Структуры светоизлучающего диода

Датчик, установленный в устройстве адаптации, представляет фотодиод, обеспечивающий бесконтактное позиционирование в двух направлениях. Структура датчика соответствует планарной, все проводники расположены на активной поверхности. Светоизлучающий диод крепится к якорю и формирует световое пятно, положение которого зависит от силы токов в проводниках-выводах стационарно размещенного датчика. [c.445]

М — Д — П-диод Диоды с М — Д — П-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света) 2 [c.568]

Типичная структура светоизлучающего диода показана на рис. 8.9. Она применяется, например, в источниках видимого диапазона на основе ОаАзР или Оа Р, легированных N или 2пО. Другой вариант конструкции диода с небольшой излучающей поверхностью и высокой яркостью показан на рис. 8.10. Эта конструкция, разработанная Баррасом, хорошо приспособлена для систем оптической связи. Из сравнения с обычным светоизлучающим диодом видно, что здесь излучающая поверхность отнесена ближе к подложке. При этом удается свести к минимуму расстояние между активным слоем и излучающей 1Юверхностью. Изолирующий оксидный слой отделяет положительный [c.227]

При использовании объектива (ЮОх) проведено изучение локальной температуры в действующем полупроводниковом приборе (МОП-структуре) [7.10]. При КР-термометрии на длинах волн 514 и 457,9 нм достигнуто субмикронное пространственное разрешение. Методом КР проведено также измерение температуры полупроводникового (InGaAsP) лазера во время его работы и действующего полевого транзистора при расстоянии между стоком и истоком 5 мкм (транзистор изготовлен из полупроводниковых твердых растворов А3В5 на подложке GaAs) [7.16]. Температура лазера, излучающего на длине волны 1,48 нм, увеличивается пропорционально току накачки, и при токе 400 мА и излучаемой мощности 140 мВт температура излучающей области выше температуры окружающей среды на 35 °С. При работе полевого транзистора (ток 40 мА) наибольшее увеличение температуры, измеренной с пространственным разрешением 0,4 мкм, происходит вблизи стока [Ав 60-Ь80 °С), тогда как вблизи истока нагрев меньше [Ав 35-Ь45 °С). Погрешность термометрии оценивается авторами величиной 5 °С. Температуру активного слоя в светоизлучающем диоде на основе Si измерили по сдвигу частоты поперечного оптического фонона [7.17]. Показано, что при плотности тока накачки 200 А/см температура достигает 350 °С. [c.186]

Характер вида запрещенной зоны бинарных смесей А " — В указан в табл. 7.2. При изменении состава некоторых тройных и четверных смесей вид запрещенной зоны может меняться и быть прямым и непрямым. Это было отмечено на рис. 7.3 и 7.4. Имеется общая тенденция к сужению запрещенной зоны в прямозонных структурах и к ее расширению в непрямозонных. Это удобно при разработке источников излучения ближнего инфракрасного диапазона для волоконных оптических линий связи, но вызывает серьезные трудности при разработке эффективных светоизлучающих диодов. Для них часто применяют сильно легированный азотом и окисью цинка такой непрямозониый материал, [c.219]

Этот Тройной твердый раствор соединений А В широко 1Спользовался для светоизлучающих диодов видимого диапа-)на. Зависимость Ед от состава была определена в работе Гомпсона и др. [40]. Переход от прямозонной структуры к не-фямозонной при Хс — 0,45 был определен в экспериментах по наблюдению влияния давления и дал Е = 1,977 эВ. Зависимо-кТи ширины энергетических зазоров от состава приведены на >ис. 5.3.9 и в табл. 5.3.1. [c.27]

Существует большое количество вопросов, относящихся к ДГС-лазерам на GaAs — ALGai j As с широким контактом, которые для сохранения разумной краткости здесь не рассматриваются. Эти вопросы включают, например, рассмотрение мощности, приходящейся на моду резонатора [77, 78], а также из-гибные и продольные колебания, встречающиеся при импульсной накачке [79]. Имеются модификации обычного ДГС-лазера, в которых введен дополнительный р — п-переход. При этом получается iV — jO — п — Р-структура с быстрым включением [80, 81]. Соответствующим образом сконструированный ДГС-лазер с широким контактом может служить модулятором интен- сивности [83] или фазовым модулятором [82]. Нужно заметить, что при удалении одного из зеркал ДГС-лазер становится супер-люминесцентным светоизлучающим диодом (СИД) с большей яркостью и меньшим углом расходимости, чем в других конфигурациях СИД [84]. [c.227]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...