Характеристика вольтамперная диода

Примечание 1) Вольтамперная характеристика полупроводникового диода считается подчиняющейся уравнению /=/в[ехр — ] 2) Масштабы Мл и М определяются из соотношений Л4к= а [c.77]

Фиг. 85. Схематическое изображение вольтамперной характеристики туннельного диода.

Наиболее важная с практической точки зрения особенность вольтамперной характеристики туннельного диода состоит в возникновении отрицательного наклона при прямых напряжениях. Этой области отвечает отрицательное динамическое сопротивление, и поэтому такие приборы могут использоваться в качестве усилителей и генераторов. [c.312]

В Советском Союзе изготовляются германиевые диоды типа ДГЦ. Внутреннее устройство такого диода показано на фиг. 180, б, а внешний вид на фиг. 180, в. Детекторы этой конструкции просты в изготовлении, мало боятся механических сотрясений и сохраняют свои свойства при длительном хранении. Вольтамперная характеристика ДГЦ показана на фиг. 183. Как видно из фигуры, прямой ток германиевого детектора достаточно велик, а в обратном направлении к нему могут быть приложены очень большие напряжения по сравнению со всеми рассмотренными типами вентилей. В этом заключается основное преимущество германиевых диодов. В прямом направлении зависимость между током и напряжением близка к квадратичной. [c.327]

Рис. 92. Несимметричная вольтамперная характеристика полупроводникового выпрямителя (германиевый плоскостной диод)

Вольтамперная характеристика (см. рнс. 92) выражает зависимость тока, протекающего через диод, при изменении величины и полярности приложенного к нему напряжения. В правом верхнем квадранте располагается часть вольтамперной характеристики, соответствующая пропускному направлению тока. В левом нижнем квадранте располагается вторая часть вольтамперной характеристики, показывающая изменение тока в запорном направлении. Чем ближе к вертикальной оси располагается прямая ветвь вольтамперной характеристики и чем ближе к горизонтальной оси располагается ее обратная ветвь, тем лучше диод. [c.329]

Параметрические диоды предназначены для работы в параметрических усилителях. Их действие не связано с нелинейностью вольтамперной характеристики, а основано на зависимости емкости Сд от / в области отрицат. напряжений на р—п-пере-ходе. Соотношение (2) является частным случаем более общей ф-лы [c.122]

Рис. 122. Вольтамперная характеристика диода

В связи с применением современных структурных схем выпрямления особенное значение приобретает поведение диода при подаче на него напряжения прямоугольной формы (после инвертора в схеме рис. 2.2, б). Рассмотрим процессы, происходящие при этом в полупроводниковом диоде с помощью временных диаграмм (рис. 2.5, а) и вольтамперной характеристики (рис. 2.5, б). Эта характеристика называется динамической и отличается от статической, показанной на рис. 2.1, д и 2,5, б толстой линией. Цифры, приведенные в скобках, при дальнейшем рассмотрении процессов соответствуют цифрам на динамической характеристике. Заметим, что иногда эту характеристику называют траекторией рабочей точки. [c.44]

Напряжение на диоде и , начиная с момента 4 плавно падает и в момент 4 (4) приобретает значение U — установившееся значение обратного напряжения. Скачок напряжения с — жо U соответствует точкам 4, О, 1 на динамической вольтамперной характеристике. Произведение ординат дает значение прямых р р и обратных ро(, потерь в диоде. На интервале 4ос на диоде выделяется наибольшая мгновенная мощность, поскольку большое значение /об протекает при полном и а- [c.46]

Е Вольтамперная характеристика р — п-перехода Полупроводниковый диод — выпрямитель 2 [c.569]

На рис. 2.24 показана вольтамперная характеристика диода с пр = tga, а также характеристика эквивалентного диода, у которого /"пр.экв = Гпр + /"тр = / = tga3. К схеме приложено синусоидальное напряжение ей с амплитудой Ецт и смещающее напряжение U ср = = U . Ток через фазу имеет форму синусоиды, усеченной снизу на [c.105]

Преобразователи с переменной характеристикой. Особую разновидность параметрических МЭП представляют преобразователи с нелинейной вольтамперной характеристикой (ВАХ), изменяющейся при механическом воздействии на преобразователь. Типичным примером является механотронный преобразователь—электровакуумный прибор с подвижным электродом [2]. На рис. 15 показан схематически диодный механотрон с подвижным анодом. При перемещении анода относительно катода, происходящем пол воздействием силы на упругую мембрану, ВАХ диода — зависимость анодного тока от напряжения между электродами — изменяется. Это видно из формулы для анодного тока [c.203]

В соответствии с приведенным качеств, описанием вольтамперпая характеристика Т. д. (рис. 2), в отличие от обычных диодов (пунктир на рис. 2), идет существенно круче при малых /"цр и и имеет падающий участок между II, и и . Величина тока I = при и = обусловлена гл. обр. высокой концентрацией примесей, при которой примесные уровни Рис. 2. Вольтамперные ха- размываются в зоны, сли-рактеристики для обычного вающиеся с основными ао- [c.208]

Высокочастотные (имнульс пые) ГГ. д. распространены в радиотехнике и в вычислит, технике и выполняют те я е ф-ции, что и высокочастотные вакуумные диоды (детекторы, смесители, элементы импульсных схем и т. н.). Их действие также основано на нелинейности вольтамперной характеристики р— -перехода. Они работают в области более высоких частот, чем выпрямпт. диоды (до сотеи Мгц), или в импульсном режиме нри длительности импульсов до 10 8 — 10 сск. Это определяет основные особенности р— -переходов высокочастотных П. д. малые величины С. , Сд и Для уменьшения Сц применяют Се и Si с примесями элементов Ан, Ni, Сн, являющимися эффективными центрами рекомбинации, уменьшающими эффективное время кп пп1 неравновесных носителей в диоде т,,ф. Снижение т ф достигается также уменьшением толщины базы в -области до величины < Ьр-, в этом случае т.,ф равно времеш диффузии дырок через базу. При толщинах базы в неск. х, х, ф 10 сек. Спшке-ние толщины базы одновременно уменьшает г у Сокращение площади р— -перехода уменьшает Сд и [c.121]

Туннельные диоды. Действие туннельных диодов основано на наличии падающего участка на вольтамперной характеристике р—п-переходов, изготовленных из вырожденных полупроводников (р порядка 10" —10ом-см) (рис. 6). Т. к. туннельный механизм переноса тока (см. Туннельный эффект), [c.122]

Полупроводниковые стабилиза-т о J) ы напряжения (опорные диоды, с т а б и л U т р о н ы). В стабилитронах используется высокая крутизна вольтамперной характеристики р—л-перехода в области U > i/ p (нри зинероиском пробое) для стабилизации напряжения (рис. 1). Стабилитроны делаются из Si. Так как i/цр /(р), то величину стабилизуемого напряжения можно менять в пределах от неск. в до десятков в изменением р исходного Si (от 10 до 1 ом с.и). Эти стабилитроны выгодно отличаются от газовых стабилитронов малыми габаритами, весом и надежностью. [c.123]

Четырехслойные структуры при диодном включении (четырехслойный диод) широко применяются как управляемые переключатели, вольтамперная характеристика к-рых имеет уча сток с отрицат. сопротивлением (см. Нолупроводни- р-област ,бласть ковый диод). [c.126]

Усилитель на т у и и е л ь н о м диоде. Туннельный диод, обладающий падающим участком вольтамперной характеристики, компенсирует потери, вносимые в схему активными сопротивлениями нагрузки Л и генератора входного сигнала Л (рис. 5). Если отрицательное сопротивление (но модулю) диода Л в рабочей точке больше сопротивления потерь системы, т. е. ЛдЛц/ (йр -Ь Лц) < Л1 для схемы 5,а и Лд -+- Л К для схемы 5, б. то в сопротивлении Лц выделяет [c.128]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...