Вакансии относительная атомная концентрация

В (16,12) и (16,13) введены относительные атомные концентрации атомов С и вакансий в первой и второй фазах (по отношению к числам и N 2 атомов металла А, [c.193]

Значительное число, внедренных атомов металла, образующего кристалл, может возникнуть в том случае, если кристалл облучается частнцами, несущими достаточную энергию для образоваппя пар вакансий п внедренных атомов. Большие концентрации чужеродных внедренных атомов могут быть получены в тех случаях, когда в кристаллическую решетку внедряются атомы, имеющие относительно малый атомный объем. [c.38]

УСТАЛОСТЬ — изменение состояния металла в результате многократного повторного (циклического) деформирования, приводящее к его прогрессивному разрушению. Процесс У. разделяется на две основные стадии в 1-й — накопление необратимых изменений, приводящих к возникновению трещины, во 2-й — развитие трещины. В первой стадии до образования трещин происходит сначала накопление субмикроскоцич. и микроскопич. изменений, выражающихся в перемещениях дислокации, концентрации вакансий и образовании ско-пьжения пачек атомных слоев в кристаллах друг относительно друга. Эти скольжения, происходящие по кристаллографич. плоскостям наименьшего сопротивления сдвигу, могут приводить к экструзиям, т. е. выползанию пачек атомных слоев из поверхности кристалла. Накопление внутри кристаллич. скольжений, развивающихся в отдельных кристаллах, наблюдается микроскопически в виде системы линий сдвигов и двойников. [c.382]

По мере роста температуры число дефектов начинает увеличиваться и из-за коллективного взаимодействия межузельных катионов с катионами, остающимися в узлах решетки (они как бы вытягиваются со своих мест). Под влиянием тепловых колебаний кристаллической решетки происходят и обратные перескоки катионов из межузлий в узлы и поскольку эти точечные дефекты имеют энергию, примерно на порядок превышающую энергию тепловых колебаний решётки, их равновесная концентрация невелика. Однако эта концентрация может быть выше равновесной (например, после закалки). Такой пересыщенный твердый раствор точечных дефектов может распадаться, причем вакансии конденсируются (объединяются) в диски (рис. 4.10), которые по достижении критических размеров, из-за взаимного притяжения атомных плоскостей, схлопываются, внося искажения в решетку кристалла. Например, при схлопывании однослойного диска (рис. 4.11) в кристалле с гексагональной структурой атомные плоскости смещаются на половину вектора трансляции (под термином трансляция понимают поступательное перемещение одной части монокристалла относительно другой без искажения его решетки). Трансляция выражается вектором, перпендикулярным атомным [c.81]

Полагают, что тривакансии и большие комплексы будут образовываться при миграции дивакансий и поэтому их концентрация увеличивается с увеличением концентрации дивакансий. Относительное количество вакансионных комплексов уменьшается с увеличением скорости закалки и с уменьшением температуры закалки. Наиболее простая идея образования первоначальных скоплений вакансий заключается в том, что при столкновении больших дефектов происходит образование зародышей трехмерных пустот, так как вероятность столкновения таких дефектов на одной атомной плоскости очень мала. Ббльшая вероятность образования плоских зародышей ожидается, когда сталкиваются меньшие дефекты. Уменьшение плотности пустот и увеличение плотности дислокационных петель при увеличении скорости закалки может быть объяснено описанным эффектом, а не только влиянием температуры старения. [c.124]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...