Интенсивность малоуглового рассеяния

Основным методом изучения кристаллизации и фазового расслоения являются калориметрические измерения, описанные в разделе 4.3. Однако для детальных исследований структурных изменений, происходящих в процессе расслоения и кристаллизации на атомном уровне используются методы малоуглового рассеяния рентгеновского и нейтронного излучений. Пусть нормированная интенсивность малоуглового рассеяния равна /n(Q), тогда дисперсия среднего распределения колебаний плотности образца [c.102]

Рассмотрим теперь особую область рассеяния — под самыми малыми углами, т. е. вблизи направления первичного пучка. С экспериментальной точки зрения наблюдение и измерение интенсивности малоуглового рассеяния представляет особые трудности, так как требует специальной монохроматизации и фокусировки начального нучка и, далее, отделения истинного малоуглового рассеяния от самого этого пучка. Однако рассеяние под малыми углами позволяет для объектов любой упорядоченности определять их внешнюю форму [15]. [c.187]

Для доказательства спинодального распада необходим тонкий анализ кинетики процесса. Из теории следует определенная временная зависимость амплитуды волн (величины флуктуаций состава), которая может быть проверена с помощью малоуглового рассеяния рентгеновских лучей. Такая проверка (по временной зависимости интенсивности методом малоуглового расстояния) для системы А1 + 22% Zn при 65° С на начальной стадии процесса подтвердила спинодальный механизм распада в этом сплаве. Имеются также рентгеновские подтверждения и для других систем [149]. [c.221]

Для исследования фрактальных свойств кластеров, поверхностей микроскопических пор материалов и т.д. широко используются методы малоуглового рассеяния нейтронов и рентгеновского излучения, а также рассеяния света. В этих случаях интенсивность рассеяния излучения как функция угла рассеяния определяется выражением [40] [c.69]

Перспективным является применение СИ также в рентгеновской микроскопии. Наконец, отдельно следует сказать о перспективах использования СИ з связи с чрезвычайно малой расходимостью пучка. Это резко облегчает коллимацию, щелевую или точечную, при сохранении интенсивности. Малоугловой эксперимент как по диффузному, так и по дискретному рассеянию может быть выполнен с СИ на ранее недоступных объектах. [c.265]

Одним из наиболее представительных объектов для исследования фрактальных структур являются металлы и сплавы, особенно в условиях подвода к ним энергии. В процессе обмена энергией и веществом с окружающей средой в них формируются диссипативные структуры. Ершов и др. [47] экспериментально подтвердили образование фрактальных структур при взрыве конденсированных веществ. Они измеряли фрактальную размерность кластеров в порошке ультрадисперсных алмазов с помощью метода малоуглового рентгеновского рассеяния в области углов 7 -7° на длине волны а = 1,54 А. Зависимость интенсивности рассеянного излучения от переданного импульса q представлена на рис. 20. Участки кривых с наклоном, близким к (-4), отвечают рассеянию на отдельных частицах. При q = 5-10 -е- 310 1/А наклон дает фрактальную размерность D = 1,9. Характерные размеры частиц и агрегата, определенные на основе границ реализации фрактального интервала, составили 30 и 200 А. Расчет кинетики образования агрегата при кластер- [c.40]

Дифрактометрические рентгеновские малоугловые съемки проводят, как правило, на высоковакуумных малоугловых дифрактометрах с повышенным угловым разрежением. Абсолютную интенсивность первичного пучка измеряют при помощи специального калибровочного эталона. Целесообразно проведение наклонных съемок при различной азимутальной и полярной ориентации образца относительно первичного пучка. Это дает возможность контролировать степень изотропности рассеяния под малыми углами. Индикатрисы рассеяния строят обычно по точечной регистрации интенсивности рассеяния с последующей машинной обработкой. [c.161]

Рио. 3. Нормированные интенсивности малоуглового рассеяния частицами различной формы с одинаковыми Я, и т г — шаровой слой 2 —- трёхосный эллипсоид с отношением осей 0,5 1 1,5 3 — четыре соприкасающихся эллипсоида вращения 4 — литая модель по мотивам модели з. [c.43]

При исследовании аморфных лент, полученных быстрой закалкой жидкости во многих случаях не наблюдается высокая интенсивность малоуглового рассеяния. В недавно проведенном исследовании [68] аморфной ленты Pd8oSi2o толщиной 0,1 мм, полученной закалкой жидкости, методами малоуглового рассеяния показано, что существует значительная разница в интерференционных функциях 5 (Q), начиная со второго пика и далее в области больших Q, для двух направлений векторов рассеяния Q, параллельных и перпендикулярных поверхности пленки (рис. 3.56). В аморфной ленте Pd8oSi2o в зависимости от направления вектора рассеяния различается также и степень правильности ближнего [c.106]

Кристаллы в виде проволоки диаметром 0,15 жж нагревались в вакуумной колбе пропусканием через них тока, причем стенки колбы поддерживались при температуре — 196° С и закаливались отключением тока и одновременным наполнением камеры гелием. На проволочных образцах проводились механические испытания и измерения удельного электросопротивления. В процессе приготовления образцов для механических испытаний не исключена возможность образования тетраэдрических дефектов упаковки или дислокационных петель, хотя методика закалки кристаллов для элект-роннО Микроскопических исследований была другой. Галиган и Вашбурн считали, что дефекты структуры одинаковы как в том, так и в другом случае и сравнивали образование темных пятен, т. е. увеличение интенсивности малоуглового рассеяния, увеличение предела текучести, изменение кривой напряжения — деформация и уменьшение закалочного электросопротивления. [c.209]

Все эти изменения происходят последовательно. Сразу после закалки упрочнения практически нет и малоугловое рассеяние не наблюдается. После старения в течение 100 мин при 25° С предел текучести и интенсивность малоуглового рассеяния достигают максимальной величины. После этого наблюдается постепенное уменьшение, но полного возврата не происходит. Уменьшение электросопротивления почти полностью заканчи вается через 600 мин. Хотя эти две методики закалки не идентичны, все же можно предпрложить, что появление темных пятен в меди связано с упрочнением. Форму и размер темных пятен, вызывающих эффекты малоуглового рассеяния, исследователи не определяли. Если эти темные пятна представляют собой тетраэдры или дислокационные петли, то неудивительно, что они вызывают упрочнение. Однако Зегер, Герольд и Рул [38] на основании своих экспериментов по малоугловому рассеянию считают, что темные пятна, которые они наблюдали, являются сфероидальными дефектами. Поэтому можно ожидать, что скопления вакансий диаметром приблизительно от 50 до 100 А могут вызывать упрочнение. [c.209]

Из характеристик малоуглового рассеяния анализируют угловое распределение и уровень интенсивности, асимптотику, а также интегральные параметры индикатрис инвариант Q = [c.162]

Классическим примером является малоугловое рассеяние от коллагена. Впервые такого рода дифракция от коллагена наблда-далась Биром и Болдуином [111,15 20,21] (рис. 231,а) впоследствии аналогичные снимки (рис. 231, б) были получены другими авторами [22—24]. Периоды для различных образцов коллагена колеблются от 630—640 А в сухом состоянии до приблизительно 670 А во влажном, наблюдается до 25 порядков отражения. Эти отражения в обратном пространстве представляют собой диски, нанизанные на ось Ъ и имеющие различную интенсивность. Для некоторых образцов коллагена эти диски имеют примерно одинаковый, слегка варьирующийся диаметр, для других этот варьирующийся диаметр в среднем постепенно возрастает по мере увеличения порядка отражения (рис. 231,а). [c.345]

Наблюдать указанные дифракционные эффекты, используя рентгеновские лучи, довольно трудно, поскольку объемы образцов, подвергающиеся воздействию одной дислокации, слишком малы, чтобы вызвать измеримые интенсивности. В большинстве материа лов, содержащих большое число дислокаций, их ориентации могут оказаться более или менее случайными или же в результате сегрегации образуются дислокационные сетки. Эти последние формируют границы зерен с малоугловым рассеянием. В результате мы переходим к дифракции от мозаичного кристалла или от кристалла с внутренними деформациями. В каждом случае влияние этих эффектов на интенсивности можно оценить статистически (гл. 16). Недавно было обнаружено, что в некоторых материалах параллельное расположение дислокаций может обладать достаточной регулярностью, чтобы привести к образованию сверхструктуры. Сасс и его сотрудники предложили использовать измерение интенсивностей сверхструктурных отражений как основу "для структурного анализа, результатом которого было бы определение точного расположения атомов вокруг дислокаций. [c.405]

В первом томе монографии (части I и И) рассматриваются теория однократного рассеяния и теория переноса излучения. Теория однократного рассеяния применима для описания рассеяния волн в разреженных облаках рассеивателей. Она охватывает большое число встречающихся на практике ситуаций, включая радиолокацию, а также лазерную и акустическую локацию в различных средах. Относительная математическая простота этой теории позволяет без излишних трудностей ввести большинство фундаментальных понятий, таких как полоса когерентности, время когерентности, временная частота, и рассмотреть движение рассеивателей и распространение импульсов. Мы приводим также некоторые оценочные значения характеристик частиц в атмосфере, океане и в. биологических средах. Теория переноса излучения, которую также называют кратко теорией переноса, имеет дело с изменением интенсивности волны, распространяющейся через случайное облако рассеивателей. Эта теория используется при решении многих задач рассеяния оптического и СВЧ излучения в атмосфере и биологических средах. В книге описываются различные приближенные способы решения, включая диффузионное приблнл<ение, метод Кубелки — Мунка, плоскослоистое приближение, приближение изотропного рассеяния и малоугловое приближение. [c.8]

Рентгенографич. методы позволяют определять углы разориентировки и размеры блоков мозаичной структуры — областей с правильным строением, повёрнутых одна относительно другой (разориентированных) на очень малые углы. Хар-ки мозаичности определяют прочность материалов и связаны с плотностью дислокаций. О ср. размерах D блоков мозаики 0,05— 0,1 мкм судят по размытию (уширению) дебаевских колец D = os 0, где Р — полуширина размытой линии. Ср. угол б разориентировки блоков определяют по эффектам двойного рассеяния рентг. излучения в малоугловой области (при 8=20 0,5°), когда первично отражённый луч отражается ещё раз от подходящим образом ориентированного блока в направлении исходного пучка. В онрестности первичного луча появляется дополнит, диффузное рассеяние, интенсивность к-рого I г) определяет б [c.645]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...