Материалы для диодов

Материалы для диодов — материалы, в которых проявляется эффект выпрямления. [c.367]

Материалы для диодов с запирающим слоем и транзисторов Ge, 81, ОаАз, Си О. [c.315]

Германий и кремний в настоящее время являются основными полупроводниковыми материалами для производства кристаллических диодов и триодов. Свойства этих полупроводников приведены в табл. 74. [c.302]

В табл. 87 приведены основные характеристики широко применяемых полупроводниковых материалов германия, кремния и селена. Эти данные относятся к очищенным материалам. Для полупроводниковых приборов (диоды, триоды и др.) выпускаются легированные (с введенными донорными или акцепторными примесями) германий и кремний с меньшими значениями удельного сопротивления по сравнению с чистыми полупроводниками. [c.261]

Прибор предназначен для возбуждения и регистрации спектров люминесценции. Он применяется для исследования оптических свойств кристаллов, жидкостей и порошков в обычном или поляризованном свете, а также полупроводниковых материалов для ОКГ и люминесцентных диодов. [c.414]

Чтобы определить требования к материалам для полупроводниковых оптических источников и детекторов, придется затронуть теорию полупроводников и полупроводниковых соединений, а также рассмотреть конструкции некоторых типичных приборов, В конце этой главы будут приведены общие свойства оптических источников и детекторов. В гл. 8 будут обсуждены физические механизмы генерации оптического излучения, а в гл. 9 описана структура типичных полупроводниковых диодов, имеющих высокий коэффициент полезного действия в режиме непрерывно работающего при комнатной температуре полупроводникового лазера. Работа полупроводниковых лазеров рассматривается в гл, 10 и 11. Наконец, в гл, 12 и 13 будет рассмотрена работа р-1-п- и лавинных детекторов. [c.191]

Ниже рассматриваются лишь кремниевые вентили. Германий, применявшийся в СССР для изготовления силовых диодов, не обеспечивал требуемых рабочих напряжений и достаточных рабочих температур. Другие полупроводниковые материалы для изготовления силовых вентилей не использовались и е используются. Это не исключает, естественно, синтез в перспективе полупроводниковых материалов. Силовые вентили, изготовленные на основе этих материалов, превзойдут по электрическим характеристикам кремниевые вентили. [c.44]

Полупроводниковые материалы используются для получения проводимости, управляемой внешними факторами, например, напряжение, температура, освещенность. Из них изготавливаются диоды, транзисторы, фоторезисторы и тому подобные элементы. [c.5]

Ввиду недостатка опытных данных о влиянии излучения на термисторы можно полагать, что некоторые полезные сведения такого типа можно получить из данных о влиянии излучения на различные окислы металлов. Как упоминалось выше, термисторы изготовляют путем смешивания окислов различных металлов со связующими материалами. Большинство окислов, применяемых в термисторах, хорошо известны как катализаторы химических реакций и как полупроводники для изготовления диодов. Различные окислы металлов несколько отличаются друг от друга по чувствительности сопротивления к изменению температуры. [c.361]

Если для труб применен более благородный материал, площадь поверхности которого мала по сравнению со всей площадью поверхности защищаемого объекта, то нужно проверить ток коррозионного элемента и тем самым анодную поляризацию системы, состоящей из углеродистых сталей. Если ток элемента при отключенной станции катодной защиты не является пренебрежимо малым или если применены трубы из менее благородных материалов, например из алюминия, то необходимо применить схему с диодами (рис. 12.6). [c.283]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С. [c.94]

ЦОУ на светоизлучающих диодах. Действие светодиода основано на способности некоторых полупроводниковых материалов (фосфида галлия GaP, карбида кремния Si и более сложных) эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую. Полупроводниковый материал имеет вид кристалла размерами от 0,34 X 0,34 до 0,5 X 0,5 мм. Как миниатюрный твердотельный источник света он имеет малую поверхность излучения. Для ее увеличения (особенно необходимо при высоте цифр более 5 мм) используют различные приемы. [c.255]

Для различных электронных ламп (диоды, кенотроны, триоды, генераторные лампы и т. д.) допустимая температура анода составляет 150 200° С, а баллона — 100 200° С допустимая температура спая стекла с металлом или металлокерамикой принимается равной 150° С. Более подробные сведения о допустимых температурах электронных ламп можно найти в [51, для конструктивных материалов и их контактов в [6, 7], для ферритов и окси-феров различных марок в [8]. [c.11]

Примером практического применения контакта металл — полупроводник могут служить монокристалличе-ские диоды, которые применяют для выпрямления электрического тока селеновые элементы, меднозакисные элементы и др. Кроме того, ои используется в полупроводниковых конденсаторах с барьерной емкостью, подобных полупроводниковым конденсаторам на основе ВаТ Оз. Если привести в контакт металл и полупроводник, то в зависимости от значений работ выхода может получаться либо выпрямляющий, либо омический контакт. Если работа выхода для металла равна ф , а работа выхода для полупроводника равна ф , то в зависимости от соотношения работ выхода контактируемых материалов получаются следующие случаи [c.323]

В последнее время логические схемы все чаще вьшолняются на бесконтактных элементах (диодах, триодах, материалах с прямоугольной петлей гистерезиса), для которых понятия катушек и контактов не имеют смысла. Для кон- [c.764]

Поясним образование участка аЪ на характеристике V = у Е) (рис. б.бв) или 2 = 2 Е) ( падающий участок па рис. 6.76) для диода Ганна [6]. На рис. 6.7 представлена структура энергетических зон арсе-пида галлия СаАб — полупроводника и-типа, который является сейчас наиболее распространенным материалом для диодов Ганна. В СаАб в [c.142]

В настоящее время кремний является основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов диодов, транзисторов, фотоэлементов, тензопреобразователен и твердых схем микроэлектроники. При использовании кремния верхний предел рабочей температуры приборов может составлять в зависимости от степени очистки материала 120—200 С, что значительно выше, чем для [c.257]

В настоящее время материалом для силовых диодов служат почти исключительно германии и кремний. К- п. д. таких диодов приближается к 100%, что в сочетании с их малыми массой и габаритами, устойчивостью к вибрации и другими ценными качествами о еспечило им широкое практическое применение. При построении диодов на большие токи основная проблема состоит в обеспечении эффективного отвода тепла от р— -перехода, так как при нагревании перехода ухудшаются его выпрямительные свойства. Поэтому силовые диоды для средних и больших мощностей изготовляются с радиаторами охлаждения, а иногда применяется принудительное охлаждение — воздушное, водяное или масляное. [c.229]

Диапазон параметров совр. р(п-диодов, предназначенных для управления СВЧ-мощностью, очень широк. Сравнительно маломощные диоды с макс, мощнот стью рассеяния < 1 Вт имеют времена переключения в наносекундном диапазоне. Мощные диоды (рассеиваемая мощность 10 Вт) коммутируют импульсную еВЧ-мощность ( 10 кВт) с временами переключения в мак-росекундном диапазоне. Осн. материалами для этих приборов являются кремний, германий и арсенид гал- [c.586]

Материалы для световых, емкостных и туннельных диодов GaAsi Pi, где х от [c.315]

В авиационной технике полупроводниковые материалы используют в приборах для генерации и усиления электрических сигналов и выпрямления переменного тока (диоды) и в качестве фотосопротивления и фотодиодов. Термоэлектрические свойства полупроводников позволяют применять их в качестве термосопротивлений, термоэлементов, термостабилизаторов и при создании солнечных батарей. Магнитные свойства полупроводниковых материалов (окислы металлов переходных групп, соединения металлов с серой, теллуром и селеном) позволяют применять их при изготовлении малогабаритных антенн, транс- [c.279]

Для просвечивания большинства материалов наибольшее применение находят источники малой и средней мощности от 10 мВт до 1 Вт в непрерывном режиме генерации. Обычно это отражательные клистроны, лавинопро-летные. диоды и генераторы Ганна, табл. 2. [c.211]

Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Безызлучательная рекомбинация, как правило, определяется в основном глубокими рекомбинационными центрами, излу-чательная же идет обычно в результате межзонных переходов (рис. 12.11, а), переходов из зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни (рис. 12.11, 6) или с мелких донорных уровней в валентную зону (рис. 12.11, б). Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [c.332]

Во-первых, из-за лавины сообщений о разработке новых композиций материалов с уникальными свойствами, которые применяются в науке, технике, быту, т.е. в нашей с вами жизни. Такие сообщения постоянно появляются не только на периодических научных конференциях и в журнальных статьях, но и на многочисленных страницах Всемирной паутины Internet университетов, фирм, отдельных фаждан. Далее показан кусочек одной из таких страниц с программой DIODE , где ученые ряда крупных европейских университетов и индустриальных центров объединились в решении задачи создания новых приборов (высокочастотных диодов для телекоммуникационных приложений) на базе композитов, сочетающих органические и неорганические. материалы. [c.179]

Резонансные туннельные диоды перспективны для использования в цифро-аналоговых и цифровых преобразователях, регистрах сдвига и статической памяти ультранизкой мощности, имеют преимущества перед КМДП-БИС по быстродействию при использовании в цифро-аналоговых конвертерах с частотами 10... 100 ГГц и по мощности при применении в приборах статической памяти. Поэтому эти устройства на основе материалов могут найти применение в ближайшем буду- [c.152]

Электрич. св-ва П. позволяют производить приборы, применяемые для генерации и усиления электрич. сигналов (транзисторы), детектирования и выпрямления порем, тока (диоды). Используя оптич. св-ва П., изготовляют фотосопротивлепия, фотодиоды и фототранзисторы. П. служит активной средой генераторов (усилителей) колебаний оптич. диапазона волн — полупроводниковых лазеров, к-рые сравнительно с другими (иапр.,рубиновыми) обладают более высоким кпд (см. Лазерные материалы). На основе термоэлектрич. св-в разрабатывают и выпускают термосопротивления, термоэлементы и батареи, термоэлектрич. генераторы и холодильники, термостабилизаторы. Перспективно изготовление [c.35]

Ультразвуковая (точечная) сварка применяется для соединения деталей полупроводниковых приоров (диодав и триодов). Ультразвук позволяет делать отверстия ирЯ1маугольной (и более сложной) формы в хрупких материалах (стекло, керамика) и в очень твердых материалах (карбиды, бориды, алмазы). [c.407]

До настоящего времени принятие новой партии никеля (обычно не менее 4 500 кг) для производства катодных трубочек было весьма длительной и часто сомнительной процедурой. Электровакуумные заводы, получавшие пробные партии катодных трубочек, изготовляли из них опытные партии электронных ламп. Различие в технологии производства на разных заводах приводило к противоречивым результатам одни заводы принимали новую партию трубок, а другие их браковали. Поэтому задачей подсекции 1 общества была координация единых методов испытания для всей промышленности и их оценка. Эта подсекция выработала рекомендации по испытанию плавок катодного никеля (инструкция В238-49Т ASTM). Подсекция 2 разработала стандартные диоды для испытания качества сплавов в лаборатории и исследовала влияние изменений в составе никеля или различных режимов обработки [Л. 25,26 и 26а]. Эти диоды легко изготовляются из стандартных деталей и, таким образом, устраняются трудности, связанные с испытанием новых материалов керна в различных типах ламп. Эталонные партии ламп изготовляют с катодами на трубках из никеля 220, который в необходимом для этой цели количестве отбирают из принятой за годную контрольной плавки (№ 66). Подсекция 3 занимается методами химического анализа, подсекция 4 — вопросами металлургических испытаний, а подсекция 5 — разработкой физических методов испытания. [c.235]

Полупроводниковые диоды разных типов имеют вольт-амперную характеристику, показанную на рис. 5-5. В правой части характеристики дана зависимость прямого тока от напряжения в пропускном (прямом) направлении, соответствующем рис. 5-4, в. В левой части — зависимость обратного тока от напряжения в запирающем (обратном) направлении, соответствующем рис. 5-4, г. Кроме вольт-амперной характеристики, имеют значение следующие величины допустимая плотность тока, подвижность носителей зарядов, коэффициент выпрямления (отношение прямого тока к обратному при одном и том же в напряжении), к. п. д., допустимое обратное напряжение, диапазон рабочих температур, стабильность (отсутствие старения), электрическая емкость (преимущественно при высоких частотах) и пороговое напряжение. Под пороговым напряжением /пор понимается минимальная разность потенциалов, необходимая для преодоления разности потейциалов диффузного поля. Указанные характеристики вентилей находятся в прямой зависимости от свойств полупроводниковых материалов. [c.277]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...