Матрица стехиометрическая

В результате работы подпрограммы IPT заполняются поля общего блока (Ш) Р —давление Т —температура М—число элементов К —число компонентов В — молярное содержание элементов SMB — обозначения химических элементов АЛ — матрица стехиометрических коэффициентов F — значения Ф,-. [c.458]

Чтобы это показать, воспользуемся свойствами матрицы стехиометрических коэффициентов. Для произвольного базиса Фу = 1 для I = /, [c.168]

Матрица стехиометрических коэффициентов Г построена таким образом, что [c.179]

V — стехиометрическая матрица химической реакции (21.17) [c.8]

Вся нижняя часть ее, начиная с j = +l, представляет собой единичный блок (подматрицу). Например, стехиометрическая матрица для уравнений (21.14), (21.15) [c.181]

При составлении стехиометрической матрицы учитываться должны только такие химические реакции, которые проходят при заданных условиях до равновесного состояния. Выяснить это, однако, можно, только зная возможности химических прев ращений каждого из реагентов. Поэтому компонентный состав системы необходимо знать вне зависимости от того, выбраны ли независимыми переменными количества составляющих или степени протекания химических реакций. [c.181]

Во всех случаях объясняется это тем, что факторы, вызывающие образование соединения в твердом состоянии, действуют и в жидком (исключая случай чистых электронных соединений), образуя ассоциации атомов с характеристиками структуры и связи, отличными от характеристик жидкой матрицы. Концентрация комплексов достигает максимума при составе, который диктуется этими факторами и который обычно совпадает со стехио-метрическим составом твердого соединения. Так как межатомные расстояния в комплексе отличаются от расстояний в жидкой матрице из-за различия в характере связи, изучение дифракции обнаруживает два ближайших расстояния, объясняемых наличием комплексов, или даже одно, если комплексообразование прошло нацело. Таким же образом степень ближнего порядка достигает максимума при стехиометрическом составе, и в результате парциальные и интегральные термодинамические параметры (особенно энтропия раствора) отклоняются от оси симметрии при этом составе. [c.176]

Для образования зародыша частицы хромистого карбида концентрация атомов хрома в зоне выделения должна соответствовать средней концентрации хрома в стали. В процессе отпуска содержание хрома в карбиде возрастает выше среднего содержания его в стали, стремясь к насыщению до стехиометрического соотношения. Такое возрастание (до 90% от массы карбида) концентрации хрома, естественно, может идти только вследствие притока атомов из окружающей аустенитной матрицы. В результате этого вокруг частицы карбида образуется зона, обедненная атомами хрома. Можно предположить, что обеднение хромом матрицы произойдет только в том случае, если флуктуации с высокой концентрацией атомов хрома возникли раньше, чем углеродные. [c.117]

Композиция MgO — UO2 наименее подходящая для использования при высоких температурах. Матрица из MgO плохо удерживает газообразные продукты деления 388]. Измерена скорость выделения Хе из образцов MgO — 29 вес.% UO2. В интервале температур 100—600° С относительное газовыделение остается постоянным, а при более высоких температурах количество Хе быстро увеличивается и при 800° С практически выделяется весь образовавшийся ксенон, если используется двуокись урана с атомным отношением 0/U -= 2,08 и 20—25%, если используется двуокись урана стехиометрического состава. Скорость диффузии ксенона в окиси магния очень высока [3891. [c.109]

Первый индекс элемента Г,/ стехиометрической матрицы Г связан с номером продукта реакций, а второй - с номером химической реакции. Матрица Г имеет размерность (г X R) [c.179]

Эта матрица содержит сл коэффициентов. Число требующихся для запоминания (в ЭВМ) коэффициентов можно, однако, сократить до сг (согласно (1.4) с = с—г), если пользоваться независимыми реакциями образования соста1ВЛЯющих из компонентов, условиться записывать эти реакции с единичными стехио-метрическкми коэффициентами у образующихся веществ (т. е. на моль зависимого составляющего), использовать для компонентов начальные значения индекса / в Vji от 1 до с и упорядочить номера реакций (/) так, чтобы для зависимых составляющих j = + l. Такая каноническая форма стехиометрической матрицы имеет вид [c.180]

Ионно-плазменная модификация поверхностных слоев сопровождается образованием тонких покрытий с особой структурой, которое происходит в неравновесных условиях. При взаимодействии ионных потоков на фанице подложки с гюкрытием происходят сложные физикохимические процессы, такие, как диффузия компонентов покрытия в материал основы, эпитаксиальный рост кристаллитов на подложке, текстурирование микрообъемов гюкрытия, образование хрупких соединений в области границы раздела. Вследствие протекания плазмохимических процессов при взаимодействии элементов покрытия с матрицей, а также с атомами рабочего газа возможно образование неравновесных структур, новых химических соединений и фаз нестехиометри-ческого состава. Проблемы получения качественных покрытий связаны с формированием однородных стехиометрических поверхностных слоев требуемого состава с высокой адгезией к материалу основы. Достиже- [c.181]

Изменения нестехиометричности диборида с температурой были использованы выше для объяснения уменьшения скорости реакции при 811 и 923 К. Можно ожидать, что легирование даст подобный же эффект. Повторный анализ [20] данных Руди [36] о составе диборидов показал, что дибориды титана, молибдена и гафния имеют недостаток бора по сравнению со стехиометриче-ским составом, тогда как область гомогенности диборидов ванадия, ниобия и тантала симметрична относительно стехиометриче-ского состава. Ограниченные данные о составе диборида циркония не дают возможности установить степень его нестехиометричности. Все указанные дибориды изоморфны, и поэтому легирование диборида с недостатком бора, например диборида титана, одним из диборидов с избытком бора будет сопровождаться уменьшением количества вакантных позиций бора вплоть до очень малых величин при переходе состава через стехиометрический. Можно предположить, что этим эффектом объясняется минимальное значение скорости реакции при содержании в матрице —30% V (рис. 16). В продукте реакции стехиометрического состава остаточные вакансии являются термическими, и поэтому уравнение, приведенное выше, в этом случае неприменимо. В рассмотренном анализе предполагалось дополнительно, что изменение состава диборида по мере приближения к стехиометрии происходит только путем уменьшения числа вакансий в позициях бора. [c.117]

Пористая структура спеченных образцов (пористость 15 %) позволяет легко распространяться азоту в процессе азотирования по всему их объему, в результате чего образуются равномерно распределенные в матрице у-твердого раствора дисперсные вьщеления TiN. Для определения периода решетки TiN использовали дифрактографическое отражение от плоскости (220). При этом полученное значение периода решетки ((4,243 0,003) 10 м) соответствует стехиометрическому составу TiN. Средний размер частиц дисперсного TiN, определенный рентгеновским методом по уширению дифракционной линии (220), составил 30...40 нм. Метод определения дисперсности частиц в таких дисперсноупрочненных материалах известен в литературе. [c.442]

Не останавливаясь на деталях использования легированных матриц твердотельных лазеров ввиду обилия специальной литературы [106—108, 110, 111], переходим к анализу возможностей, открываемых так называемыми стехиометрическими или самоак-тивированными лазерными средами. [c.233]

Главным отличием стехиометрических лазерных сред от легированных является вхождение активируемых ионов в узлы кристаллической решетки матрицы. Это при обеспечиваемом кристаллохимически достаточном взаимном удалении указанных ионов [c.233]

На втором этапе происходило уплотнение иС, для чего к образцу прикладывали нагрузку 0,3 т1см , снижали температуру до 1700° С и выдерживали при этом 30 мин. Температуру снижали для того, чтобы избежать получения крупнозернистых и хрупких образцов, разрушавшихся при извлечении из пресс-формы. С другой стороны, при температуре выше 1900° С монокарбид очень пластичен и выдавливается в зазор между стенками матрицы и пуансоном. Скорость охлаждения 300 град ч. Увеличение давления выше 0,3 т/см" и времени выдержки более 60 мин не привело к повышению плотности. При извлечении образца пресс-форму разрушали, а вольфрамовую фольгу сошлифовывали. Плотность достигала 90% теоретической, однако структура была гетерогенной. При соотношении компонентов иОг и С, рассчитанном на получение ПС стехиометрического состава, образцы содержали до 30% иСг. Снижение содержания углерода в шихте не приводило к заметному уменьшению количества дикарбида в образце. Так как весовые потери образца (в виде СО) превышали ожидаемые по расчету, и при этом происходило обогащение карбида углеродом, объяснение вышеуказанного изменения состава связывалось с испарением материала, богатого ураном. [c.175]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...