Вероятность просачивания

Вероятность просачивания электронов через потенциальный барьер дается выражением [c.252]

Вероятность просачивания частицы сквозь барьер определяется, как отношение вероятности нахождения частицы за барьером на расстоянии г=Я+(1 к вероятности нахождения частицы внутри барьера, т. е. на расстоянии Я от центра ядра [c.106]

Согласно квантовой механике должна существовать также конечная вероятность просачивания осколков сквозь потенциальный барьер без получения ядром дополнительной энергии активации. При этом квантовая проницаемость барьера мала из-за большой массы осколков. Это явление называется спонтанным делением. [c.213]

Однако вследствие погрешностей измерения в число деталей, признанных годными, попадет некоторая часть негодных деталей, а некоторая часть годных будет ошибочно забракована. Для определения вероятности получения ложного брака и вероятности просачивания негодных деталей в число признаваемых годными необходимо знать законы распределения действительных размеров деталей, отнесенных при разбраковке. к категориям годных и негодных. [c.353]

Из сказанного следует, что отношение предельной погрешности измерений Дцщ к величине допуска контролируемых размеров 26 = Ь — а еще не определяет точности разбраковки деталей, характеризуемой вероятностью получения ложного брака и вероятностью просачивания негодных деталей в категорию годных. Точность разбраковки деталей при данном отношении зависит от зако- [c.354]

Действительно, если положение середины поля допуска сохраняется неизменным, а величина допуска на приемку деталей сокращается, по сравнению с допуском на их изготовление, то вероятность просачивания негодных деталей в число признанных годными уменьшается. Если, например, для приемки деталей установить допуск, уменьшенный по сравнению с допуском на их изготовление на величину 2Д,5ш, то вероятность просачивания негодных деталей в категорию годных окажется пренебрежимо малой. [c.356]

Однако по мере уменьшения вероятности просачивания негодных деталей в категорию годных увеличивается вероятность ошибочного забракования годных деталей. [c.356]

Рассмотрим потенциал, имеющий вид сферической оболочки , который равен Vo в области между / = и / = и нулю вне ее. Вычислить фазовый сдвиг s-волны и показать, что при больших Ко (по сравнению с чем ) резонансы будут появляться приблизительно при таких энергиях, которые имели бы связанные состояния, если бы Vo равнялось бесконечности. Путем простого сшивания волновой функции на границах вычислить вероятность просачивания, считая ее малой. Показать, что рассчитанное таким способом время жизни согласуется с результатом, который получается из ширины резонанса. [c.306]

Наличие этой вероятности делает возможным прохождение (просачивание) микрочастиц сквозь потенциальный барьер конечной толщины d (рис. 3.3, б). Такое просачивание получило название туннельного эффекта. В соответствии с (3.39) коэффициент прозрачности такого барьера [c.103]

В устройствах, работающих по замкнутому циклу, в том числе и в двигателе Стирлинга, необходимо избегать потерь рабочего тела, поскольку такие потери снижают среднее давление цикла и, следовательно, выходную мощность. Имеется много путей для просачивания рабочего тела из внутренней полости двигателя например, водород под действием высоких давлений и температур будет диффундировать сквозь металлические перегородки, изготовленные из больщинства металлов и сплавов (особенно это относится к нержавеющей стали). Однако чаще всего основной причиной утечки является просачивание газа под давлением около поршней и их штоков. На первый взгляд такую утечку можно ликвидировать, установив обычные уплотнения, т. е. металлические кольца или кольца из шнура, поскольку, например, газовые компрессоры работают при давлениях, превышающих давление в двигателях Стирлинга. Однако рабочие температуры в двигателях Стирлинга выше, чем в компрессорах, и это усложняет решение проблемы уплотнений. В двигателях внутреннего сгорания рабочие температуры сопоставимы с температурами в двигателях Стирлинга, однако в двигателях Стирлинга уплотнения должны работать в атмосфе ре, не содержащей масла, поскольку при попадании масла из картера в рабочие полости происходит его пиролиз и образование углеродных отложений, засоряющих теплообменники и особенно высокопористые регенераторы. Кроме того, масло в картере может загрязняться просачивающимся рабочим телом. Усовершенствование уплотнений не должно производиться за счет увеличения трения, поскольку это может привести к недопустимому падению рабочих характеристик на валу двигателя. Из сказанного видно, что создание работоспособной конструкции уплотнения для двигателей Стирлинга с высоким внутренним давлением представляет достаточно серьезную проблему. Этот вопрос рассматривается в разд. 1.7. Необходимо уяснить, что использование газообразного рабочего тела, находящегося под высоким давлением, делает чрезвычайно вероятной утечку газа безотносительно к степени совершенства уплотняющих устройств. Следовательно, чтобы поддерживать выходную мощность двигателя на одном уровне в течение длительного периода эксплуатации, такая утечка должна компенсироваться. Практически это означает, что на двигателях Стирлинга с высоким давлением должен быть установлен компрессор, автоматически нагнетающий сжатый газ в двигатель при падении давления цикла ниже определенного уровня иными словами, должен быть обеспечен процесс подкачки . Компрессор может быть расположен как внутри двигателя, так и вне его. В двигателе с косой шайбой Форд — Филипс имеется внутренний поршневой компрессор, состоящий из небольших порш- [c.81]

Из таблицы следует, что с повышением температуры вероятность поломки увеличивается. С ростом температуры источника тепла также повышается интенсивность просачивания водорода сквозь стенки трубок нагревателя, и при очень высоких температурах все рабочее тело улетучилось бы через несколько сот часов работы, если бы не было системы подкачки рабочего тела. Типичные кривые потерь водорода приведены на рис. 1.77 [36]. [c.91]

Качественный анализ волновых функций 0Дх) позволяет утверждать, что микрочастица имеет отличную от нуля вероятность прохождения ( просачивания ) сквозь потенциальный барьер конечной ширины. Итак, квантовомеханическое описание движения частиц через потенциальный барьер приводит к принципиально новому, квантовому явлению, так называемому туннельному эффекту, связанному с наличием у частиц волновых свойств. [c.483]

Если энергия связи электрона меньше, чем вершина потенциального барьера (рис. 1), то ионизация может происходить за счет туннельного просачивания электрона через барьер из связанного в свободное состояние — это так называемый туннельный эффект. Вероятность туннелирования через барьер определяется прозрачностью барьера [7] и экспоненциально зависит [c.58]

Незамеченного просачивания дефектных изделий в числе годных вследствие появления причин разладки процесса в то время, как статистические характеристики отмечают нормальный ход процесса обработки, т. е. на диаграммах точки не вышли за установленные контрольные границы. Но значения вероятностей этих событий бывают весьма малыми. [c.214]

Электростатическая ионизация. В полях высокой напряженности, возможен переход электронов из валентной зоны в зону проводимости также путем туннельного просачивания их через запрещенную зону. Этот эффект называется эффектом Зинера или электростати-ческой ионизацией. Вероятность просачивания электронов, а следовательно, н плотность туннельного тока резко увеличиваются с ростом напряженности поля и уменьшаются с увеличением ширины запрещенной зоны. Более подробно этот эффект будет рассмотрен на примере туннельного пробоя р—п-перехода. [c.196]

Подвергнем теперь такую систему медленному однородному сжатию, не нарушающему ее симметрии. По мере сближения атомов взаимодействие между ними растет и на расстояниях г = а достигает такой же величины, как в кристалле натрия. На рис. 5Л, б показана картина, отвечающая такому сближению. Из рисунка видно, что потенциальные кривые, отделяющие соседние атомы (на рис. 5.1, б они показаны штриховыми линиями), частично налагаются друг на друга и дают результирующую кривую AB DE, проходящую ниже нулевого уровня СО. Это означает, что сближе ние атомов вызывает не только уменьшение толщины потенциальных барьеров до / й, но и понижение их высоты до для электронов Is, и2 для электронов 2s. Замечательным является то, что высота барьера оказывается даже ниже первоначального положения уровня валентных электронов 3s. Волновые функции этих электронов у соседних атомов перекрываются настолько сильно, что образуют электронное облако практически равномерной плотности, вследствие чего такие электроны с равной вероятностью могут быть обнаружены в любом месте кристалла. Это означает, что ранее локализованные на атомах электроны приобретают способность перемещаться по кристаллу. Важно заметить, что эту способность приобретают не только электроны уровня 3s, но и электроны более глубоких уровней — 2р, 2s и даже Is. Перемещение происходит путем туннельного просачивания электронов сквозь потенциальные барьеры, отделяющие соседние атомы, причем с тем большей вероятностью, чем сильнее перекрываются волновые функции соседних атомов. Подсчет показывает, что в кристалле натрия волновые функции электронов Is перекрываются настолько слабо, что переход их от атома к атому совершается в среднем за время т л 10 с. У электронов 2s и 2р волновые функции перекрываются сильнее и переход их от атома к атому совершается чаще. У электронов же 3s волновые функции перекрываются настолько сильно, что переходы совершаются за время т 10 с. [c.144]

В этом случае возможен прямой туннельный переход электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости п-областн, просачивающихся сквозь потенциальный барьер толщиной х и высотой, меняющийся от Eg в точке до О в точке Jta. С увеличением толщина барьера уменьшается (рис. 8.25, б) и напряженность поля Ё в нем растет. Если р — /г-переход достаточно тонок, то уже при сравнительно невысоком Vas поле ё достигает такого значения, при котором начинается интенсивное туннелирование, электронов сквозь, р — / -переход и его пробой. Для германия это происходит при ё X 3 10 В/м, для кремния при й 10 В/м. Такой пробой называется туннельным. Обратная ветвь ВАХ перехода, отвечающая этому типу пробоя, показана иа рис. 8.24 кривой 2. С увеличением толщины р — -перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается и более вероятным становится лавинный пробой. [c.239]

Кроме того, выбранный вариант текущего контроля должен быть хоть в какой-либо степени охарактеризован в отлошении 1) вероятности незамеченного просачивания брака, т. е. выхода отклонений признака качества за установленные границы поля допуска при правильном выполнении процедуры текущего контроля 2) вероятности появления ошибочных предупредительных сигналов, происходящих при отсутствии или незначительности нарушения хода производственного процесса [c.615]

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД (Эсаки диод) — полупроводниковый диод, содержащий р—л-переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие Т, д. основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенн- барьер благодаря квантовомеханич, процессу туннелирования (см. Туннельный эффект). Поскольку вероятность туннельного просачивания электронов через барьер в значит, мере определяется шириной области пространств, заряда в р — -переходе, Т. д. изготовляют на основе вырожденных полупроводников (с кон-центрагшей примесей до Ю - —10 м ). При этом получается резкий р—п-переход с толщиной запирающего слоя [c.174]

Не равная нулю вероятность обнаружения квантового осциллятора на промежутке [х, х + (1х] равна фп х) (1х. Отсюда следует возможность просачивания квантового гармонического осциллятора, обладаюш его волновыми свойствами, за пределы классически дозволенной области I X I < Хщах, ограничиваюш ей потенциальный барьер. [c.485]

Слой зарядов, адсорбированных на поверхности твердого вещества или жидкости, вызывает изменение потенциала между этой поверхностью и другой фазой, с которой она находится в контакте. Если окажется, что вероятность адсорбирования на границе раздела частиц одного знака значительно больше, чем другого, а просачивания заряженных частиц через границу раздела не происходит, то возникает адсорбционный потенциал. [c.82]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...