Микроволновые диоды

Влияние нейтронного облучения на кремниевые микроволновые диоды [c.300]

Это правильный, но слишком грубый метод в микроволновых приемниках емкость полупроводникового диода изменяется в результате изменения напряжения, приложенного к диоду. Для этого широко используется модулятор на диодах, который называется вариконд. Модуляция емкости аналогична модуляции жесткости пружины. В принципе жесткость может быть модулирована попеременным нагреванием и охлаждением пружины в том случае, если значение С зависит от температуры. [c.239]

В отличие от низкочастотных генераторов, для которых параметры резонансной цепи определяются легко и однозначно, микроволновые [1] и оптические [2—6] генераторы требуют более глубокого математического и физического анализа. Для определенности рассмотрим генератор, в резонатор которого помещен лавинный диод с обратносме-щенныт переходом (рис. 7.4). Диод можно характеризовать поляризацией Р, действующей как источник электрического поля в соответствии с выражением (1.2.8). Таким образом, электрическое поле Е(г, О можно интерпретировать как отклик резонатора на излучение диполей, распределенных в области диодного перехода [c.481]

Такой механизм отрицательного сопротивления имеет существенное отличие от случая туннельного диода. Для последнего мы нашли, что отрицательным сопротивлением обладает очень узкий слой, отвечающий туннельному переходу. В эффекте же Ганна мы приходим к отрицательному сопротивлению массивного полупроводника. Если величина отрицательной проводимости очень мала, то микроволновые колебания, распространяясь через образец, должны усиливаться. Если же отрицательное сопротивление велико, как это имеет место в ганновском диоде, то кристалл можно разбить на бегущие по нему домены сильного и слабого поля и рассмотрение происходящих при этом явлений становится существенно более сложным ). [c.313]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...