Стехиометрические числа

Для этого служат, например, расчеты коэффициентов наклона уравнений Тафеля и так называемого стехиометрического числа (по величинам коэффициентов наклона тафелевских графиков катодного и анодного процессов [3, 173]). Представляется, однако, что эти, осуществляемые с помощью поляризационных определений, измерения для неинертного (железного) электрода затруднительны, Надежные результаты могут быть получены при создании условий, способствующих протеканию только ионизации водорода без параллельного развития других электродных процессов (например, растворения металла). [c.10]

При постоянстве коэффициентов активности, которое обычно обеспечивается достаточно высокой концентрацией постороннего инертного (фонового) электролита, значение формального потенциала близко к стандартному. Проверка уравнения Нернста, а следовательно, и доказательство истинного равновесия на электроде (протекание только одной реакции обмена) состоит в определении зависимости равновесного потенциала от активности (концентрации) всех компонентов раствора. В соответствии с уравнением Нернста зависимость равновесного потенциала от логарифма активности компонента должна быть линейной и иметь наклон, равный стехиометрическому числу компонента в суммарной электродной реакции [c.6]

Я — стехиометрическое число компонента I. [c.178]

Фазы внедрения возникают при взаимодействии металлов переходных групп с металлоидами, у которых незначительные атомные размеры Н(г=0,046 нм), Ы(г=0,071 нм), С(г=0,077 нм). Внедрение атомов металлоидов в кристаллическую решетку металлов (образование фаз внедрения) может проходить при условии, если отношение г металлоида к г металла меньше или равно 0,59. При этом атомы металла образуют решетки типа К8, К12 и Г12, а атомы металлоидов внедряются в них в определенном порядке, характеризующемся координационным числом. Практически в сплавах металлов фазы внедрения не соответствуют стехиометрической формуле (в избытке атомы металла и в недостатке атомы металлоидов), т. е. происходит образование твердых растворов вычитания, Фазами внедрения в сталях и сплавах являются большинство карбидов и нитридов. [c.33]

Пусть гомогенная система состоит из п веществ I ( =1, 2,. ... .., п), между которыми могут протекать г химических реакций / 0=1, 2,. .., г). Если Л/ — число частиц сорта I И V — стехиометрический коэффициент вещества I в реакции /, то изменение числа /(У частиц сорта I за промежуток времени (И в реакции / равно [c.12]

Vij — стехиометрический коэффициент вещества i в реакции j, то изменение числа djN частиц сорта / за промежуток времени d/ в реакции j равно [c.260]

Обозначим через т —общее число веществ, участвующих в реакциях ( — число реакций, одновременно протекающих в аппарате aij — стехиометрический коэффициент для t-ro вещества в /-й реакции. Напомним, что ati < О, если г-е вещество является исходным для /-Й реакции ац > О, если это вещество образуется в ходе реакции, и = О, если вещество не участвует в реакции. [c.34]

В результате работы подпрограммы IPT заполняются поля общего блока (Ш) Р —давление Т —температура М—число элементов К —число компонентов В — молярное содержание элементов SMB — обозначения химических элементов АЛ — матрица стехиометрических коэффициентов F — значения Ф,-. [c.458]

Здесь Аа — химические символы исходных реагирующих веществ, Vи — стехиометрические коэффициенты, штрих относится к продуктам реакции, индекс г обозначает номе]з реакции, I — число реакций. [c.55]

Изменение числа молей бХ связано со стехиометрическими коэффициентами равенством [c.74]

Полупроводники G ионными решетками ( dS, PbS, оксиды). Экспериментальные данные о ионных полупроводниках показывают, что в оксидах и сульфидах большей частью наблюдается следующая закономерность. Если полупроводник может обладать электропроводностью п- и >-типов, как, например, PbS, то избыток серы по отношению к его стехиометрическому составу или примесь кислорода вызывает у него дырочную электропроводность, и избыток металла — электронную. В полупроводниках с одним типом примесной электропроводности увеличение числа дырок в полупроводнике р-типа получается за счет избытка кислорода или серы, а увеличение числа электронов в полупроводнике и-типа — за счет уменьшения числа этих элементов. Из опыта известно, что выдержка Си О (дырочный полупроводник) в печи с кислородной средой ведет к увеличению проводимости, а ZnO (электронный полупроводник) — к уменьшению ее. [c.236]

П — стехиометрический коэффициент, число зарядов вещества [c.20]

Сумма показателей степеней при концентрациях в законе действующих масс называется порядком реакции. В химической кинетике показатели при концентрациях могут не соответствовать стехиометрическим коэффициентам, т. е. числу молекул данного вещества, участвующих в реакции. Более того, они могут быть дробными, что указывает на сложный механизм реакции, протекающей в несколько элементарных стадий, для каждой из которых степень при концентрациях строго соответствует стехиометрическим коэффициентам. [c.141]

Хотя определение степени полноты процесса было дано только для химической реакции с вполне определенными стехиометрическими коэффициентами, этим параметром можно характеризовать и физикохимические превращения более общего характера. Так, например, превращения порядок — беспорядок , наблюдаемые в сплаве Au- u экви-молярного состава при повышении температуры, могут быть охарактеризованы внутренним параметром, относящимся к среднему числу атомов Сп, окружающих один атом Аи. Однако в этих случаях оказывается невозможным написать химическое уравнение со стехиометрическими коэффициентами. [c.24]

Выражение 2v, связано с использованием уравнения состояния пдса.тыюго 1аза, поэтому оно включает только стехиометрические числа газообразных составляющих реакции, а выражение 2v относится только к I а,зообраз11Ь м составляющим Для всех реакций, для которых О, тси./юные эфф екты AV и AI одинаковы. [c.184]

Если исходное равно стехиометрическому числу диссоциирующего веигества в уравненнн реакции (в данном случае v = 2), то выражения (495) и (496) будут иметь более простой вид. [c.198]

Величина ДС , найденная из выражения (520), так же как и всл№ чипа константы равновесия, найденная из выражения (619), относился к реакции, записанной в такой форме, которой соответствуют стехиометрические числа, используемые при определении Да, Д , Лу, Эт необходимо иметь в виду, так как значения констант равновесия и соответственно стандартного химического сродства зависят от етехио-метрических чисел. [c.207]

Для написания выражения равновесного потенциала согласно международным правилам необходимо записать уравнение электродной реакции в виде реакции восстановления. При этом все вещества, находящиеся в левой части уравнения, являются окисленными, а стоящие в правой части — восстановленными. Тогда в подлогарифмическое выражение активности окисленных веществ входят в числитель, а восстановленных — в знаменатель, в степенях, соответствующих их стехиометрическому числу в уравнении. Например, для равновесия [c.5]

Стс.хиометрия соединения определяется уиорядоченным расположением атомов. Если атом А окружен таким же числом атомов В, как число атомов А, окружающих атом В, то стехиометрическое соотношение выражается как АВ (пример соединения Na l). , [c.98]

Эта матрица содержит сл коэффициентов. Число требующихся для запоминания (в ЭВМ) коэффициентов можно, однако, сократить до сг (согласно (1.4) с = с—г), если пользоваться независимыми реакциями образования соста1ВЛЯющих из компонентов, условиться записывать эти реакции с единичными стехио-метрическкми коэффициентами у образующихся веществ (т. е. на моль зависимого составляющего), использовать для компонентов начальные значения индекса / в Vji от 1 до с и упорядочить номера реакций (/) так, чтобы для зависимых составляющих j = + l. Такая каноническая форма стехиометрической матрицы имеет вид [c.180]

Изменения нестехиометричности диборида с температурой были использованы выше для объяснения уменьшения скорости реакции при 811 и 923 К. Можно ожидать, что легирование даст подобный же эффект. Повторный анализ [20] данных Руди [36] о составе диборидов показал, что дибориды титана, молибдена и гафния имеют недостаток бора по сравнению со стехиометриче-ским составом, тогда как область гомогенности диборидов ванадия, ниобия и тантала симметрична относительно стехиометриче-ского состава. Ограниченные данные о составе диборида циркония не дают возможности установить степень его нестехиометричности. Все указанные дибориды изоморфны, и поэтому легирование диборида с недостатком бора, например диборида титана, одним из диборидов с избытком бора будет сопровождаться уменьшением количества вакантных позиций бора вплоть до очень малых величин при переходе состава через стехиометрический. Можно предположить, что этим эффектом объясняется минимальное значение скорости реакции при содержании в матрице —30% V (рис. 16). В продукте реакции стехиометрического состава остаточные вакансии являются термическими, и поэтому уравнение, приведенное выше, в этом случае неприменимо. В рассмотренном анализе предполагалось дополнительно, что изменение состава диборида по мере приближения к стехиометрии происходит только путем уменьшения числа вакансий в позициях бора. [c.117]

Существенным недостатком термического метода является сложность получения пленок строго стехиометрического состава из сплавов и сложных химических соединений, а также низкая адгезия, сильно зависящая от состояния поверхности подложки и методов се очистки, от условий нанесения пленки и т. д. Из широко используемых в микроэлектронике химических соединений лишь относительно немногие испаряются без диссоциации (например, ЗЮг, SnO, В2О3 и др.). При испарении же таких соединний, как А" — в газовую фазу поступают частицы диссоциировавших молекул. На подложке они вновь могут объединяться в молекулы, но пленка получается обычно нестехиометрического состава. Большое число соединений, например А —В , и многие сплавы состоят из компонентов, обладающих резко различной летучестью, вследствие чего при испарении в газовую фазу поступают преимущественно более летучие компоненты. Это приводит, как правило, к сильному нарушению стехиометрии состава выращенных пленок. Для преодоления этой трудности пользуются специальными методами испарения, такими как испарение из двух источников, методом вспышки, при котором испаряются малые навески составляющих элементов напыляемой пленки, и др. Для получения пленок окислов применяется так называемое реактивное напыление, при котором в камере поддерживается относительно высокое давление кислорода (от 10 до 1 Па), обеспечивающее полное окисление пленок на поверхности подложки. [c.62]

На рис. 32 показана зависимость тока коррозии железа (рассчитанного из потерь массы образцов) от концентрации N02 и NOa в подкисленном растворе (pH 2,1).. Наклон начальных участков кривых 1 1 2 прямопропорционален числу электронов в реакциях, восстановления оксоанионов (Ох). Предельные значения токов коррозии достигаются при концентрации окислителя (критической), соответствующей стехиометрическим соотношениям компонентов в реакциях (13, 14, 20) и (15. 16) [64]. [c.64]

При вытекании газа из насадкн в неподвижный воздух образуется струя, характер которой зависит от того, вытекает ли из насадки ламинарный или турбулентный поток. Если поток ламинарный, то струя из насадки движется, сначала практически не расширяясь, и ее массообмен с окружающим воздухом происходит только путем молекулярной диффузии, т. е. очень медленно Лишь на некотором расстоянии Н от сопла появляются гребни и завихрения, указывающие на наступление турбулентного состояния, которое постепенно охватывает все сечение факела. По мере увеличения скорости вытекания газа расстояние Н уменьшается (рис. 55 и 56) и становится близким к нулю в области критических значений числа Рейнольдса (для вытекающего потока). Размытые края струи до начала турбулентного состояния (см. рис. 55) указывают на наличие процесса молекулярной диффузии между газом и окружающей воздушной оболочкой, увлекаемой движущимся газом [63]. Взаимодействие этих потоков, по-видимому, и приводит в конце концов к турбулизацин струи газа. В горящем факеле расстояние Я до начала турбулентного состояния несколько больше (сказывается влияние температуры), чем в холодной струе, при одинаковой в обоих случаях скоростях газа, причем горение здесь происходит по периферии газовой струи, т. е. там, где в результате молекулярной диффузии образуется стехиометрическая смесь следует отметить, что в этой части факел имеет форму ровного пучка. [c.112]

Смотреть страницы где упоминается термин Стехиометрические числа : [c.176] [c.179] [c.180] [c.186] [c.29] [c.27] [c.148] [c.478] [c.478] [c.19] [c.600] [c.143] [c.293] [c.62] [c.57] [c.90] [c.196] [c.8] [c.196] [c.134] [c.211] [c.14] [c.60] [c.291] [c.180] [c.350] [c.123]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...