Релаксация излучательная

Наличие как излучательной, так и безызлучательной релаксации, последняя из которых определяется уравнением (2.120), приводит к тому, что населенность верхнего уровня N2 изменяется во времени в соответствии со следующим уравнением [c.70]

Рис. 2.17. Излучательные переходы и релаксация в молекулах красителя.

Прямые экспериментальные исследования скоростей МБР в стеклах и кристаллах обычно построены на том, что наблюдаемое время жизни -го возбужденного уровня РЗ-иона т,- определяется суммой двух видов релаксаций с этого уровня — излучательной и безызлучательной [c.46]

И О связаны процессами безызлучательной или излучательной релаксации. [c.46]

Метод матрицы плотности в дальнейшем усиленно развивался, в особенности при изучении ядерной магнитной релаксации [5—10]. Мы ограничимся рассмотрением разбавленных систем, в которых энергия взаимодействия между частицами значительно меньше расстояний между энергетическими уровнями, а также гораздо меньше разностей между этими расстояниями для одной частицы. Случай эквидистантных уровней рассматриваться не будет. Эти предположения обычно выполняются в оптической области спектра, а иногда и в СВЧ области для разбавленных парамагнитных материалов. Широта области, в которой гамильтониан случайных взаимодействий имеет постоянную спектральную плотность, обычно превышает ширину линий отдельных переходов. Эти переходы связаны с излучательными и безызлучательны-ми процессами, при которых происходит поглощение или излучение фотонов и (или) фононов. Взаимодействие со случайными (тепловыми) полями излучения и колебаниями решетки включает эффект спонтанной эмиссии. Если воспользоваться терминологией теории магнитной релаксации, то рассматриваемый случай относится к модели быстрого движения в изотропной среде . В этом случае влияние гамильтониана случайных взаимодействий на движение матрицы плотности описывается феноменологическими параметрами затухания. [c.384]

В-во, приведённое к.-л. образом в инверсное состояние, неизбежно возвратится в равновесное состояние — релаксирует (см. Релаксация). При этом избыточная энергия выделяется в виде фотонов (излучательные переходы) или переходит в тепловую энергию (безызлучательные переходы). Спонтанное испускание фотонов в процессе релаксации явл. сущностью люминесценции. Свет люминесценции, распро- [c.338]

Другой практически важной задачей является изучение процессов релаксации (излучательной или безызлучательной) на низко расположенных уровнях, заселяемых в результате излучательных переходов с более высоких уровней. Прямое исследование путем наблюдения излучения, соответствующего этой релаксации, не всегда возможно, так как даже если это излучение имеется, оно расположено в труднодоступной длинноволновой области. Здесь можно думать о применении косвенных методов, например об исследовании кинетики так называемого возбун -денного поглощения , т. е. поглощения при переходе с возбужденных уровней на более высокие, или кинетики относительно коротковолновой люминесценции, возбунедаемой двуквантовым путем, причем промежуточным уровнем должен быть уровень, релаксация на котором изз чается. Подобные двуступенчатые процессы ( суммирование квантов ) наблюдались в течение последних двух лет в ряде систем [22] в связи с выяснением возможности реализации схемы счетчика фотонов, предложенной Бломбергеном. В частности, в наших работах, помимо воспроизведения ряда известных систем на основе фторидов, наблюдалось суммирование кван- [c.96]

В процессе релаксации возможны излучательные переходы с квазиуровней, и в спектре люминесценции наблюдаются максимумы, разделённые интервалами nh i Q. Поскольку процессы LO-релаксации идут весьма быстро (т 10 11—10 с), интенсивность Г. л. обычно очень мала. Самый низкий уровень акситона, достигаемый при LO-релаксации, имеет значительно большее время жизни, т, к. дальнейшая релаксация возможна лишь с участием акустич. фопонов и идёт значительно медленнее. Поэтому Г. л. с нижнего уровня существенно интенсивнее, чем с более высоких (горячих) уровней экситона. [c.517]

В самом деле, пусть в момент времени t = О на верхнем уровне находится N2(0) атомов и пусть V — объем, занимаемый средой. В соответствии с (2.122) Л г/тспонт представляет собой число атомов, совершающих излучательную релаксацию в единичном объеме за единицу времени. Следовательно, мощность спонтанного излучения будет равна [c.71]

Посмотрим теперь, что происходит, когда на молекулу действует электромагнитное излучение. Прежде всего папомппм, что правила отбора требуют, чтобы А5 = 0. Следовательно, син-глет-синглетные переходы являются разрешенными, а синглет-триплетные—запрещенными. Поэтому благодаря взаимодействию с электромагнитным излучением молекула может перейти из основного состояния 5о на один из колебательных уровней состояния Si. Поскольку вращательные и колебательные уровни являются неразрешенными, спектр поглощения будет представлять собой широкий бесструктурный переход, что и видим на рис. 6.29 для родамина 6G. Важная особенность красителей состоит в том, что они имеют чрезвычайно большую величину ди-польного матричного элемента ц. Это объясняется тем, что л-электроны свободно движутся на расстояниях, сравнимых с размером молекулы а, а поскольку а — достаточно большая величина, ц также велико (ц еа). Отсюда следует, что сечение поглощения а, которое пропорционально также велико ( 10 см ). Молекула в возбужденном состоянии релакси-рует за очень короткое время (безызлучательная релаксация, Тбезызл 10 с) на самый нижний колебательный уровеньсостояния 5ь С этого уровня она совершает излучательный переход на некоторый колебательный уровень состояния So (флуоресценция). Вероятность перехода определяется соответствую- [c.390]

Наблюдение антистоксова охлаждения молекул газа и жидкостей также оказалось небезуспешным. В 1981 году диоксид углерода, находящийся под низким давлением, был лазерно охлаждён с 600 К до 599 К [5]. Эксперимент проводился при оптической накачке 10,6 мкм СО2 лазером. В процессе охлаждения принимали участие переходы между симметричным и антисимметричным вибрационными состояниями. Ввиду переходов с излучательной релаксацией антисимметричной моды в основное колебательное состояние, которые были весьма вероятны, термическая населённость опустошённой основной симметричной моды, поддерживаемой некоторым запасом газа Хе, охлаждала смесь СОз-Хе. [c.120]

Спектроскопия фотолюминесценции твердых тел методически основана на измерении спектра вторичного свечения при фиксированном спектральном составе возбуждающего света и на измерении спектра возбуждения фотолюминесценции, когда приемник регистрирует вторичное излучение в узком спектральном интервале и измеряется зависимость сигнала от частоты возбуждающего света. В первом методе измеряемый спектр определяется главным образом силой осциллятора и временем жизни излучающих состояний, энергетически расположенных вблизи края фундаментального поглощения, и косвенно процессами энергетической релаксации горячих возбужденных состояний. Во втором методе в первую очередь получается информация о спектре и силе осциллятора (но не о времени жизни) электронных возбуждений в энергетической области выше края поглощения. Вклад в фотолюминесценцию полупроводников могут вносить различные механизмы излучательной рекомбинации, такие как зона—зона , зона—примесь , донор—акцептор , с участием фонона, излучение свободных, связанных или локализованных экситонов, а также экситон-поляритонная и биэкситонная рекомбинации. Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами имеет свои характерные особенности. В частности, низкотемпературная люминесценция нелегированных квантовых ям обычно связывается с излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных на шероховатостях интерфейсов и флуктуациях состава. Дело в том, что в реальности интер- [c.134]

Температурное уширение квазилиний обусловливается изменением упругих постоянных, ангармонизмом колебаний, неадиабатичностью и зависимостью силы осциллятора электронного перехода от колебаний. Последний фактор уменьшает время жизни электронного состояния и соответственно уширяет линии по сравнению с первоначальной радиационной шириной. Изменение упругих постоянных (точнее, та часть его, которая приводит к перепутыванию нормальных координат кристаллических колебаний, т. е. к изменению осей системы нормальных координат кристаллических колебаний ири электронном переходе) и ангармонизм колебаний (точнее, ангармонические члены связи между колебаниями, обусловливающие релаксацию) приводят к температурным уширениям, которые можно для наглядности сопоставить временам колебательной релаксации. Характерные времена колебательной релаксации меньше электронных времен кизни в 10 —10 раз уже для разрешенных излучательных электронных переходов. Поэтому увшрения, обусловленные изменением упругих постоянных и ангармонизмом, играют обычно преобладающую роль. [c.26]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...