Инкременты связей

ИНКРЕМЕНТЫ СВЯЗЕЙ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИЕ ВЕЛИЧИНУ S [c.253]

Инерционность ультразвуковой ячейки для модуляции света 416 Инкременты связей 253 [c.716]

Пользуясь инкрементами связей, можно в хорошем согласии с опытом подсчитывать молекулярные скорости звука на основании структурных формул органических соединений. Так, например, для насыщенных углеводородов справедливой будет формула [c.167]

Сказанное иллюстрирует таблица 18, в которой приводятся значения атомного инкремента молекулярной скорости звука для атома С1 и инкремента связи С — С1 для различных соединений [163]. [c.168]

Как мы видим, в исключительных случаях колебания атомного инкремента могут достигать и инкремента связи — [c.168]

Соединение Атомный инкремент С1 Инкремент связи С-С1] [c.168]

Уменьшение амплитуды генерации при синхронизме тем больше, чем больше связь между контурами и меньше потери второго контура. При достаточно высокой добротности второго контура автоколебания в системе вблизи синхронизма контуров вообще могут быть подавлены. Условие такого гашения автоколебаний состоит в том, что инкремент первого контура дo = Лi5 v/2 —д ( 1 = бг/ — декремент первого контура) в некоторой области частот оказывается меньше величины а а2Ь 1к р, представляющей собой потери (декремент), вносимые дополнительным контуром в первый контур. Зависимость амплитуды колебаний А от частоты VI при наличии области гашения изображена на рис. 7.11. Границы этой [c.272]

Подключение дополнительного контура, так же как и в случае слабой связи, уменьшает амплитуду колебаний в генераторе. Степень ее уменьшения при сильной связи зависит от соотношения инкремента и декремента [c.274]

Уравнения (7.6.3) будем решать методом вторичного упрощения укороченных уравнений (см. 7.3). Малым параметром р будем считать величину 1(00/61 = р 1, т. е. отношение коэффициента связи к инкременту первого контура. Величина тоже примерно равна р. [c.279]

В равенстве (2.32) и далее принимается, что функция w( ) удовлетворяет условию w( g) = 1. Таким образом, с ростом расстояния С, до общего предка зависимости Р(С), w( ) обнаруживают экспоненциальное возрастание с инкрементами D" и Д соответственно. Согласно (2.28) последний из них принимает нулевое значение при D = , когда система приобретает идеальную иерархическую связь. Оба указанных декремента Р" и Д [c.129]

Поз ке было установлено, что молекулярная рефракция большого числа соединений может сильно отличаться от суммы составных рефракций. Простейшими соединениями этого типа являются этиленовые углеводороды и их производные. Последний класс соединений все >ке был включен в аддитивную схему путем учета того обстоятельства, что в этих соединениях имеются двойные связи. Каждой двойной связи типа С =С была приписана особая постоянная инкремент молекулярной рефракции двойной связи. Для эти- [c.680]

Выполненные впоследствии более детальные исследования показали, что на величине молекулярной рефракции отражается не только характер углерод-углеродных связей, но и характер связей других элементов. Кроме того, в сложных функциональных группах с многовалентными элементами (—N0 ,—N03,-803 и т. п.) невозможно определить атомные рефракции по аддитивной схеме без условных допущений. Поэтому наряду с атомными рефракциями и инкрементами стали употребляться групповые рефракции радикалов. [c.681]

Кроме направления, в основе которого лежит обобщенная аддитивная схема атомных рефракций, развивается также и другое направление, в котором молекулярная рефракция рассматривается как сумма рефракций, отнесенных к связям. Между атомными рефракциями, инкрементами и рефракциями связей существуют простые алгебраические соотношения, которые устанавливаются на основании структурных формул. Значения рефракций некоторых связей приведены в табл 19. [c.682]

Что касается колебательной неустойчивости, то для ее экспериментального наблюдения особое значение приобретает требование достаточно большой длины канала. В коротком замкнутом канале, очевидно, бегущая тепловая волна невозможна. Еще одно ограничение снизу на длину канала связано с относительно медленным ростом колебательных возмущений в области неустойчивости, о чем говорилось в п. 3. Для развития колебательной неустойчивости необходимо, чтобы характерное время нарастания возмущений (оно имеет порядок l/(Xrw)max где (Х ш)тах максимальный инкремент — см. рис. 10) было меньше времени прохождения волны по длине канала Lj L — длина канала, с — фазовая скорость). Так, для значений параметров Рг = 40, А = 1, Gr = 160 оценка дает //г > 70. Близкая оценка получается из решения задачи устойчивости с учетом концевых эффектов [48]. [c.37]

Процесса установления предельного автоколебательного режима. Это обстоятельство связано с малой величиной инкремента возмущений в области неустойчивости (см. 4, рис. 10). [c.43]

Ширина спектра не влияет на точность ОВФ, если пространственная структура поля накачки не меняется во времени. Ситуация изменяется для нестационарного во времени волнового фронта. При этом дискриминация некоррелированных компонент поля ослабевает, что связано с инерционностью гиперзвуковой голограммы, возникающей в объеме рассеивающей среды. Заметное падение дискриминации инкрементов (более чем на 20—30 %) наблюдается при условии А(й Тг2=0,5 [57]. Таким образом, изменение пространственной структуры поля должно происходить лишь через интервалы времени А/ 2л/Аа) , превышающие время релаксации гиперзвука Tj., что выполняется во многих задачах лазерной оптики. [c.172]

Ограничение степени сжатия связано также с развитием вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР), конкурирующего с фазовой модуляцией. ВКР приводит к преобразованию частоты в наиболее интенсивной центральной части импульса, что нарушает линейный закон частотной модуляции, необходимой для эф ктивного сжатия. Ограничение на частотную модуляцию при ВКР можно оценить из выражения для порогового инкремента // 25. Подставляя значение /=сп 8л в формулу (5.34), получаем [c.226]

Инкремент этиленовой связи 719, [c.459]

Инкременты объемов различных атомов и атомных групп приведены в таблице 3. Совершенно очевидно, что объем данного атома зависит от его окружения, т.е. от вида атомов, которые химически к нему присоединяются. Чем больше объем соседнего, химически связанного атома, и чем меньше длина химической связи, тем больше спрессовывается данный атом. [c.32]

Согласно Pao [1674, 1676], величина S определяется суммой атомных инкрементов. Лагеман и Корри [3357] показали, что аддитивность относится не к атомным инкрементам, а к инкрементам связей с . Таким образом, [c.253]

Здесь дает число инкрементов связей с в молекуле. В табл. 37 приведены инкременты для некоторых связей, заимствованные как из работ Лагемана и Корри, так и из работы Вейсслера [4378]. В работах Лагемана и Данбара [1167] и Вейсслера [2127, 4379] аналогичные измерения получили дальнейшее развитие. [c.253]

Во-вторых, положительным свойством несамостоятельных разрядов является их повышенная устойчивость. Так как скорость ионизации в этих разрядах не связана с напряженностью поля, то развитие наиболее опасных ионизационно-тепловых неустойчивостей в объеме несамостоятельного разряда невозможно. Инкремент развития тепловых неоднородностей (3.43) в i/T sSlO раз меньше и поэтому предельные значения вкладываемой в такой разряд электрической мощности существенно выше. Помимо тепловой неустойчивости концентрация несамостоятельных разрядов может вызываться и развитием пространственных неоднородностей в характеризующихся более высокими значениями поля приэлектродных областях. Благодаря своей повышенной устойчивости несамостоятельные разряды позволяют обеспечивать высокие значения удельных объемных энерговкладов и создавать однородную инверсию в больших объемах активной среды. [c.97]

И в TO же время предвычислена по атомным рефракциям и инкрементам некоторых связей (см. Приложение). Кроме того, молекулярная рефракция обладает еще и тем преимуществом, что она не зависит от температуры, при которой определяются п и d, лишь бы она была одной и той же в обоих случаях. При помощи молекулярных рефракций можно рещать различные структурные задачи. Например, химик, синтезирующий новое вещество с четырехчленным циклом, может этим путем сразу решить, не произошло ли в процессе синтеза расширение цикла, скажем в пятичленный. Действительно, в случае соединений с четырехчленным циклом к MR, вычисленной на основании атомных рефракций входящих в состав моле- [c.4]

Приведем оценку максимального инкремента q=a2lm (Bi ехр ( в)) в соответствии с формулой (3.8). Пусть di =0,7 см, 2 = 2,8 см (критическая частота для моды m = О, и = 1 - 268 кГц). Тогда при f = 300 кГц, /2 = 600 кГц (/= со/2п) имеем ki = 0,44, к, = 0,91 и B = 2,8. Если интенсивность накачки /2 = 5 Вт/см (число Маха М = 3 10 ), то q = 0,84 м", а коэффициент усиления на расстоянии 1м К = е равен 2,3. Полоса усиления составляет около 0,6% от несущей частоты. Заметим, что для однородной шюской волны (нулевая мода) на расстоянии 1м К=, Ъ. Эта разница связана с тем, что для ненулевой моды в волноводе эффективный путь волны растет (Огр уменьшается) по сравнению со свободным пространством, что при равньос интенсивностях накачки v p а отвечает большей амплитуде скорости (это с избытком компенсирует ослабление взаимодействия из-за различия в поперечной структуре мод). [c.158]

Заметим, что собственный параметр к пе является инкрементом рассматриваемых возмущений, хотя ему и пропорционален. Дело в том, что в уравнениях (1) — (4) безразмерное время I связано с физическим временем р соотношением ( = Уа р/а = Ке vip/a2 где Ке = Уоя/у. Следовательно, инкрементом служит величина кЯеу/а . Опуская положительный множитель у/а , можно считать, что характеристикой устойчивости является произведение АКе движепие неустойчиво, если А Ке > 0. [c.202]

Корни а и а2 связаны соответственно с электронной и ионной компонентами. Так как фо > О, а, с1фо/(1г < О, то мнимая часть в (9) положительна и соответствующие возмущения растут с инкрементом Ъе (1фо/(1г - 0о го - [c.661]

Под неустойчивостями дислокационных структур в данной главе будем понимать развитие (инкремент) флуктуаций дислокационных потоков, приводящее к пространственно-неоднородному распределению дефектов. Эксперимент свидетельствует о том, что в деформируемых материалах практически любое распределение дислокаций пространственно неоднородно. Тривиальная причина подобной неоднородности связана с гетерогенностью механизмов увеличения дислокационной плотности — новые дислокации зарождаются группами на некоторых фиксированных источниках. Более глубокие причины обусловлены коллективными эффектами в анса.мбле взаимодействующих дислокаций. [c.101]

При ВРМБ сфокусированных пучков происходит обраще1ше ВФ и пространственно-однородного излучения на линзе, что связано с реализацией дискриминации инкрементов в этом режиме. Единственным условием на геометрию взаимодействия, требуемым для ОВФ, является т. е. длина рассеивающей среды Ь [c.166]

При ОВФ сфокусированных слабонеоднородных или дифракционно-ограниченных пучков на пороге ВРМБ происходит достаточно сильное изменение пространственного распределения интенсивности излучения в ближней зоне (эффект пространственной фильтрации [43]), что связано с большим влиянием фокальной области, где распределение коэффициента бриллюэновского усиления сильно неоднородно по сечению. В результате этого инкремент для слабых компонент углового спектра не достигает порогового значения и они подавляются. [c.168]

Особенности развития и проявления самофокусировочной неустойчивости в усилительных системах критерии развития самофокусировки. Поглощение или усиление излучения изменяет оптимальную пространственную частоту возмущений, усиливающихся с максимальным инкрементом В р. Это связано с выходом из резонанса наиболее неустойчивых возмущений при изменении вследствие усиления интенсивности основной волны. Для нас, естественно, наибольший интерес представляет усиливающая среда. Пространственную частоту, на которой инкремент самофокусировочной неустойчивости максимален, в этом случае можно найти, интегрируя выражение для инкремента по длине (т. е. вычисляя интеграл распада) и приравнивая производную получающегося выражения к нулю. Соответствующее решение в аналитической форме может быть найдено при линейном (экспоненциальном) режиме усиления [c.247]

Импеданц механический 441. Инкремент ацетиленовой связи 719. Инкремент этиленовой связи 719. Интеграл Фурье 916. [c.465]

В обратном предельном случае, когда инкремент нарастания малых колебаний больше или порядка их частотрл, можно ожидать развития сильной турбулентности, сходной с турбулентностью обычной жидкости движение П. в этом случае представляет собой набор хаотич. пульсаций. Для исследования таких движений П. применяются приближенные методы обычной гидродинамики (соображения размерности, введение длины перемешивания, слабая связь и т. д.). [c.22]

Во второй главе об ждается подход к компьютерному материаловедению полимеров на ат0мн0-1м0ле лярн0м уровне, основанный на методе инкрементов. Рассчитаны инкременты различных атомов и их основных групп. Приведены основные физические представления о структуре макромолекул полимеров и определяющих ее параметрах. Дана методика расчета такой важной характеристики структуры полимера, как коэффшщент молекулярной упаковки. Установлена связь между свободным объемом полимера, коэффищ -ентом молекулярной упаковки и параметрами его пористой структуры. Для экспериментального определения характеристик микропористой структуры полимеров использован метод аннигиляции позитронов, с использованием которого выявлены структурные изменения в полимерах при их релаксации. [c.15]

Инкремент вводится при иаличии по. юродной связи любого типа для всех полимеров, кроме полиамидовн для последних инкремен ты и содержатся в табл. 18. [c.81]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...