Температурная зависимость диэлектрической проницаемости

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости обычно характеризуется выражением [c.23]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости полярных жидкостей (рис. 1-3) более сложная, чем неполярных. [c.24]

Характер снижения е с ростом температуры для разных диэлектриков различен. Так, например, на рис. 4-1 изображена температурная зависимость диэлектрической проницаемости воды. Для некоторых веществ (в частности, для газов с полярными молекулами) зависимость е от Г с удовлетворительной точностью описы- [c.87]

Рис. 51. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости различных форм ВаТЮз и области их стабильности

На рис. 2.1 приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости, измеренная в направле- [c.46]

Для электрооптических исследований отбирались достаточно совершенные образцы монокристаллов КТН с резкими пиками температурной зависимости диэлектрической проницаемости в точке Кюри е > 30 ООО) и низ- [c.53]

Рис 6 15 Температурные зависимости диэлектрической проницаемости 8с для различных составов кристаллов KSN (см. табл. 6 6) [16]. [c.251]

Рис 6 24 Температурные зависимости диэлектрической проницаемости [c.263]

Диэлектрические свойства. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости 8о полученных кристаллов имеют обычный для сегнетоэлектриков вид [c.274]

Форма температурной зависимости диэлектрической проницаемости является хорошим показателем отклонения структуры кристалла от упорядоченной. Материалы с меньшим упорядочением структуры имеют более широкий температурный максимум зависимости г(Т) [34— 36]. На рис. 6.15 представлены полученные в [35] зависимости е(Т), которые демонстрируют этот эффект. [c.358]

Рис. 275. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости цирконата свинца.

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости в случае дипольных жидкостей имеет более сложный характер, чем в случае нейтральных, и была показана на рис. 23. [c.48]

Рис. 119. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и пьезомодуля 31 керамики Т-1700.

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости нейтральных твердых диэлектриков определяется изменением числа молекул в единице объема, и температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе может быть подсчитан по формуле (31), выведенной для нейтральных жидкостей. На фиг. 11 показана зависимость е от температуры для нейтрального диэлектрика — парафина. [c.37]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости нейтральных твердых диэлектриков определяется изменением числа молекул в единице объема. [c.30]

Рис. 1-8. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости высоковольтного фарфора.

Принципиально новые сведения о термодинамической шкале при низких температурах были получены Берри с газовым термометром НФЛ в интервале от 2,6 до 27,1 К [4]. Эти данные были подтверждены при новых измерениях с шумовым термометром до 4,2 К [40], с акустическим термометром от 4,2 до 20К [20] и с новым типом газового термометра [28, 29], где использована температурная зависимость диэлектрической проницаемости. Применив диэлектрический газовый термометр в качестве интерполяционного прибора, Гьюген и Мичел подтвердили данные Берри в интервале от 4,2 до 27 К-Значения низкотемпературных реперных точек установленной Берри шкалы НФЛ-75 приведены в табл. 2.5. [c.63]

Фиг. IX.lb. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости различных пьезЬкерамик

Диэлектрические войства. Исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости е и тангенса угла потерь tg6 проводились на кристаллах НБН, выращенных из расплавов стехиометрического (BajNaNbsOis) и нестехиометрического (Ваг oasNao.niNbsOis) составов [29]. [c.181]

Диэлектрические свойства. На кристаллах KseNai-iBa2Nb50i5 исследовались температурные зависимости диэлектрической проницаемости вс, по которым затем определялась их температура Кюри (рис 6 1) Как следует из рисунка, она монотонно понижается от 576° (чистый НБН) до 480°С для кристаллов, полученных из расплава с ж = 0,6 По видимому, это связано с незначительным уменьшением сдвига сегнетоактивных ионов из симметричных положений, которые они занимают в параэлектрической фазе Это следует из соотношения, установленного для других ниобатов (гл 4, [32]), см также гл 8, 1 [c.232]

Температурные зависимости диэлектрической проницаемости Вс кристаллов KSN (см. рис. 6.15), как правило, имеет вид, типичный для сегнетоэлектриков релаксационного типа с размытым фазовым переходом. Как уже говорилось в главах 3 и 4, сложные окислы, содержащие различные катионы в одинаковых кристаллографических положениях, имеют размытые фазовые переходы вследствие флуктуации состава. Это может проявиться в монокристаллах, составы которых соответствуют частично заполненной структуре ТКВБ. [c.252]

Рио 8 9 Температурные зависимости показателей преломления кристаллов - Ki,43Srg 7eNbio029 47 2 - Ko,74Sr3 ggNbio029,2e при поляризации света вдоль сегнетоэлектрической оси с (Х=632,8 нм) [32] Стрелки у кривых соответствуют максимумам температурных зависимостей диэлектрической проницаемости кристаллов [c.359]

Кристаллы с особенной температурной зависимостью диэлектрической проницаемости, описываемой законом Кюри — Вейса, относятся к параэлектрикам. Титанат кальция можно считать веществом, близким к параэлектрикам. От типичных параэлектриков типа смещения, к которым относятся, например, SrTiOj или КТаОз, СаТЮз, он отличается тем, что характеристическая температура 0 в ием меньше О К. [c.86]

Рассмотрим температурную зависимость диэлектрической проницаемости (рис. 4.4,6). Характерный для неполярной фазы закон Кюри—Вейса слсдует из формул (4.5) и (4.8) [c.103]

При нагреве в электрическом поле конструкция электродов рабочего конденсатора должна обеспечивать возможность работы с требуемыми градиентами напряжения. Поэтому необходимо было определить рациональную конструкцию рабочего конденсатора в отношении получения максимальной электрической прочности системы электроды — склеиваемый материал, и обесп ечивающие склеивание заданной площади образца. Кроме того, конструкция электродов должна обеспечивать регулирование начальной температуры электродов и постоянный термический к. п. д. в процессе нагрева. Для этой цели были использованы электроды с водяным охлаждением. Для оценки энергетических процессов не менее важным является знание электрических параметров нагреваемых материалов и изме нение их в процессе нагрева. С этой целью определяются температурные зависимости диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь в первую очередь используемого клея (рис. 112). [c.144]

Ширане, Савагучи и Такеда [2] изучили температурную зависимость диэлектрической проницаемости (рис. 275), удельной теплоемкости (рис. 276) и термического расширения (рис. 277) цирконата свинца. [c.317]

Ширане, Савагучи и Такеда [3] изучили температурную зависимость диэлектрической проницаемости (рис. 426), удельной теплоемкости (рис. 427) и термического расширения (рис. 428) цирконата свинца. [c.461]

Рис. 5-12. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости, коэффициента мощности и коэффициента потерь для плавленого кварца, ооросиликатного стекла (типа 7070 и ЭЯ-процентного кварцевого стекла типа 7900.

Смотреть страницы где упоминается термин Температурная зависимость диэлектрической проницаемости : [c.243] [c.27] [c.89] [c.22] [c.22] [c.47] [c.74] [c.109] [c.109] [c.258] [c.260] [c.260] [c.262] [c.264] [c.269] [c.274] [c.357] [c.109] [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...