Уровни антисимметричные (а) н симметричные

Описанные выше собственные колебания молекулы СО2 используются в газовом лазере на углекислом газе. Упрощенная схема энергетических уровней молекул СОа и азота Na, входящих в состав газовой смеси лазера, приведена на рис. 8.4. Электронный поток газового разряда возбуждает с большой эффективностью колебания, соответствующие наинизшему уровню молекул азота Еу. Частота этих колебаний близка к частоте соа антисимметричных колебаний молекулы Oj. В результате неупругого столкновения молекул Na и СОа происходит возбуждение антисимметричного колебания СОа и молекула переходит на энергетический уровень а- Этот уровень метастабилен. С него возможны переходы на более низкий возбужденный уровень симметричного колебания 3 и второй возбужденный уровень деформационного колебания 4. Уровни 3 и 4 близки, между ними в результате неупругого взаимодействия молекул существует сильная связь. Деформационные колебания молекулы СО легко передают свою [c.293]

Вычисления (см. ниже) дают, что энергия W - eW, соответствующая антисимметричному решению, меньше, чем энергия W - -eW, соответствующая симметричному решению (при том же п). Это значит, что уровень энергии, соответствующий антисимметричному решению, лежит глубже — состояние более устойчиво. [c.158]

СОСТОИТ из двух совпадающих уровней — одного симметричного и одного антисимметричного по отношению к инверсии [т. е. из уровней (+) и (—)]. В большинстве задач можно не обращать внимание на то, что существуют два уровня, а не один. Но если барьер низкий, как, например, в случае молекулы КНз, то существует удвоение (инверсионное), и надо учитывать характер уровней (-]-) или (—) (см. [23], фиг. 120, стр. 442). Если молекула плоская, то каждый уровень имеет характер либо (+), либо (—), но этот характер уже учтен в других свойствах симметрии, по крайней мере когда для описания вращательных или колебательно-вращательных уровней используется полная группа симметрии. [c.95]

Так же как и в случае диполей, при взаимодействии двух атомов снимается вырождение и совпадающие атомные уровн расщепляются. Энергия одного уровня понижается, а другого-повышается по сравнению с невозмущенными атомными уровнями. Понижение одного из молекулярных уровней показывает, что при сближении атомов и перекрывании волновых функций валентных электронов общая энергия системы понижается, что соответствует возникновению сил притяжения между атомами. Так как Э<1, то нижний молекулярный уровень описывается симметричной комбинацией атомных орбит i i=i a + i 6, а верхний — антисимметричной. Поскольку 5>0, Ё]< 2—Еа (с Зедовательно, верхний уровень /Гг повышается быстрее, чем понижается нижний Е ). [c.25]

Лазер на смеси 02-N2-He (А, = 10,6 мкм, дальний ИК-диапазон) является самым мотцным из газовых. Он относится к классу молекулярных лазеров и работает на низкоэнергетических колебательно-вращательных уровнях (рис. 17.7, л), то ссть уровнях, энергия которых обусловлена движением составляющих молекулу атомов, а не возбуждением электронов. Накачка осуществляется электронным ударом и передачей возбуждения от молекул на долгоживущий 001-уровень антисимметричной моды колебаний. Излучение генерируется при переходах молекулы СО на симметричные (001-100) или на деформационные колебания удвоенной частоты (001-020). [c.263]

В начале 1980-х годов Дью и Уинтни из военно-морской исследовательской лаборатории наблюдали охлаждение углекислого газа СО2 на один градус в области луча накачки диаметром 1 см, проходившего сквозь цилиндр с газом, температура стенок которого поддерживалась равной 600 К [5]. Колебательный переход (100) (001) накачивался при помощи СО2 лазера мощности 300 Вт на длине волны 10,6 мкм. Охлаждение достигалось благодаря антистоксовой эмиссии на длине волны 4,3 мкм при переходах из антисимметричного состояния (001) в основное колебательное состояние (ООО). При установлении теплового равновесия происходит заселение симметричного состояния (100), которое затем опустошается при лазерной накачке. Процессу теплового перераспределения населённостей содействуют три фактора близость к резонансу первого обертона (010), постоянная температура окружения 600 К, добавление к СО2, парциальное давление которого 64 мТорр, инертного газа Хе, парциальное давление которого равно 0,2 Topp. В качестве буферного газа ксенон выгоден своей малой теплопроводностью, а также тем, что он слабо влияет на девозбуждение молекул СО2, находящихся в состоянии (001). Парциальное давление буферного газа подбиралось опытным путём из условия наиболее оптимального режима охлаждения. В отсутствие буферного газа давление двуокиси углерода устанавливалось на такой уровень, когда только начиналась девозбуждение состояния (001) в результате частых столкновений молекул. Это определяло плотность СО2, что, в свою очередь, задавало диаметр кюветы с газом, который составлял 127 мм, с той целью, чтобы сделать минимальным перепоглощение излучения на длине волны 4,3 мкм. Внутренние стенки цилиндра были выкрашены в чёрный цвет, чтобы избежать отражения излучения обратно в среду. Изменение температуры фиксировалось по изменению осевого давления при помощи ёмкостного манометра. В целом, форма снятой кривой зависимости изменения температуры от парциального давления буферного газа подтверждала наличие охлаждения. [c.48]

Отсутствие инфракрасного вращательного спектра (дипольного) у молекул с симметрие11[ не обладающих собственным дипольным моментом, нужно рассматривать как результат невозможности одновременного выполнения правил отбора -->— и симметричный уровень ч—антисимметричный уровень (см. фиг. 4). [c.32]

Две функции нри К = О относятся соответственно к тинам S+ и 2 и сохраняют эти типы независимо от меры электронно-колебательного взаимодействия. Моягао показать, что даже в более высоком приближении функции зависят только от потенциальной функции F+ (или только от V ) и совершенно не зависят от F" (или от F+) и соответственно что гро зависит только от V (или только от F+). По аналогии хочется предположить, что при К = i первая пара функций г]) " и t i i принадлежит к F+, а вторая пара и xIjIj — к F" (или наоборот). Но, так как каждая пара вместе представляет целиком электронно-колебательное состояние П (К — 1), она не может быть симметричной или антисимметричной по отношению к операции отражения в нлоскости, проходящей через межъядерную ось, т. е. к одновременному изменению знаков нри v и ф, II потому не принадлежит полностью ни той, ни другой потенциальной функции. Существуют ненулевые матричные элементы возмущения (1,35) между (нри данном v ) н i Ji (при другом V2), т. е. каждый электронно-колебательный уровень П зависит н от F и от F . Такие же выводы получаются в отношении электронно-колебательных уровней Д, Ф,. ... Тем не менее в очень грубом первом приближении часто можно отнести функции к одной потенциальной кривой (скажем, F+), ai j - к другой (скажем, к F ). [c.36]

Если одно из двух колебаний, а именно антисимметричное (скажем, возбуждено четным числом квантов, то уровни относятся к типу А, а если нечетным, то — к типу А ". В действительности каждый уровень трижды вырожден, так как обязательно должны существовать три идентичных минимума. Этим вырождением, обыч1[о не рассматриваемым в жестких молекулах, нельзя пренебрегать, изучая корреляцию с уровнями симметричной конфигурации. [c.63]

ЧТО положительной является поочередно то верхняя, то пижняя компонента. Если уровень П соответствует однократному возбуждению деформа-ционпого колебания в электронном состоянии то верхние компоненты уровней С четными J являются отрицательными , а с нечетными — положительными , в то время как в электронном состоянии 2 наблюдается противоположный порядок. В электронно-колебательных уровнях I g, Пg, g,. . . симметричных молекул, т. е. в уровнях, у которых электронноколебательная собственная функция остается неизменной нри отражении в центре, положительные уровни симметричны и отрицательные антисимметричны (см. символы в скобках на фиг. 26), а в электронно-колебательных уровнях П , Лц,. .. наоборот. Отнотение статистических весов симметричных и антисимметричных уровней определяется отношением [c.74]

Внешняя оболочки (см. рис. 5.18, б, в) несколько увеличивает уровень поля в зоне тени. Это связано как с распространением волн по этой оболочке, так и в промежутке между внутренней и внешней оболочками, как в волноводе. Обратим внимание также на резкий минимум при в 40° на рис. 5.18, г. Он является следствием уменьшения коэффициента прохождения звука через пластхмассовую пластину вследствие взаимодействия продольных (симметричных относительно срединной поверхности) и изгибных (антисимметричных) волн. Аналогичные кривые для гшастины показаны на рис. 81 работы [63]. [c.286]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...