Вакансии

Одним из видов несовершенств кристаллического строения является наличие незанятых мест в узлах кристаллической решетки, или иначе — вакансий, или атомных дырок (см, рис. 7,а). Такой точечный дефект решетки играет важную роль при протекании диффузионных процессов в металлах (подробнее см. в гл. ХП1. п. 1). [c.28]

Число вакансий при комнатной температуре очень мало по сравнению с общим числом атомов (примерно 1 вакансия на 10 атомов), но сильно увеличивается с повышением температуры, особенно вблизи температуры плавления 1 вакансия на Ю" атомов). [c.28]

Некоторые виды воздействий (облучение радиоактивными частицами, поверхностное трение и т. д,) могут увеличить число вакансий, т, е, разрыхлять металл. При этом в некоторых экстремальных случаях (показано Л, М. Рыбаковой) может достигать 1—3 вакансии на 100 атомов. [c.28]

U — вакансия б — замещенный атом в — внедренный атом [c.29]

Таким образом, правильность кристаллического строения нарушается двумя видами дефектов — точечными (вакансии) и линейными (дислокациями). [c.30]

Вакансии непрерывно перемещаются и решетке, когда соседствующий с ней атом переходит в дырку , оставляя пустым свое старое место. Повышение температуры, тепловой подвижности атомов увеличивает число таких актов и увеличивает число вакансий. [c.30]

Линейные дефекты не двигаются самопроизвольно и хаотически, как вакансии. Однако достаточно небольшого напряжения, чтобы дислокация начала двигаться, образуя плоскость, а в разрезе — линию скольжения С (рис. 11). [c.30]

Таким образом, реальный металлический кристалл содержит атомно-кристаллические (вакансии, дислокации) и структурные (блоки, фрагменты) несовершенства. [c.33]

Первые, т. е. вакансии и дислокации, распределены неравномерно, и они собираются на границах зерен, фрагментов и блоков. [c.33]

Свойства кристаллов данного металла связаны с многими факторами его внутреннего строения — содержанием (плотностью) вакансий и дислокаций, с их расположением дислокационной структурой), с размерами и разориентировкой блочной структуры (тонкой структурой). [c.34]

При превращении аустенита в перлит по диффузионному механизму рост кристаллов новых фаз сопровождается оттеснением дефектов строения к границам зерен, другими словами, дефекты (дислокации, вакансии, примесные атомы), ранее располагавшиеся по границам аустенитных зерен, перераспределяются на границы ферритных (перлитных). [c.239]

Атом, расположенный в междоузлии решетки, называется дислоцированным атомом (рис. 258), а узел в кристаллической решетке, не занятый атомом, называется, как уже говорилось в гл, I, вакансией. Для атомов вокруг вакансии или дислоцированного атома нарушается равномерность окружения атома- [c.320]

Гипотетический механизм гетеродиффузии, который аналогичен механизму самодиффузии, описан Я- И. Френкелем и в настоящее время является общепринятым. Если по соседству с атомом А (рис. 258) имеется вакансия (дырка), то он может легко переместиться со своего места в дырку на место атома А встанет атом В, на место атома В — атом С и т. д. Одновременно с перемещением атомов происходит как бы перемещение дырки . [c.321]

Кристаллические решетки зерна могут иметь различные структурные несовершенства точечные, линейные и поверхностные, которые возникают в результате образования вакансий — мест не занятых атомами дислоцированных атомов, вышедших из узла решетки дислокаций, возникающих при появлении в кристалле незаконченных атомных плоскостей примесных атомов, внедренных в кристаллическую решетку. [c.7]

Вакансии в катионной подрешетке. . .. KD- [c.35]

Вакансии в анионной подрешетке. . .. Аа+ [c.35]

В кристаллах с занятыми междоузлиями следует ожидать более высоких, а в кристаллах с вакансиями — более низких средних значений постоянной решетки, чем в кристаллах с идеально заполненной решеткой, [c.38]

Если для тонкой пленки из полупроводника р-типа — концентрация катионных вакансий (образующихся на внешней поверхности по схеме, приведенной на рис. 29), Wyi — энергия, необходимая для перемещения положительного иона из /4 в 5 (рис. 29), а N — количество отрицательных ионов на единицу поверхности, то [c.53]

Таким образом, при наличии высокого градиента потенциала (у очень тонких пленок) прямая пропорциональность между скоростью перемещения ионов и полем сменяется экспоненциальной зави- Рис. 29. Схема образования симостью. катионных вакансий при [c.53]

Когда металл образует ряд окислов, то наивысший окисел обычно является проводником м-типа, а наи-низший — проводником р-типа. Если диффузия осуществляется через вакансии, а не через междоузлия, то катионы диффундируют во внутреннем, а анионы в наружном слое по направлению к поверхности раздела между двумя слоями, где происходит во многих случаях образование нового окисла. [c.69]

Число катионных вакансий при этом уменьшится, снизится скорость Диффузии катионов через окисную пленку, что приведет [c.84]

Последний эффект повышения жаростойкости металлов очень малыми добавками легирующих элементов может иметь место при любой валентности их ионов, в том числе и при п" > п (рис. 55), и может быть объяснен протеканием реакции заполнения вакансий катионами легирующей добавки, которое, очевидно, преобладает при концентрациях легирующих элементов в окисле,, близких к концентрации дефектов в чистом окисле основного металла [c.86]

При существенно большей концентрации легирующего элемента с п > п преобладает процесс образования вакансий по вагнеровскому механизму с соответствующим ростом скорости окисления (175) [c.86]

Если предположить, что последний процесс начнет протекать только при концентрации легирующего элемента в окисле Сок, большей, чем концентрация вакансий в окисле нелегированного [c.86]

Таким образом, область концентраций легирующего элемента, в которой наблюдается снижение скорости окисления металла, тем шире, чем ниже валентность катиона легирующей добавки. Одновременное протекание процессов образования вакансий по вагнеровскому механизму и заполнения этих вакансий катионами легирующей добавки во всем интервале концентраций малых добавок легирующих элементов должно несколько уменьшить величину максимального снижения скорости окисления металла и расширить область концентраций, в которой это снижение наблюдается. [c.87]

К самопроизвольным процессам, которые приводят пластически деформированный металл к более устойчивому состоянию, относятся снятие искажения кристаллической решетки и другие В1нутризеренные процессы и рост зерен. Первое е требует высокой температуры, так как при этом происходит незначительное перемещение атомов. Ул<е небольшой нагрев (для железа 300— —400°С) снимает искажения решетки (как результат многочисленных субмн кролроцессов — уменьшение плотности дислокаций в результате их взаимного уничтожения, так называемая аннигиляция, слияния блоков, уменьшение внутренних напряжений, уменьшение количества вакансий и т. д.). Линии на рентгенограммах деформированного металла, размытые вследствие искажений решетки и нарушений се правильности, вновь становятся четкими. Снятие искажений решетки в процессе нагрева деформированного металла называется возвратом, или отдыхом. В результате этого процесса твердость и прочность несколько понижаются (па 20— 30% по сравнению с исходными), а пластичность возрастает. [c.86]

При наличии таких несовершенств зерно разделяется на блоки и имеет структуру, которая называется микромозаичиой. Отдельные мозаики повернуты относительно друг друга на небольшой угол ( 1°). Решетки соседних блоков не совпадают по ориегггации, что приводит к нарушению правильности решеток. Причина возникновения вакансий и дислокаций — нарушение правильности порядка [c.7]

Эти вакансии могут перемеш,аться в решетке, а их существование обусловливает перемещение как катионов, так и анионов, при этом + а = 1 и Як = а- К ЭТОМу ТИПу ОТНОСЯТСЯ ТЭКИб соединения как Na l, КС1 и др. [c.36]

Катионы способны перемещаться по катионным вакансиям, а электроны по электронным дыркам (катионам более высокой валентности) при этом п,( + /г = 1. К этому типу относятся такие соединения, как NiO, FeO, СоО, ujO и др. [c.37]

Перемещение анионов осуществляется по анионным вакансиям, а электронов —в междоузлиях, при этом + Пд = 1. К этому типу относятся такие соединения, как а = FejOg, TiOj и др. [c.37]

Таким образом, примеси dBr. в AgBr уменьшают перемещение катионов через междоузлия и увеличивают через вакансии [c.38]

Энгелла— Хауффе Диффузия вакансий (пространственные заряды) Окислы п-типа (100— 1000 А) — — [c.82]

Однако 3ta теория игнорирует возможность занятия ионами до-бавки катионных вакансий в полупроводниковых окислах с недостатком металла до тех пор, пока эти вакансии не будут замещены полностью это более вероятно, если радиус иона добавки /"i меньше радиуса иона основного металла Гг, например при введении магния (г,- = 0,78 А) в железо, окисляющееся до FeO (г,- = = 0,83 А). В подобных случаях возможно существенное уменьше- [c.86]

Упрочняющие окислы влияют на жаростойкость упрочняемых металлов, находясь в исходном или растворенном виде в окалине, образующейся на композиции при ее окислении. Иногда они присутствуют на границе материал — окалина и препятствуют стоку катионных вакансий из окалины в материал, способствуют скоплению вакансий, возникновению микрополостей на границе раздела материал— окалина и росту окалины внутрь по механизму Мровеца —Вербера (см. с. 74), что приводит к образованию двухслойной окалины. [c.110]

Металловедение (1978) -- [ c.28 ]

Физика твердого тела (1985) -- [ c.85 , c.87 ]

Физические основы пластической деформации (1982) -- [ c.27 ]

Термодинамика (1984) -- [ c.372 ]

Теория сплавов внедрения (1979) -- [ c.42 ]

Основы конструирования Справочно-методическое пособие Кн.3 Изд.2 (1977) -- [ c.172 , c.290 , c.293 ]

Металловедение и термическая обработка Издание 6 (1965) -- [ c.20 ]

Коррозия и защита от коррозии (2002) -- [ c.24 , c.25 , c.116 , c.267 ]

Металлургия и материаловедение (1982) -- [ c.20 ]

Физическое металловедение Вып I (1967) -- [ c.199 , c.200 , c.202 ]

Физическое металловедение Вып II (1968) -- [ c.25 , c.27 ]

Технология металлов Издание 2 (1979) -- [ c.121 ]

Теория сварочных процессов Издание 2 (1976) -- [ c.23 ]

Магнитные осцилляции в металлах (1986) -- [ c.450 , c.460 ]

Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.89 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...