Чистый теллур

Удельное сопротивление чистого теллура при комнатной температуре составляет 29-10 Ом-м. Он может быть и электронного, и дырочного типа проводимости. [c.290]

Удельное сопротивление чистого теллура ири комнатной температуре составляет 29-10 Ом-м. Концентрация собственных носителей заряда ,- = 9,3-10 м . Подвижность электронов 0,17 м /(В-с), дырок — 0,12 м7(В -с). [c.98]

Данные, полученные в работе [3] как более надежные, приняты на диаграмме состояния, приведенной на рис. 172. Результаты работы [1] менее надежны, так как они получены для сплавов, приготовленных с менее чистым теллуром, имевшим пониженную температуру плавления. [c.265]

Синтез исследуемых соединений производился прямым сплавлением исходных чистых компонент, взятых в стехиометрическом соотношении, в кварцевых ампулах, эвакуированных до 10 жл рт. ст., при температурах на 50—80° выше температур плавления синтезируемых веществ. Подъем температуры производился медленно, с остановками при температурах плавления исходных компонент. Для синтеза использовались особо чистые теллур, сера, селен и таллий с общим содержанием примесей меньше 10 %. [c.34]

При проверке поведения, соответствующего жесткой зоне, можно избежать необходимости угадывать заранее форму зависимости о ( ), если использовать металлическое приближение. Тогда уравнения (6.4а) и (6.46) показывают, что экспериментальные точки должны ложиться на одну кривую 8/Т от а. Такой график приведен на рис. 7.21, где отброшены точки, подозрительные в смысле вклада амбиполярных эффектов. Точки ложатся на одну кривую для составов 0,2 0,6, кроме области малой проводимости о, где металлическое приближение становится плохо применимым. Данные для чистого теллура лежат на отдельной кривой, что показывает неприменимость модели жесткой зоны при л <0,2. В промежуточной области [c.149]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

Селен для выпрямителей (ГОСТ 6738—53) — стекловидная модификация селена, применяемая для изготовления выпрямителей переменного тока. Внешний вид — хрупкие плитки разной формы черного цвета со стеклянным блеском и раковистым Изломом. Химический состав чистого селена не менее 99,99%, нелетучего остатка не более 0,008%, в том числе сульфатной серы и теллура не более 0,001% каждого элемента. [c.107]

Технология получения редких и рассеянных элементов имеет ряд особенностей, связанных с необходимостью переработки бедного рудного сырья сложного состава. Многие из перечисленных элементов не имеют собственных месторождений и извлекаются из отходов и промежуточных продуктов сернокислотного производства, алюминиевой промышленности, производства цинка, кобальта, никеля, меди и т. д. Указанные сырьевые источники отличаются сложностью химического состава, физическим состоянием и низким содержанием извлекаемого элемента. Это обусловливает разнообразие технологических способов и схем выделения элементов и получения их в химически чистом виде. В большинстве случаев применяют типичные гидрометаллургические методы с получением на первой стадии разбавленных по ценному компоненту растворов с последующим концентрированием его и отделением от примесей. Развитие и совершенствование технологии производства редких и рассеянных элементов не может быть осуществлено без применения метода ионного обмена. Применение ионообменных смол и избирательных неорганических ионообменных материалов дает возможность не только выделить и сконцентрировать тот или иной редкий или рассеянный элемент, очистить его от примесей, но и решить задачи по разделению близких по свойствам элементов лития и натрия, рубидия и цезия, галлия, индия и таллия, селена и теллура, по получению соединений элементов и металлов высокой степени чистоты. [c.114]

Никель впервые в чистом виде получен в 1904 г. И. Рихтером. Основными источниками получения никеля являются сульфидные медно-никелевые и окисленные гидросиликатные руды. Постоянной и важной в экономическом отношении примесью в сульфидных рудах являются платиновые металлы платина. Палладий, родий и т. д., а также золото, серебро, селен и теллур. [c.231]

При выборе плотности тока исходят из условия получения чистых катодных осадков. При высоких плотностях тока вследствие повышенной анодной поляризации усиливается переход платиновых металлов в раствор, а, следовательно, и их осаждение на катоде. Одновременно вследствие поляризации катода могут создаваться условия для восстановления на нем меди и теллура. Практически процесс ведут при плотностях тока от 200 до 600 А/м=, при [c.321]

Цель рафинирования чернового никеля сводится к получению чистого катодного никеля не ниже марок Н-0 и Н-1 и попутному извлечению присутствующих в анодном металле ценных спутников,— кобальта, платиноидов, золота, серебра, меди, селена и теллура. Марки электролитного никеля Н-0 и Н-1, согласно ГОСТ 849—70, должны содержать никеля -кобальта соответственно не менее 99,99 и 99,93%. В составе марки Н-0 регламентируется содержание 17 примесных элементов, включая кобальт. [c.215]

Селен и теллур обладают большими энергиями связи Э—Н, поэтому в этом случае более вероятен процесс (2.2), чем (1.4) в качестве стадии удаления адсорбированного водорода. Скорость процесса (2.1) на участках катода, покрытых пленками селена или теллура, больше, чем на чистой поверхности железа, так как работа выхода электрона для них меньше. Лимитирующей скорость общего процесса выделения водорода является стадия (2.2). Это согласуется с результатами теоретических вычислений [204, 205, 208, 209]. Между скоростями стадийных процессов (2.1) и (2.2) устанавливается такое соотношение, что перенапряжение водорода становится меньше, чем на железе, а количество Над, обладающих способностью проникать в металл катода, больше. В итоге, четыре рассмотренных элемента, смещая потенциал железного катода в различном направлении, увеличивают наводороживание металла катода (железа). [c.61]

Температура кипения чистого теллура гораздо ниже температуры (1,490 ), приводимой в учебниках в течение mhoi hx лет. Неопубликованные результаты опытов, проведенных в 1951 г., показывают, что температура кнпенин несколько ниже 1000 , н эта величина подтверждена обширной работой, опубликованной Комиссией по атомной анергии США [2]. Сведения, сообщенные этой Комиссией в бюллетене AE D-2546, указывают на следующие величины [c.749]

Наиболее прецизионные измерения были выполнены Бребриком, [236], который определял парциальное давление методом измерения оптической плотности пара, находящегося в запаянной ампуле над сплавами В1—Те. Измерения проводились вдоль линии трехфазного равновесия В12Тез и фазы 55—58% (ат.) Те, разлагающейся по перитектической реакции при 563 2° С. В работе показано, что давление пара Тег над В зТвд, насыщенным теллуром, совпадает-с давлением пара чистого теллура. Результаты измерений парциального давления Рте в функции температуры над сплавами, лежащими внутри области гомогенности В12Тез, приведены в табл. 175 и на рис. 15. Из этих данных следует, что [c.121]

Из немногочисленных сведений [247, 255] следует, что при отрицательных температурах (°С) теллур хрупок. При температуре 20° С у чистого теллура б 35%, Ов = 0,9 кПмм , твердость НВ = 3 кПмм . Из этих данных следует, что у теллура, как и у о. ц. к. металлов, наблюдается хрупко-вязкое поведение. [c.98]

Возвращаясь к обсуждению систем сплавов, рассмотрим теперь информацию о сплавах Зе Те -. Электропроводность этой системы исследовалась рядом авторов и наиболее всесторонне — Перроном [59, 172, 144, 201] (см. также ссылки в работе [144]). На рис. 2.5 показаны кривые а (Г) для различных составов, полученные Перроном. Видно, что а изменяется монотонно с изменением состава от почти металлических значений для чистого теллура до крайне малых значений при больших х. Другия заслуживающая внимание особенность состоит в том, что а имеет большой температурный коэффициент, отражающий энергию активации в широкой области х и Т. Эта область поведения типа 5 тесно коррелирует со значением а. Она возникает, когда а меньше 2000 Ом см и d ga dT стремится к постоянному значению при а 300 Ом см . Будет показано, что многие бинарные системы, состоящие из теллура или селена и другого более электроположительного элемента, имеют особую зависимость а от состава, как и сплавы Т1—Те. Химическое подобие 5е и Те наводит на мысль, что эти два элемента играют похожую роль в таких бинарных системах, однако электрические свойства этих систем в богатой халькогенами области оказываются существенно различными. Это различие видно на примере поведения сплавов системы 5е—Те. [c.26]

Важной особенностью рассматриваемой схемы является то, что число состояний в каждой зоне определяется числом атомов и связей. Поскольку этой информации достаточно также для определения числа электронов, в этой схеме фиксируется к положение уровня Ферми Ef при Г = 0. В случае чистого теллура или сплава Т1гТе Ef лежит выше несвязывающей я-зоны, образованной атомами теллура. Ясно, что для любой молекулярной системы с полностью насыщенными ковалентными связями, содержащей атомы халькогенов, уровень Ферми располагается выше зон, образованных электронами атомов халькогенов, не участвующих в образовании связей. [c.91]

Однако из (6.21) следует, что Лн изменяется как Это находится в явном несогласии с экспериментальными результатами для некоторых сплавов, для которых а сильно зависит от Т. Мы отмечали в гл. 2, что а сильно меняется с температурой в сплавах TUTei-x при х<2/3. При этом вместо того, чтобы меняться с температурой Т, как цн остается постоянной [71]. Аналогичное поведение имеет место и для чистого теллура. В этом случае, как отметил Уоррен [255], измерения сдвига Найта дают независимое указание на то, что N Ef) изменяется с Г в соответствии с поведением, которое следует из о (Г) (6.14). [c.108]

Рис. 8.17. Зависимость а от 5/Т для Си1 уТе . Составы выражены в ат. % Те. Через точки, соответствующие составам 60—80 ат. % Те, проведена кривая, которая сравнивается с кривой для чистого теллура. О — данные Дэнси [65], L —данные Катлера и Леви [45].

Точка кипения селена при атмосферном давлении составляет 958 К, и эксперименты Гобрехта и др. были проведены на установках с повыщенным давлением. Недавно было сообщено об измерениях при очень высоких давлениях [136] в этой работе исследования проводились до температур и давлений, превы-щающих критические ). Интересной особенностью полученных в указанной работе результатов, показанной на рис. 8.25, является то, что 0 (Т) ведет себя качественно таким же образом, как в сплавах 5е—Те и в чистом теллуре (рис. 2.5), а именно [c.212]

РЬТе и РЬ1 5п Те. В состав установки входят несколько (обычно два) реакторов, которые используются для получения слоев разных материалов или слоев разного типа проводимости, а также подвижный подлож-кодержатель, перемещение которого между реакторами позволяет сформировать сверхрещетку. Выращивание слоев производится в вакууме порядка 10 мм рт. ст. Условия роста определяются температурами двух источников-испарителей, стенок и подложки. Для управления типом проводимости отдельных слоев используют два способа регулируемое отклонение состава от стехиометрии, то есть легирование электрически активными собственными дефектами, и легирование примесями [53]. В первом случае в дополнительные резервуары реакторов загружают чистый теллур, давлением паров которого и определяется тип проводимости материала, так как избыток халькогена в РЬТе дает дырочную проводимость, а избыток свинца — электронную. Уровень легирования при этом определяется температурой резервуара с теллуром и существенно зависит от температуры подложки. [c.355]

Примечание. Метод измерения XI, погрешность измерения +5%. Исходными материалами служили свинец чистотой 99,99%, теллур, дважды перегнанный, в вакууме, и селен Марки. для выпрямителей. Синтез соединений проводился в откачанных кварцевых ампулах. Все образцы мелкокристаллические, получены прессованием при 400° С с последующим отжигом. Коэффициент теплопроводности составов с Jf>0,9 с лава равен коэффициенту теплопроводности чистого PbSe. Кроме того, реш иол Образцы легированы Pblj+Pb. I [c.172]

Кристя.члический теллур. Теллур, кристаллизующийсянгексагональной системе, имеет металлический вид. Он хрупок и поэтому легко превращается в порошок. Цвет теллура—серебристо-белый болсс чистые сорта имеют яркий металлический блеск. Теллур обладает некоторыми неметаллическ1гми свойствами элементов его группы (серы и селена). [c.748]

Добавка теллура к чистой меди сильно повышает ее обрабатываемость, не оказывая существенного влияния на электропроводность. Медь с добавкой теллура можно подвергать холод1юй и горячей обработке, но она обладает несколько меньшей ковкостью, чем чистая медь. [c.755]

Свинец в сравнении с другими металлами обладает малой химической активностью и высокой коррозионной стойкостью. К недостаткам свинцовых оболочек, выполняемых из свинца при общем количестве примесей до 0,1%, в первую очередь следует отнести низкие механическую прочность, вибростойкость и сопротивление ползучести. Для повышения вибросюйкости оболочек наиболее эффективным средством является применение не технически чистого свинца, а его сплавов. Введение в состав свинца легирующих элементов сурьмы, олова, калмия, теллура, мышьяка и др., образующих различные химические соединения и твердые растворы, существенно улучшает механические свойства свинца. Легирующие присадки, как правило, располагаясь по границам зерен свинца, препятствуют tix росту и тем самым повышают вибростойкость оболочки. Химический состав сплавов свинца дан в табл. 5.11, а механические свойства и область применения некоторых марок свинца и его сплавов приведены в табл. 5.12. [c.292]

Задорожинй и др. [1098] сообщили об изменении магнитных свойств селена и теллура в высокодисперсном состоянии. Частицы с числом атомов от 2 до 20 были получены в полостях цеолитов NaA и NaX путем адсорбции. Более крупные частицы диаметром 0,1 — 1 мкм приготавливали механическим дроблением особо чистых монокристаллов. Результаты измерений приведены на рис. 148 и 149. [c.330]

Bi-S[267] Hg-Te[268] d-Sb, Золее ранние исследования, проведенные Лубашевским и Котреллом [130], упомянуты в работе [307]. Работа Матуямы [256] оказалась несостоятельной, и результаты ее значительно расходятся с более поздними измерениями. Данные зависят от типа системы эвтектические системы с положительной энтальпией смешения имеют также положительный объем смешения, т. е. они расширяются после смешивания по сравнению с линейным законом, чего и следовало ожидать, если смешивание затруднено. Системы на основе ртути аномальны в сплавах с цинком, кадмием, теллуром, оловом, висмутом, свинцом не имеется связи с энтальпией или энтропией смешения [255]. Все объемы при смешивании в этих системах отрицательные, в то время как энтальпии положительные в сплавах с цинком, свинцом, оловом и висмутом. Ртуть может быть неполностью ионизирована в чистом состоянии, но может терять электроны после сплавления (см. раздел 5), и получающееся при этом уменьшение размера ртутного катиона может привести к наблюдаемым отрицательным объемам смешения. [c.96]

Коррозия в фосфорной кислоте усиливается с повышением концентрации и температуры. Техническая кислота менее агрессивна вследствие содержания в ней примесей (фтористых соединений). Свинец можно применять для работы с растворами фосфорной кислоты. Он может применяться также при производстве суперфосфата, но не выдерживает истирающих нагрузок (например, лопасти мешалок). Гартблей с 7—10% 8Ь применяется в производстве искусственных удобрений. Чистый свинец, а также свинец, содержащий кальций и теллур, стойки против действия фосфорной кислоты при электродуговом процессе [51]. [c.327]

Смотреть страницы где упоминается термин Чистый теллур : [c.267] [c.12] [c.173] [c.173] [c.175] [c.177] [c.201] [c.202] [c.37] [c.28] [c.217] [c.257] [c.400] [c.57] [c.241] [c.180] [c.256] [c.60] [c.121] [c.118] [c.253] [c.164]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...