Дислокация кольцевая

Займемся теперь вычислением энергии кольцевой дислокации. По формуле (14.5.1) [c.467]

Конечно, оценка величины с не настолько точна, чтобы следовало сохранять множитель 1,08, и линейную плотность энергии кольцевой дислокации можно определять по формуле [c.468]

Таким образом, линейная энергия кольцевой дислокации равна среднему значению энергии краевой и винтовой дислокаций в блоке, размер которого равен радиусу кольцевой дислокации. [c.469]

Очевидно, что кольцевая дислокация в ненапряженном теле существовать не может, энергия монотонно возрастает с возрастанием радиуса и не существует конечного значения радиуса, для которого энергия минимальна. Если в плоскости скольжения действует касательное напряжение То, условие равновесия дислокации будет следующим [c.469]

Источник может активизироваться снова либо при увеличении т, либо при разрушении препятствия, либо при переползании части петель вдоль лишнего слоя атомов в другие плоскости скольжения, где нет препятствий движению дислокаций. В последнем случае число дислокаций в скоплении упадет, уменьшится т и источник продолжит свою работу, пока снова не будет восстановлено условие (2.51). При наличии препятствий в виде включений примесей, лежащих в плоскости скольжения (рис. 2.19), дислокации при условии могут продавливаться между включениями, оставляя на них кольцевые петли. Эти петли также создают встречное напряжение в плоскости скольжения и, кроме того, уменьшают эффективное расстояние 1,, между включениями, увеличивая Ткр. [c.90]

На самом деле очень мало вероятности, чтобы препятствие имело кольцевую форму, притом с центром, совпадающим с источником. Кольца дислокаций при дальней- [c.151]

ЛИ методика нагружения через пластичну- деформируемую среду для изучения закономерностей контактной деформации приповерхностных слоев металлических монокристаллов, в частности монокристаллов Мо. Нагружение плоскости (100) монокристалла Мо с исходной плотностью дислокаций порядка см" проводилось в проточной среде аргона через пластичные прокладки из А1, Ag и Си в температурном интервале 20—300 С. Проведенные нами исследования [564] показали (рис. 103, 104), что основные закономерности генерации дислокаций в монокристаллической подложке из Мо при растекании по ее поверхности пластичной деформируемой среды (А1, Ag, Си) совпадают с ранее выявленными закономерностями контактной пластической деформации сочетания металл—полупроводник. С увеличением удельной нагрузки или температуры общая площадь сегментообразной или кольцевой области, занятой дислокациями, увеличивается в соответствии с изменением контактных напряжений. Кроме того, наблюдаемую в ряде случаев повышенную плотность дислокаций в центре контакта (рис. 103), по-видимому, можно объяснить с позиций конденсационной модели зарождения дислокаций (см. п. 4.3 и гл. 7). [c.173]

Образовавшаяся дислокационная петля под действием своего линейного натяжения может расти или сокращаться посредством лереползания. Вакансия, конденсирующаяся на такой кольцевой дислокации, увеличивает ее радиус и, следовательно, ее упругую [c.199]

Величина НЫг почти равна нанряя ению в выделившейся ча стице, возникшему за счет окружающей ее петли дислокации, и является также мерой напряжений в объемах матрицы, непосредственно окружающих частицу, так как петля занимает в матрице кольцевое пространство шириной, соответствующей радиусу частицы. Исходя из этого, можно определить стабильное число петель, постоянно находящихся вокруг частиц выделения для этого необходимо заменить Nbjr) G на t — среднюю прочность на сдвиг частиц выделения или матрицы, смотря по тому, какая величина ниже. Значение Тс существенным образом зависит от размера частиц, и для очень малых частиц, имеющих диаметр порядка ста или тысячи атомных размеров, t может быть порядка 10 G. В этом случае формула для определения напряжения, отвечающего упрочненному состоянию, может быть написана как Хп — kto (г/к) . В пределах допустимых приближений величина (г/Х) может быть принята равной / — средней объемной концентрации частиц выделений. Тогда уравнение примет вид [c.13]

Таким образом, один источник может породить любое количество кольцевых дислокаций выход каждой из них на поверхность означает сдвиг на величину вектора Бюргерса или одного междуатомного расстояния. Приведенная мбдель носит название модели Франка — Рида. Эта модель описывает неограниченную пластическую деформацию кристалла, не содержащего примесей и имеющего минимальное количество внутренних дефектов. [c.150]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...