Диоды на основе GaAs

Слои из полпкристаллич. кооперативных люминофоров используют для изготовления светодиодов с видимым свечением на основе GaAs Si диодов с высокой эффективностью ИК-излучения (в области 0,9- 1,0 мкм), а также для приготовления экранов, визуализирующих поля излучения нск-рых ИК-лазеров (в т. ч. ИАГ Nd + ). [c.457]

Рис. 8.5. Примеры наблюдаемых спектров светоизлучающих диодов а — характерный спектр диода на основе GaAs, легированного Si б — спектры излучения диодов иа основе InGaAsP трех различных составов. В этих приборах Деф 3,3 кТ.

В конструкции Барраса близость активного слоя к поглотителю тепла означает, что тепловое сопротивление мало и можно использовать высокие плотности тока без чрезмерного повышения температуры, которое может привести к трем э ектам меняется распределение излучения по длинам волн, падает внутренняя квантовая э ективность вследствие возрастания скорости безызлучательной рекомбинации, падает срок службы светоизлучающего диода. На рис. 8.11 показано, как за время одного импульса падает мощность излучения светоизлучающего диода вследствие роста температуры перехода. Уменьшение выходной мощности иа 50 % соответствует возрастанию температуры от комнатной до 90... 100° С. Вообще в приборах на основе GaAs и GaAlAs температура перехода не должна превышать 50. .. 1О0° С. [c.228]

Выбор материала детектора для оптической связи не вызывает затруднений. При использовании излучателя на основе GaAs/GaAlAs, работающего в диапазоне 0,8. .. 0,9 мкм, наиболее подходящим будет кремниевый детектор. Такие детекторы имеют обедненный слой толщиной в несколько десятков микрометров и обычно делаются в виде p-i-л-диодов. Для излучения с длиной волны свыше 1,8 мкм наиболее подходят германиевые детекторы. При длинах волн более 1,55 мкм также требуется толщина обедненного слоя в несколько десятков микрометров. В диапазоне длин волн около 1,3 мкм активная область должна быть того же порядка или тоньше. Ведутся интенсивные разработки прямозонных детекторов на основе тройных и четверных соединений для использования в более длинноволновых диапазонах. В них обычно используют барьеры Шотки или гетероструктуры, подобные описываемым в 12.4.3. [c.314]

В ряде случаев рост эпитаксиальных пленок GaAs может сопровождаться нежелательным легированием глубокими примесями или появлением уровней собственных дефектов. Наличие глубоких примесей в полупроводнике может приводить к захвату носителей заряда и уменьщению их времени жизни. Эти эффекты оказывают влияние на многие характеристики полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала, например, на токи утечки, щумы диодов и транзисторов они проявляются при переходных процессах во всех транзисторах, диодах и источниках света на основе GaAs. В транзисторах, изготовленных из GaAs, эффекты захвата связываются с примесью кислорода. [c.137]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Основные параметры Т. д. макс. прямой ток и мин. прямой ток / и. соответствующие им напряжения и (значения этих параметров для Т. д. на GaAs и Ge приведены на рис. I) отрицат. дифференц. сопротивление, определяемое наклоном падающего участка ВАХ (ВГ на кривой 2, рис. Г), имеет значения (по абс. величине) для разд. типов Т. д. от единиц до десятков Ом Т. д. могут работать в более широком интервале темп-р, чем обычные диоды, изготовленные на основе того же материала (до 200 " С германиевые до 600 С арсенидгаллиевые). Поскольку рабочий диапазон смещений Т, д. расположен в области значительно более низких напряжений по сравнению с др. полупроводниковыми приборами, то они относительно маломощны (выходная мощность порядка мВт). Малая инерционность процесса туннелирования электронов позволяет применять Т. д. на частотах СВЧ-диапазона вплоть до десятков ГГц. Предельная рабочая частота Т. д. (при использовании его в качестве [c.175]

При использовании объектива (ЮОх) проведено изучение локальной температуры в действующем полупроводниковом приборе (МОП-структуре) [7.10]. При КР-термометрии на длинах волн 514 и 457,9 нм достигнуто субмикронное пространственное разрешение. Методом КР проведено также измерение температуры полупроводникового (InGaAsP) лазера во время его работы и действующего полевого транзистора при расстоянии между стоком и истоком 5 мкм (транзистор изготовлен из полупроводниковых твердых растворов А3В5 на подложке GaAs) [7.16]. Температура лазера, излучающего на длине волны 1,48 нм, увеличивается пропорционально току накачки, и при токе 400 мА и излучаемой мощности 140 мВт температура излучающей области выше температуры окружающей среды на 35 °С. При работе полевого транзистора (ток 40 мА) наибольшее увеличение температуры, измеренной с пространственным разрешением 0,4 мкм, происходит вблизи стока [Ав 60-Ь80 °С), тогда как вблизи истока нагрев меньше [Ав 35-Ь45 °С). Погрешность термометрии оценивается авторами величиной 5 °С. Температуру активного слоя в светоизлучающем диоде на основе Si измерили по сдвигу частоты поперечного оптического фонона [7.17]. Показано, что при плотности тока накачки 200 А/см температура достигает 350 °С. [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...