Съемка на отражение

При съемке на просвет с помощью ПЭМ можно исследовать очень тонкие объекты (10 —10 мм). При съемках на отражение глубина проникновения составляет 3,0—20,0 нм, что даст возможность исследовать чрезвычайно тонкие пленки (например, оксидные) на поверхности металлов. Разрешение, контраст п достоверность исследований в значительной мере определяются правильностью приготовления образцов методом реплик, несущих характерные особенности исходных материалов. [c.495]

Электронограммы можно получать двумя способами, съемкой на просвет и съемкой на отражение. Съемка на просвет требует предваритель- [c.22]

Наконец, очень ценные и, главное, прямые данные о фазовом составе и состоянии гребней рельефа на поверхности протравленного шлифа дает электронно-дифракционная съемка на отражение (точнее — на просвет тонких выступов) при очень малых (< 1 град.) углах падения электронного пучка. [c.33]

Окончательной проверкой качества подготовки образца является анализ электронографической картины, получаемой при съемке на отражение от поверхности образца. Электронограмма должна показать (рис. 2.15) отсутствие на поверхности как следов оксидов, так и каких-либо продуктов травления, могущих исказить рельеф и загрязнить препарат. [c.38]

Электронографический метод используют для определения состава и структуры пленок путем съемки на отражение или на прохождение через тонкие прозрачные пленки, отделенные с поверхности металла. [c.38]

Хотя иногда для исследования металлических поверхностей применяют метод съемки на отражение, обычно микроскопы используются как просвечивающие приборы с конденсором, объективом и проектором, аналогичными используемым в биологическом микроскопе (фиг. 14). Как следствие в методику проведения эксперимента обычно входят способы приготовления тонких образцов или реплик подходящей для электронов прозрачности. [c.377]

Э. поверхностных слоев. При съемках на отражение глубина проникновения электронов в вещество [c.509]

Возможность электронографической съемки на отражение предусмотрена и в ряде электронных микроскопов, но связана с серьезной переналадкой прибора. [c.169]

Электронографическая съемка на отражение является строгой проверкой чистоты поверхности, подготовленной для дальнейшего исследования в электронном микроскопе. Присутствие осадков продуктов травления или коррозии обнаруживается или по появлению соответствующих отражений, или по усилению диффузного фона и ослаблению основных отражений. Образец для съемки на отражение удобно иметь с плоской гранью, размером в направлении пучка 4—10 мм. [c.172]

Оттенение рельефа не только повышает контрастность изображения, но и делает возможным определение впадин и выступов. Если оттеняется негативный слепок, то тени (на изображении — светлые) ложатся около впадин и внутри выступов на позитивном слепке так же, как и при оттенении рельефа прямо на образце, наблюдается обратная картина. Зная угол оттенения и измеряя длину теней , можно оценить высоту выступов и глубину впадин, что особенно важно для параллельно проводимого электронографического изучения той же поверхности съемкой на отражение . [c.173]

Рис. 19. Схема светосильной фокусировки а—съемка на отражение , б—съемка на просвет

В таблице приведены значения толщины слоя, поглощающего половину падающего излучения при съемке па прохождение и 75% излучения при съемке на отражение, для различных материалов и излучений. Толщина слоя приведена в мм. [c.37]

График применим для достаточно толстых образцов, как правило, при съемке на отражение. [c.95]

Возникающие затруднения решаются следующим образом. В исследуемой точке поверхность металла зачищается и травится кислотой. Далее, на очищенную поверхность (обычно электролитически) наносятся кристаллы какого-либо другого металла. При исследовании стальных конструкций для этой цели используется чаще всего золото. При съемке на пленке получаются линии рентгеновских лучей, отраженных от кристаллов железа и от кристаллов золота. Поскольку кристаллы золота нанесены электролитически, они не напряжены, и расстояние между атомами в кристаллической решетке золота можно считать известным. Поэтому из уравнения Брегга (14.7) определяется угол О для золота. Если же на проявленной пленке замерить расстояние 2Л между линиями золота, то из выражения (14.8) можно с высокой степенью точности найти и искомую величину а. Таким образом, эта величина определяется косвенно путем обмера линий на пленке. Однако последняя операция также представляет известные трудности. [c.489]

Рис. 5.18. Схемы съемки в фокусирующей камере с применением монохроматора а — на отражение, 6 — на просвет)

Кинограммы выбраны из начала, середины и конца фильма частота съемки 5000 кадр/с. В промежуток времени между первым и вторым кадрами нижней кинограммы образуется тонкая струйка, ударяющаяся с высокой скоростью о стенку. Обратите внимание на отражение пузырька в стенке. Фотографии в натуральную величину. [c.412]

При съемке в условиях освещения источниками искусственного света определяют максимальную освещенность сюжетно-важного объекта съемки. При этом измеряют свет от основного осветительного прибора (фотоэкспонометр непосредственно от объекта съемки направляют матовой поверхностью на основной источник света). Экспонометрическое определение освещенности позволяет получить на негативе нормальную среднюю плотность 0,85—1,0 при коэффициенте отражения света поверхностью объекта съемки, аналогичном отражению лица, равном 0,3. [c.158]

За последнее десятилетие все шире применяется многослойное просветление (как в отечественных объективах Волна ) В этом случае на поверхность линзы наносится последовательно несколько (например, семь) просветляющих пленок, различающихся своими толщинами и показателями преломления. Многослойное просветление позволяет устранять потери на отражение не для одного, а для нескольких значений длины волны и эффективно воздействовать на светопропускание в широкой области спектра. Это важно при съемке на цветную пленку, так как позволяет получить единообразную цветопередачу для всего комплекта сменных объективов, предназначенных для определенной модели фотоаппарата, независимо от того, какие марки стекол использованы в каждом из объективов. [c.40]

Ценные сведения, недоступные другим методам исследования, дает электронографическое исследование на отражение . Если предметом такого исследования является не пленка на поверхности объекта (например, окисная, которую, очевидно, нельзя нарушать перед съемкой), а сам образец, то его предварительно или легко шлифуют на тонкой наждачной бумаге или полируют и травят. В результате травления на поверхности шлифа образуется такой рельеф, что элект- [c.171]

В таблице приведены значения коэффициентов отражения рентгеновских лучей Р для ряда кристаллов-монохроматоров (/ — относительная интенсивность для Си/Са-излучения, й—оптимальная толщина кристалла при съемке на прохождение на медном излучении) 250]. [c.79]

В таблице приведены углы отражения и интервалы углов фокусировки Лд для некоторых кристаллов-монохроматоров при съемке на Мо-, Си-, Со-и Ре-излучениях для /Са-дублета [250]. [c.80]

Схемы дифракции рентгеновских лучей при съемке плоских образцов на прохождение и на отражение приведены на рис. ПО. 6 и — углы между дифрагированным пучком и нормалью к п юскости образца. [c.399]

Текстура образцов изучалась рентгеновским методом на дифрактометре ДРОН-0,5 с помощью приставки ГП-2 в отфильтрованном медном. излучении с использованием сцинтилляцион-но-го счетчика и дифференциальной дискриминации. Применялась схема съемки на отражение по методу Шульца [1]. Для анализа текстуры использовался метод, описаиный в работе (2]. Изучались распределения интенсивности рентгеновского отражения от плоскостей 0002 , 1010 , 1011 1120 (для определения текстуры а-фазы) и 220 , 200 , 211 и 222 (для о пре-деления текстуры 1р-фазы) в поперечных сечениях прутков. [c.44]

ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯ — метод исследования строения вещества, основанный на дифракции электронов. Особенности этого метода по сравнению с ])ентгенографией и нейтронографией 1) значительно более сильное (иа неск. порядков величины) взаимодействие электропов с веществом, в силу чего на просвет можно исследовать препараты толщиной Ю —10 см. При съемках на отражение глубина проникновения электронов в вещество 30—50 А. При исследовании строения молекул объектом является струя пара при низком давлении (неск. десятков м.и рт. ст.). 2) Возможность определять (значительно проще, чем в нейтронографии) положение легких атомов в присутствии более тяжелых (Н в присутствии В, С, N и т. д. N в присутствии Ге, С, У). [c.508]

Непосредственное исследование таких объектов проводят в электронографе, при съемке на отражение , в отражательном, эмиссионном и раствором электронных микроскопах. Вследствие сильного взаимодействия 5 лектронов с веществом (атомная амплитуда рассеяния электронов в среднем в 1000 раз больше, чем рентгеновых лучей) максимальная глубина проникновения электронов в образец не превышает нескольких микрон, Для фокусировки рассеянных электронов можно использовать лишь те из них, энергия которых лочти не изменяется при отражении от объекта. Это условие ограничивает допустимую глубину проникновения электронов до 10 см, что достигается применением малых углов падения электронов на объект до 2—4°. В связи с этим особое значение приобретает чистота исследуемой поверхности. Присутствие на ней даже малейших следов каких-либо загрязнений может совершенно исказить дифракционную картину или дать ложные эффекты на электронном изображении. [c.171]

Другая ценная возможность съемки на отражение — получение электронограммы, характеризующей фазовый состав и состояние в основном шриграничных зон зерен. Достигается это в тех случаях, когда границы зерен оказываются хребтообразными выступами, высота которых достаточна для экранирования поверхности от прямого пучка. [c.172]

В таблице приведены толщины слоя, поглощаю1цего 50% излучения при съедп е на прохождение и 75% излучения при съемке на отражение а — угол между первичным пучком и поверхностью (соответствующий углу при съемке по методу шлифа в дебаевской камере и на ионизационной установке). [c.39]

Особенность электронографического метода состоит в том, что электронный пучок рассеивается веществом приблизительно в I f раз сильнее, чем рентгеновские лучи, и проникновение электронов в вещество невелико в сравнении с рентгеновскими лучами. Максимальная толщина окисных пленок, поддающихся злектронографированию, при съемке на просвет, составляет около 100 нм. При съемке методом отражения (применяя касательный к поверхности пучок электронов) можно анализировать окисные пленки толщиной порядка 1 нм и даже обнаруживать наличие мономолекулярного окисного слоя, т.е. фиксировать переход от хемисорбции к окислению. Электронография позволяет изучать процесс зародышеобразования, а при электронномикроскопическом исследовании фольговых образцов — кристаллическую структуру неметаллических включений (микродифракция). Таким образом, чувствительность метода весьма высока, и основное достоинство его заключается в возможности исследования малых объемов вещества. [c.22]

Во всех известных автору работах по скоростной фоторегистрации распространения трещинь в металлических образцах съемку проводили в отраженHoiwf свете, причем образец имел зеркальную поверхность. Если поверхность образца имеет риски, ширина которых сопоставима с шириной трещины, то границы узкой трещины становятся размытыми. На рис. 42 представлены снимки остановившихся трещин, различной ширины, сфотографированных в одинаковых условиях фоторегистратором СФР при освещении шлифованной повфхности образца двумя лампами ИФК-2000. Как видно, по мере сужения трещины контуры ее становятся все более расплывчатыми, пока для самой узкой вообще становится невозможным установить ее присутствие. Таким образом, для съемки в отраженном свете необходимр, чтобы поверхность образца была обработана до зеркального состояния, что чрезвычайно удорожает и Усложняет подготовку образца, имеющего размеры 300x70 мм. [c.132]

Метод обратной съемки является разновидностью метода Дебая—Шеррера. Принцип его заключается в том, что источник излучения и пленка представляют собой практически одно целое. Вследствие высокой чувствительности съемки в отраженном излучении этот метод особенно пригоден для определения малейших изменений размеров кристаллической решетки образца. В соответствии с этим отраженное излучение прежде всего применяется для определения фазового состава твердых растворов, а также упругих напряжений. Преимуществом этого метода является то, что рефлексы и 2 наблюдаются раздельно (расщепление ван-Аркеля) и таким же образом можно проводить их измерения. Недостаток метода заключается в том, что из-за незначительной проникающей способности рентгеновских лучей может быть исследована лишь структура поверхности. Чтобы устранить возможные повреждения поверхности в результате механической обработки, ее перед началом съемки следует слегка протравить. На практике нашли применение две разновидности этого метода плоской пленки по Заксу и Вертсу и конусной пленки по Реглеру. Наиболее широко распространенным является метод плоской пленки, поэтому более подробно рассмотрим лишь этот метод. [c.152]

Проведенный анализ позволяет заключить, что вид и тип дислокационной структуры предопределяют выбор экспериментальных рентгеновских методов, которые дают возможность получить наиболее полную картину рассеяния рентгеновских лучей на рентгенограмме или дифрактограмме и провести вначале качественную интерпретацию данных, т. е. выявить возможный тип дислокационной структуры и оценить параметры, которые ее характеризуют. Затем определить характеристики и тип дислокационных структур, проводя съемку соответствующих отражений, выбранных после анализа соотношений между величинами, которые получены в результате измерений предварительной системы отражений. Наконец, использовав схему измерения оптимальных отражений, можно получить более полную информацию о параметрах дислокационной структуры и в ряде случаев — о распределении дислокаций по плоскостям скольжения и реализуемым в материале с данной кристаллической решеткой дислокационным системам. [c.276]

Поскольку каждый из способов измерения яркости —-интегральный и детальный — имеет свои достоинства, на мировом рынке появились модели аппаратов, в которых предусмотрены оба эти способа, и фотограф по желанию может выбрать один из них. Например, в фотоаппарате Лейка Н4 (рис. 39, д, е) полупрозрачное поворотное зеркало отражает в видоискатель 70 % светового потока, а остальную часть пропускает к пластинке /< перед шторным затвором, которая откидывается в момент съемки. Ребристая поверхность этой пластинки действует подобно линзе Френеля, но только не на пропускание света, а на отражение. Отраженный ею свет направляется к кремниевому фотодиоду 6, перед которым располагаются сменные светоограиичителн 14. Если установлен светоограничитель в виде трубки, то на фотоприемник попадает свет от всей площади кадра (рис. 39, д). Но если с помощью специального переключателя установить перед фотоприемником светоограничитель с линзой, то получается детальное измерение (рис. 39. е). [c.90]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...