Фликкер-шум в р-п диодах

Шумы в полупроводниках обычно также разделяют на тепловой, дробовой и фликкер-шум. Однако, учитывая своеобразие процессов, протекающих в полупроводниках, различают а) Г е п е -р а ц и о п н о - р е к о м б и н а ц и о н II ы й шум, создаваемый спонтанными Ф. скоростей генерации, рекомбинации, улавливания и т. д. носителей заряда (электронов и дырок), что приводит к Ф. плотности свободных носителей. Для полупроводниковых приборов, содержащих р—п-переходы (полупроводниковый диод, полупроводниковый триод), этот шум значительно ближе к дробовому, чем для полупроводниковых льатериалов (термисторы, фотосопротивления). [c.322]

Регистрация оптических сигналов с помощью ФЭУ может также производиться методом измерения среднего значения анодного тока. Уровень шума в этом случае определяется среднеквадратическим значением флуктуаций этого тока, термошумом фотокатода, а также вкладом таких компонент шума, как токи утечки, шумы, обусловленные ионной и оптической обратной связью, газоразрядными процессами, фликкер-шумом, автоэлектронной эмиссией и т. д. На точность измерений сказывается и влияние изменения коэффициентов фотоэмиссии и вторичной эмиссии диодов, обусловленные как процессами старения, так и влиянием регистрируемого сигнала. Флуктуации этих составляющих темпового тока не поддаются расчету, так как инициирующие их процессы в значительной мере определяются конструкцией и технологией [c.53]

Гл. 2 содержит ряд теоретических предпосылок, которые полезны для оценки основных источников шума приборов. В гл. 3 обсуждаются способы описания шума двух- и трехполюсных приборов с приложением результатов к вычислению коэффициента шума многокаскадных усилителей (в частности усилителей, включающих в себя приборы с отрицательной проводимостью). В гл. 4 показано, как можно точно выполнить шумовые измерения. Теоретический материал гл. 2 используется в гл. 5 и 6. В гл. 5 рассматриваются тепловой шум и шум генерации — рекомбинации применительно к мазерам и полевым транзисторам. Гл. 6 посвящена обсуждению дробового шума в диодах с р-п переходом, транзисторах и вакуумных лампах, а также фликкер- и взрывного шума в диодах, биполярных и полевых транзисторах. [c.6]

Фликкер-эффект. На частотах ниже нескольких сотен герц шум диода начинает увеличиваться с понижением частоты. Это приращение, которое называется фликкер-шумом, пропорционально квадрату тока, тогда как дробовой шум пропорционален току в первой степени. Следовательно, с помощью графика выходной мощности шума диода как функции его тока легко проверить, источником какого шума является шумовой диод дробового или фликкер-шума, и таким образом определить нижнюю границу его частотного диапазона. [c.61]

До сих пор предполагалось, что для шумовых измерений используются шумовые диоды. Однако на низких частотах, где заметную роль приобретает фликкер-шум, или в случаях, когда эквивалентный ток насыщения диода для исследуемого прибора велик по сравнению с максимальным анодным током шумового диода (20—30 ма), в качестве эталонов следует применять сигнал-генераторы. Существуют два способа построения схемы, удобные для измерения шумовых сопротивлений (рис. 4.8,а) и для измерения эквивалентных токов насыщенного диода (рис. 4.8,6). [c.74]

Измерения, проведенные на диодах с подвижными анодами, показали, что эквивалентное сопротивление фликкер-шума Rnf убывает с уменьшением расстояния между анодом и катодом. Поэтому следует ожидать, что то же самое верно для триодов. Поскольку при данном токе анода 1а крутизна лампы я возрастает с уменьшением расстояния с1сд между сеткой и катодом, то при прочих равных условиях лампы с большей крутизной должны иметь меньшее эквивалентное сонротив- [c.132]

В. Фликкер-шум в плоскостных диодах, МОП-транзисторах и биполярных транзисторах [c.136]

Равенство (6.50) не является вполне точным. Более строгий анализ этой модели дает несколько иную зависимость Si(f) от S [89]. Более того, этот результат неприменим непосредственно к кремниевым диодам, поскольку в них основная доля фликкер-шума обусловлена флуктуациями рекомбинационного тока в области пространственного заряда. Ван дер Зилом дано детальное обсуждение модели поверхностной рекомбинации, которая может объяснить эти и другие экспериментальные данные [89]. [c.139]

Приемники допплеровских РЛС обычно начинаются со смесителя, и [иногда прим. ред.)] используется нулевая промежуточная частота. Тогда желательно избежать попадания частот биений в шумовой фон приемника. По этой причине необходимо требовать, чтобы смесительный диод имел очень низкий уровень фликкер-шума. Хотя точечные диоды были значительно улучшены в части, связанной с шумом типа Ц, представляется, что хорошо сконструированные диоды с барьером Шоттки в этом отношении предпочтительнее. [c.186]

То, что этот результат не очевиден, можно показать на следующем примере. Рассмотрим вакуумный диод, который обладает фликкер-э( ектом, вызванным действительными флуктуациями б/ тока эмиссии /,. Тогда можно показать, что флуктуации 6/о анодного тока равны [c.220]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...