Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Усилитель на туннельном диоде

Если Яв<ё сг, усилитель на туннельном диоде имеет отрицательную выходную проводимость, что можно использовать для исключения части входной проводимости следующего каскада. Для обеспечения устойчивости необходимо потребовать выполнения неравенства ёз—ё сг-Ьё 1>0. Мы увидим, что такая схема может давать некоторые выгоды.  [c.55]

Рис. 4.30 Регенеративный усилитель на туннельном диоде Рис. 4.30 Регенеративный усилитель на туннельном диоде

Дело в том, что для получения высокой чувствительности радиоспектроскопов необходимо применение в них чувствительных малошумящих усилителей (например, параметрических усилителей, усилителей с туннельными диодами), тогда как в серийных спектроскопах применяют усилители на лампах с бегущей волной, имеющие большие габариты, сложную схему питания и, главное, высокий уровень шумов. Кроме того, в ряде конструкций используются громоздкие электромагниты, что увеличивает вес и усложняет схему питания.  [c.458]

Схема прибора состоит из генератора на туннельных диодах, усилителя ВЧ смесителя, КВ генератора, усилителя биений, ограничителя, измерительной головки (рис. 8).  [c.21]

В зависимости от применяемого усилительного элемента усилители бывают ламповые, транзисторные, на туннельных диодах и т. д. Усилители различают и по типу нагрузки резистивные, трансформаторные, резонансные (нагрузкой является резонансный контур) и т. д.  [c.25]

Благодаря этому он будет осуществлять колебания тока точно на резонансной частоте и используется в высокочастотных усилителях и генераторах. Существование области отрицательного сопротивления не связано с тепловым возбуждением носителей, поэтому туннельный диод успешно функционирует и при гелиевых температурах.  [c.362]

Другими достаточно простыми примерами стохастических автоколебательных систем являются различные типы генераторов с туннельными диодами [190, 314, 607, 682]. Рассмотрим сначала один из них, схема которого представлена на рис. 9.2, [190, 314, 607]. Уравнения такого генератора в предположении, что характеристика усилителя линейна, имеют вид  [c.264]

Кристаллический генератор можно представить в виде параллельного соединения двух- или четырехполюсников, первый из которых есть пьезоэлектрический резонатор, а второй — активный функциональный блок. Последний обычно содержит туннельный диод, одно- или двухкаскадный транзисторный усилитель (или соответствующую интегральную схему). Характеристика активного функционального блока может не зависеть от частоты в этом случае частота генератора полностью определяется резонатором. Такие схемы называют апериодическими. Схема активного блока может также содержать частотно-зависимые элементы (реактивные сопротивления). Тогда грубая настройка частоты генератора осуществляется подбором реактивных сопротивлений, а тонкая настройка обеспечивается пьезоэлектрическим резонатором. Такие схемы используются для резонаторов, работающих на определенной гармонике.  [c.252]


В зависимости от преобладания физической структуры бесконтактные аппараты можно разделить на три класса полупроводниковые, магнитные и магнитно-полупроводниковые. В каждом из этих классов можно выделить функциональные группы аппаратов реле управления, регуляторы, датчики и т.д. Основными элементами бесконтактных полупроводниковых аппаратов управления являются релейные и импульсные усилители, выполненные на различных полупроводниковых приборах, главным образом на транзисторах и диодах (переключающих, туннельных и других типов).  [c.150]

Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и диодных смесителей от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на туннельном диоде 3 — усилитель на биполярном транзисторе 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К. Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и <a href="/info/371790">диодных смесителей</a> от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на <a href="/info/3828">туннельном диоде</a> 3 — усилитель на <a href="/info/371811">биполярном транзисторе</a> 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К.
Формула Фрииса была выведена в предположении, что выходная проводимость каждого каскада является положительной. Существует, однако, несколько случаев, когда выходная проводимость каскада может быть отрицательной один из наиболее известных примеров — это усилитель на туннельном диоде. В таком случае необходимо более детальное рассмотрение. В настоящее время существуют два подхода к этой задаче.  [c.51]

К классу МШУ относятся также У. э. к. на туннельных диодах (Есаки диодах). По шумовым свойствам такие регенеративные усилители СВЧ сравнимы с транзисторными.  [c.242]

Схемы и конструкции У. э. и. разнообразны и вы полняются на электронных лампах (ла.мповыс усили тсли), транзисторах (полупроводниковые усилители) иараметрич. диодах (параметрические усилители) 1 туннельных диодах.  [c.270]

Обычно на туннельных диодах конструируют либо реаопансные усилители, либо полосовые усилители. В этом случае параллельно диоду подключаются настроенные контуры (линии, резонаторы) соответствующего типа. П. у. на туннельных диодах могут усиливать электрич. колебания до частот 100 гц (X = = мм) с коэфф. усиления 20—40 дб, шумфакто-ром 2—10 дб и выходной мощностью от 10 до 10 вт.  [c.129]

Для нелинейного усилителя, описываемого ур-нием (4), аналогом рис. 4 является А-образная вольт-ампер-ная характеристика, содержащая падающий участок. В ряде устройств полупроводниковой электроники Ганна диод, туннельный диод и Др.) аналогичный А-образный вид вольт-амперной характеристики реа-ЗоО лизуется благодаря положительной О. с., возникающей  [c.386]

Усилитель на т у и и е л ь н о м диоде. Туннельный диод, обладающий падающим участком вольтамперной характеристики, компенсирует потери, вносимые в схему активными сопротивлениями нагрузки Л и генератора входного сигнала Л (рис. 5). Если отрицательное сопротивление (но модулю) диода Л в рабочей точке больше сопротивления потерь системы, т. е. ЛдЛц/ (йр -Ь Лц) < Л1 для схемы 5,а и Лд -+- Л К для схемы 5, б. то в сопротивлении Лц выделяет  [c.128]

Туннельные диоды применяются как активные элементы в СВЧ генераторах и усилителях, а также в качестве быстродействующих переключательных элементов (время переьапочения менее 1 не) в бистабильных устройствах. В зависимости от применения туннельные диоды делятся на усилительные, генераторные и переключательные. У усилительных диодов стремятся обеспечить минимальный коэффициент шума, у генераторных - большое значение тока в точке максимума вольт - амперной характеристики, а у переключательных - широкую область впадины и -UI на рис. 4.27).  [c.92]


Смотреть страницы где упоминается термин Усилитель на туннельном диоде : [c.80]    [c.55]    [c.117]    [c.331]    [c.129]    [c.94]    [c.73]    [c.264]   
Шум Источники описание измерение (1973) -- [ c.53 ]



ПОИСК



Диоды

Диоды туннельные



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте