств связи СССР и др.), [c.38]

При программируемом управлении применяются средства программируемой логики на базе бесконтактных схем с использованием микроэлектронных интегральных схем. [c.329]

Успехи микроэлектроники в значительной степени зависят от технологии производства крохотных, тонких, хрупких кремниевых пластинок, способных нести сотни микроэлектронных схем каждая. Разрезание, раскрой пластинок на части — дело чрезвычайно сложное. Алмазные резцы и абразивные диски, применявшиеся до недавнего времени, для этого слишком грубы — заготовки ломаются, растрескиваются. А тут недопустимы самые мелкие сколы. Бессилен даже лазерный луч — нежные пластинки не выносят воздействия высоких температур. Станок же, сконструированный в НИИтракторосельхозмаше, блестяще справился с трудной задачей. Вольфрамовая струна толщиной 0,1—0,15 мм аккуратно разрезает эти пластинки на части и никаких надколов, никакого брака. У этого способа резания большое будущее. [c.125]

Для получения новомиканитов используются пластины расщепленного фторфлогопита, а для получения слюдопластов — мелкокристаллическая фракция слюды. Щепаная синтетическая слюда весьма широко используется в электронной технике, радиопромышленности и в других отраслях как самостоятельный электроизоляционный материал, из которого штампуют разнообразные листовые материалы сложной конфигурации для электровакуумных приборов, конденсаторов, волноводов, термометрических резисторов, микроэлектронных схем и др. Из мелкоразмерной синтетической слюды кроме слюдопластов изготавливают и другие электроизоляционные материалы пластмассы, новомикалекс, слюдоке-рамику [176] и др. (см. 7.3). [c.97]

ПАВ ультра- и гинерзвукового диапазонов широко используются в технике для всестороннего неразрушающего контроля поверхности и поверхностного слоя образца, для создания микроэлектронных схем обработки электрич. сигналов в акустоэлектронике и т. д. [c.552]

Mi rowave Offi e (AWR) - вьшолняет анализ линейных и нелинейных схем, анализ шумов, в программе реализованы методы рядов Вольтерра и гармонического баланса, имеется редактор топологии полосковых линий, с ее помощью возможно топологическое проектирование микроэлектронных узлов и печатньк плат. [c.146]

Для проведения технологических испытаний головки оформлялись в виде ручных пистолетов (рис. 26). Испытания по сварке полимерной пленки толщиной от 10 до 40 мк дали вполне удовлетворительные результаты. Самые тонкие пленки оказалось целесообразным сваривать на более высокой частоте. Для этой цели служила головка с ферритовым преобразователем на частоту 45 кгц. Такие же головки изготавливались для сварки деталей в микроэлектронной и полупроводниковой технике при этом они уже не оформлялись в виде ручных устройств, а жестко закреплялись в специальных установках микросварки. Применение ферритовых преобразователей для сварки деталей полупроводниковых приборов и элементов пленочных схем представляется весьма перспективным, так как этот вид сварки требует использования высоких частот, на которых ферриты обладают большими преимуществами перед металлическими магнито-стрикторами. [c.146]

Для ряда интегральных схем уже сейчас достигнут уровень свыше 1000 элементов. Развитие больших интегральных схем будет происходить как в области полупроводниковых интегральных схем, так и в области гибридно-пленочных. Причем наибольшие возможности создания БИС ожидаются при применении обеих технологий. Так, если вместо обычной многослойной печатной платы использовать многослойную пленочную подложку, в которой методами напыления получены несколько слоев проводников, а в качестве навесных элементов использовать полупроводниковые СИС или БИС, то можно создать единую конструкцию целого блока в микроэлектронном исполнении. Подобные разработки уже сейчас применяют при создании электронноклавишных цифровых машин, где практически вся электронная часть изделия выполняется на одной подложке. [c.226]

На рис. 1 2, д приведена схема образования препарата для получаемого исследования, а на рис. 4, 5, 13—16—примеры электронных микрофотографий и электронограмм таких препаратов и микроэлектроно-грамм отдельных частиц. [c.175]

Ранее в данном разделе было показано, что коэффициенты объединения по входу н разветвления по выходу взаимосвязаны с шириной полосы пропускания системы. Одно из преиму-пгеств применения ОПЛМ заключается в том, что использова-нне отдельных электронных компонент с волоконно-оптическими межэлементными соединениями позволяет использовать очень низкие плотности размещения реальных вентилей по сравнению с интегральными схемами со сверхвысокой степенью интеграции. Таким образом, в значительных по объему волоконно-оптических системах может быть рассеяна существенно ббльшая мощность, чем в компактных интегральных схемах со сверхвысокой степенью интеграции. Так как скорости переключения в конечном счете ограничены возможностью отвода выделяемого тепла, волоконно-оптические системы позволяют, крохме того, достичь более высоких тактовых частот. В самом деле, обычным явлением стала работа волоконно-оптических систем в области гигагерцевых частот, тогда как очень трудно добиться работы микроэлектронного чипа со сверхвысокой степенью интеграции при таких частотах. [c.253]

В цитированном обзоре М. Ф. Стельмаха и его коллег особо подчеркивается научная значимость и экономическая эффективность существующих методов лазерной обработки тонкопленочных материалов. Для развития современной микроэлектронной техники они имеют первостепенное значение. Мы не будем останавливаться подробно на этих сугубо специальных технологических проблемах, трудно доступных неподготовленному читателю, и только перечислим некоторые из них подгонка пленочных резисторов гибридных интегральных схем, подгонка частоты вакуумированных кварцевых резонаторов, нарезка и подгонка в номиналах прёцйзибнных металлопленочных резисторов дискретного тйПа, ретущь фотошаблонов, получение тонкопленочных рисунков и структур. В большинстве этих случаев используется способность лазерного луча испарять в необходимых участках тонкопленочные покрытия на прозрачных материалах. [c.51]

В настоящей книге освещены некоторые вопросы проектирования цифровых аво метров. Методы построения цифровых вольтметров постоянного тока достаточно подробно рассмотрены в ряде работ [Л. 1—9], поэтому в данной работе приведено лишь краткое описание основных способов преобразования напряжения в цифровой код, а основное внимание уделено элементам и узлам авометров, реализованных на интегральных микросхемах. Достаточно подробно рассмотрены также разнообразные схемы и ко>нструкций микроэлектронных авометров. В заключение приведены основные технические характеристики данной группы приборов. [c.3]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...