Спады освещенности

Спектр излучения 5, 13 Спады освещенности 170 Средства доступа к осветительным приборам 52, 174, 185 Срок службы источников света 7, 12, [c.221]

Для уменьшения спада освещенности к краям изображения, особенно заметного у широкоугольных объективов, первую линзу [c.32]

Полутени. Для учета влияния искусственного источника света на освещенность поверхности. Если маркер не отмечен, то значения линейного и углового спада освещенности, определяемые в СОЕ-скриптах источников света, трактуются как нулевые. В этом случае будут образовываться резкие контуры перехода от освещенной части поверхности к неосвещенной. [c.560]

Пусть на объектив трубы или (фотоаппарата падает плоская волна от бесконечно удаленного источника света, например от звезды. Ди(фракция на краях круглой оправы, ограничивающей отверстие трубы, приведет к тому, что в (фокальной плоскости объектива получится не просто стигматическое изображение точки, а более сложное распределение освещенности центральный максимум, интенсивность которого быстро спадает, переходя в темное кольцо второй, более слабый кольцевой максимум и т. д. (см. 42, рис. 9.7, б). Радиус первого темного кольца стягивает угол ф (с вершиной в центре объектива). Величина этого угла определяется из условия [c.346]

Выше мы подробно останавливались на описании отдельных случаев в целях освещения физической сущности явлений. Остальные случаи кривых подпора и спада рассмотрим более кратко по зонам, зная уже, что каждая кривая свободной поверхности формируется непрерывно только в границах своей зоны. [c.172]

Удаленный источник света соответствует солнечному освещению. Источник расположен довольно далеко, поэтому световой поток будет параллельным. Кроме того, не учитывается спад интенсивности. [c.827]

Еще удобнее здесь охарактеризовать спад кривой освещенности величиной интервала /S.y, определяемой из условия (фиг. 43) [c.100]

Мы снова пришли к выражению, которое идентично выражению для спада освеш,енности в центре дифракционного пятна при наличии малых аберраций [равенство (8.10)], т. е. относительная потеря освещенности равна относительной рассеянной энергии, что вполне естественно, хотя и не очевидно. [c.264]

Этот спад объясняется тем, что при /IV А 1 0 коэффициент поглощения очень велик и весь свет практически поглощается в очень тонком поверхностном слое. Таким образом, высокая концентрация свободных носителей заряда возникает в слое, где время их жизни меньше, чем в объеме полупроводника. Из-за наличия в приповерхностном слое большого числа дефектов уменьшается по сравнению с объемными не только время жизни свободных носителей заряда, но и их подвижность. В силу этого при освещении полупроводника светом с частотой АИ о// обычно не наблюдается заметной фотопроводимости. [c.86]

Из рассмотрения этого графика следует, что нагрузка неравномерна в течение суток ясно видны два максимума, причем утренний несколько ниже вечернего. Минимальная нагрузка всегда бывает ночью. Ночной спад нагрузки наступает в результате сокращения потребления энергии промышленными предприятиями, работающими в одну и две смены, потребителями осветительной и бытовой нагрузки и транспортом. Утром наблюдается подъем нагрузки в связи с возобновлением работы промышленных предприятий, транспорта, и в зимнее время — за счет включения освещения. Дневной спад нагрузки меньше ночного, и при-126 [c.126]

Проведенное исследование показывает, что между светом и тенью от края экрана нет резкой границы в области геометрической тени интенсивность спадает постепенно и монотонно, а край освещенной области расщепляется в дифракционные полосы. Полученные закономерности хорошо подтверждаются на опыте. [c.282]

Каустика разделяет часть пространства, заполненную лучами, от каустической тени. В освещенной части через каждую точку проходит два луча — один из них уже коснулся каустики, другой еще нет. При подходе к каустике со стороны освещенной зоны наблюдается рост амплитуды поля, локальный максимум прн переходе через каустику и удалении от нее в область тени поле спадает. В направлении нормали к каустике поле в освещенной части имеет, из-за интерференции двух лучевых полей, характер стоячей волны. Вдоль каустики поле имеет характер бегущей волны. [c.231]

Рассмотрим конкретную задачу. Пусть в металлическом круговом цилиндре радиусом а имеется отверстие, простирающееся от ф = — до ф = как показано на рис. 4.14. Предположим также, что источники находятся внутри цилиндра и создают на отверстии распределение поля м(а, ф). В приближении геометрической оптики волна будет распространяться наружу лишь внутри угла I ф I < IФ , I и резко спадать до нуля вне этого сектора. Однако благодаря быстрому убыванию амплитуды высших гармоник — (а/р)" переход от освещенной области к области тени будет тем менее резким, чем в более дальней зоне находится точка наблюдения. [c.289]

Несколько различных возможных случаев схематически изображено иа рис. 267, а — ( , На первом рисунке имеется только первичный ток, который резко возрастает итак же резко спадает с изменением освещения. Этот ток не может продолжаться бесконечно долго, если в кристалл не поступают заряды для нейтрализации пространственного заряда. На рис. 267, в на первичный ток налагается вторичный ток г,, достигающий значения насыщения. Если электроны из катода ие поступают в кристалл, то как первичный ток, так и вторичный ток падают до нуля вследствие поляризации (рис. 267, с). Катодный ток /ц препятствует этому спаду, в результате чего устанавливается конечный ток. Если г п велико, суммарный ток пе имеет максимума (рис. 267, ), если же /ц мало, ток может возрасти до своего максимального значения, а затем, спадая, асимптотически приближаться к конечному значению. [c.598]

Для того, чтобы из полученной экспериментально зависимости Лао(У5) найти функцию Хе/(.Уз) и, следовательно, 5(>5), необходимо хотя бы при одном значении Ys провести дополнительные измерения кинетики спада фотопроводимости после импульсного освещения кристалла. В условиях малого уровня инжекции зависимости AaQ(t) экспоненциальны, причем постоянная времени спада фотопроводимости равна. Измерив величины Аа и т / без приложения поперечного поля (С, = 0), можно найти коэффициент пропорциональности между АОд и Те/, а затем вычислить функцию 5(>5). В качестве иллюстрации на рис.3.21 показаны типичные экспериментальные зависимости 5( 5), полученные в разных условиях на реальной поверхности германия. Их обсуждение мы отложим до раздела [c.112]

Возьмем более реальную модель падающей на решетку световой волны. Предположим наличие в ней обрывков синусоиды разной продолжительности. В этом случае распределение освещенности будет суммой распределений типа (11.63), соответствующих различным т, е. различным п. Суммарная освещенность (рис. 527, б) может при этом, например, монотонно спадать по обе стороны угла 6, для которого Шд = О). Именно такая картина обычно наблюдается на опыте. [c.562]

Отношение тока сигнала спада (остаточного сигнала) передающей телевизионной трубки, замеренного через заданный интервал времени после прекращения освещения фоточувствительного растра Трубки, или тока сигнала нарастания, замеренного через заданный интервал времени с момента подачи освещения, к току сигнала трубки ири номинальных электрических режимах и рабочей освещенности [c.28]

Изменение освещенности в процессе эксплуатации осветительной установки для данной контрольной точки будет иметь вид, представленный на рис. 11.1, где характер постепенного снижения освещенности определяется факторами старения источников света и загрязнения осветительных приборов. Мгновенные спады освещенности обусловлены каждый раз перегоранием одной из работающих ламп. Количество этих спадов и временные их параметры зависят от действительных сроков службы ламп, работающих в зоне данной контрольной точки. Чем больше осветительных приборов здесь, тем меньший будет спад, и график уменьшения освещенности может превратиться в плавную (неступенчатую) кривую экспоненциального характера. [c.170]

Энергетич. щель между сОв п отвечает отрицат. зна-ченню диэлектрич. проницае. 10сти среды. На таких частотах эл.-магн. волна не. может распространяться в среде [волновой вектор в этой области частот является, как следует из (1), чисто мнимой величиной . Однако в этой области частот могут существовать т. н. поверхностные П. (поверхностные эл.-магн. волны), к-рые распростра-нИХяся вдоль границы раздела двух сред. Их амплитуда экспоненциально спадает при удалении от границы раздела. Поверхностные П. являются не радиационными волнами, т. к. они не могут ни превращаться в фотоны, уходящие от поверхности, ни возбуждаться при простом освещении поверхности. В случае плоской границы среды с вакуумом дисперсия поверхностных П. определяется соотношением [c.77]

Механизм явления связан с образованием в полупроподиико-вом кристалле под действием экспонирующего излучения относительно неподвижного объемного заряда положитель([0 заряженных доноров, в то время как подвижные электроны (их подвижность в 10 раз больше подвижности дырок) накапливаются вблизи положительного электрода. При достаточной толщине объемного заряда (170. .. 100 мкм) поперечная составляющая электрического поля, обра,дуемая градиентами освещенности в поперечном ссчении светового пучка (в плоскости полупроводниковой пластины), при указанном выше срезе кристалла приводит к эффективному изменению его показателя преломления в результате поперечного электрооптического эффекта. Характерно, что продольная составляющая поля в этом случае не приводит к модуляции света. В результате наблюдается подавление в преобразованном изображении крупных деталей и подчеркивание мелких, для которых действие поперечного электроонти ческого 1го (Я выражается сильнее. Соответстве1пго дифракционная Эффективность модуляции света спадает здесь на более высоких пространственных частотах. [c.139]

Освещенность не может перейти от нулевого к максимальному значению на интервале более коротком, чем где R — максимальная пропущенная пространственная частота. Поскольку R = 2а Д, то минимальный интервал равен (1/тс)(Х/2а ) это согласуется с заключением гл. 4 2, где было найдено, что интервал At/, соответствующий максимальному спаду кривой, равен ЗтсХ/16а. Это приблизительно соответствует разрешающей силе прибора. [c.257]

Из кривой рис. 24 видно, что с ростом температуры интенсивность вспышки резко возрастает, достигая максимального значения при —140°С, после чего интенсивность медленно падает, по-видимому, вследствие уменьшения концентрации / -центров. Небольшой подъем кривой при -50°С обусловлен термическим высвобождением электронов с более мелких уровней по сравнению с уровнями / -центров. По форме левая часть кривой рис. 24 почти идентична кривой зависимости фототока в Na l от температуры при его освещении светом в / -полосе поглощения [2, 14]. При понижении температуры кристалла около —150°С наблюдается очень крутой спад фототока, возникновение которого при низких температурах обусловлено зависимостью величины квантового выхода внутреннего фотоэффекта от температуры. Подобная зависимость определяется тем, что под действием света электрон переходит сначала преимущественно на возбужденный уровень 2р, с которого он может попасть в зону проводимости лишь под действием тепловых колебаний решетки. Совершенно ясно, что вероятность его освобождения с уровня 2р должна уменьшаться с понижением температуры кристалла, [c.65]

Искажения из-за неточной настройки читающего штриха вызваны тремя причинами неточной фокусировкой светового луча, при этом в плоскости фонограммы не образуется четко очерченного штриха, что равносильно расширению штриха неравномерностью освещенности по длине штриха, что приводит к нелинейным искажениям непараллельно-стью пишущего и читающего штрихов, что также эквивалентно расширению читающего штриха. Спад АЧХ на верхних частотах, обусловленный непараллельностью штрихов, определяется коэффициентом перекоса. [c.245]

Рис. Ь. Полная плотность потока солнечной радиация, измерен- ная на орбите Земли, обнаруживает флуктуации, коррелирующие с прохождением солнечных пятен по видимому диску, Плотщость потока солнечной радиации, измеренная радиометром с абсолютно черной полостью в ходе исследований по ирог мме Солнечного максимума, представлена как процентное отклонение от средневзвешенного значения за первые 153 дня исследований по этой программе. Отдельные точки дают среднюю энергетическую освещенность на дневной час ти орбиты вертикальными отрезками, проведенными через каждую точку, показаны стандартные ошибки этих орбитальных средних. Большие спады вблизи 100 и 145 дней связаны с прохождением больших областей солнечных пятен по солнечному диску. Средневзвешенная солнечная постоянная за время измерений равна 1368,31 Вт/м на р.асстояния I астрономической единицы от Солнца. (Из статьи Г25], с разрешения Лаборатории реактивного движения Калифорнийского тех-кологического института.)

Каустика разделяет часть прострапства, заполненную лучами, от каустической тени. В освещенной части через каждую точку проходит два луча п один из них уже коснулся каустики, другой еще нет. При подходе к каустике со стороны освещенной стороны наблюдается рост амплитуды поля, локальный максимум при переходе через каустику и удалении от нее в область тени поле спадает. В направлении нормали к каустике поле в [c.45]

В случае некогерентного освещения Р и Q считались разрешенными, если главный максимум интенсивности одной картины совпадал с первым минимумом др>гой. Интенсивность в средней точке (ж i 1,92) между двумя максимумами равняется тогда 2 [2У] (1,92)/Т,92]- 0,735 от интенсивности каждого максимума, т. е. кривая суммарной питепсивноип спадает на участке между двумя главными максимумами примерно на 26,5%. (Это соответствует 19% для отверстия в виде щели, см. рис, 7.62.) Если мы снова примем, что такое уменьшение интенсивности по существу определяет предел разрешения, то критическое расстояние ш = 2ш1 находится из соотношения [c.388]

При исполшванни фогосопротивлеиий надо учитывать плавный спад фототока (добавочного тока при освещении) в области малых длин волн (рис. 7.3,6). Это объясняется тем, что при большом показателе собственного поглощения весь свет поглощается в поверхностном слое кристалла, где очень велика скорость рекомбинации носителей заряда. Вследствие этого время жизни свободных носителей заряда уменьшается и, следовательно, падает их концентрация и фототок. [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...