Коэффициенты стехиометрические

Стехиометрические коэффициенты при Ог указывают количество кубометров кислорода, теоретически необходимое для сжигания 1 м соответствующего газа. Учтя объемные содержания этих газов в 1 доменного и поделив на объемное содержание кислорода в воздухе (0,21), получим [c.214]

Образование сажи в камере сгорания дизеля представляет собой объемный процесс термического разложения углеводородов топлива в условиях большого недостатка кислорода. Во фронте пламени состав смеси близок к стехиометрическому, причем локально в зоне впрыскиваемой топливной струи смесь может быть богатой, вплоть до случая, когда коэффициент избытка воздуха а О (чистые пары топлива). Диапазон а, в котором происходит образование сажи, составляет 0,33 0,7. В этой зоне происходит реакция разложения (пиролиза) молекул углеводородного топлива [c.11]

Для других концентраций раствора pH будет изменяться по формуле pH = Л — 1/п Ig с, где А — значение pH для 1 н. концентрации катиона с — концентрация катиона п — стехиометрический коэффициент перед И . [c.415]

V// — стехиометрический коэффициент при j-м составляющем в / й химической реакции (7.22) [c.8]

Равенство (16.27) можно рассматривать как уравнение химической реакции, аналогичной (16.23), но происходящей между компонентами системы. Сумма по /, заключенная в (16.27) в скобки, имеет при этом смысл стехиометрического коэффициента при символе t-ro компонента. Но по определению компоненты не могут реагировать др т с другом, поэтому (16.27) выполняется только при равенстве нулю всех стехиометрических коэффициентов [c.144]

Для любой /-Й независимой реакции с участием /-го вещества стехиометрический коэффициент Vjr-фО, и, так как вариации независимые, из этого выражения следует (16.17), как в слу- [c.145]

Аналогично вектору (21.2) для реакции (21.1) при описании /-Й независимой реакции (7.22) удобно рассматривать упорядоченный набор ее стехиометрических коэффициентов как стехиометрический вектор этой реакции [c.180]

Vi, V] - стехиометрические коэффициенты реакции. [c.147]

Пусть гомогенная система состоит из п веществ I ( =1, 2,. ... .., п), между которыми могут протекать г химических реакций / 0=1, 2,. .., г). Если Л/ — число частиц сорта I И V — стехиометрический коэффициент вещества I в реакции /, то изменение числа /(У частиц сорта I за промежуток времени (И в реакции / равно [c.12]

Уравнения (10.36) или (10.37) представляют собой закон действующих масс отношение произведения степеней концентраций веществ, вступающих в реакцию, к произведению степеней концентраций веществ, появляющихся в результате реакции, с показателями, равными соответствующим стехиометрическим коэффициентам, есть величина постоянная при постоянных температуре и давлении. [c.197]

Vij — стехиометрический коэффициент вещества i в реакции j, то изменение числа djN частиц сорта / за промежуток времени d/ в реакции j равно [c.260]

Таким образом, парциальные давления газов при равновесии связаны между собой определенным соотношением, о соотношение и является выражением закона действующих масс, по которому отношение произведений парциальных давлений исходных веществ и продуктов реакции, взятых в степенях, равных их стехиометрическим коэффициентам в уравнении реакции, при постоянной температуре, есть величина постоянная. Оно называется константой равновесия химической реакции по парциальным давлениям — /Ср. [c.211]

Стехиометрические коэффициенты 14 Сходимость по Коши 68 [c.314]

Уравнение (1.4.1) неудобно тем, что в нем применены разные обозначения для продуктов реакции и исходных веществ. Различным образом обозначены и стехиометрические коэффициенты. При математическом моделировании химических реакций целесообразно использовать одинаковые обозначения для всех веществ, участвующих в реакции. Поэтому вместо уравнения (1.4.1) в дальнейшем будем применять уравнение вида [c.34]

В этом уравнении через Zi, , Z обозначены исходные вещества реакции, Z +i,. .., 1т — продукты реакции. Стехиометрические коэффициенты ai,. .., п, соответствующие исходным веществам, приняты отрицательными, а коэффициенты + ,. .., а, , соответствующие продуктам реакции, — положительными. [c.34]

Обозначим через т —общее число веществ, участвующих в реакциях ( — число реакций, одновременно протекающих в аппарате aij — стехиометрический коэффициент для t-ro вещества в /-й реакции. Напомним, что ati < О, если г-е вещество является исходным для /-Й реакции ац > О, если это вещество образуется в ходе реакции, и = О, если вещество не участвует в реакции. [c.34]

Наиболее простой вид имеет математическая модель химического реактора периодического действия. Будем считать, что в реакторе идет единственная реакция превращения вещества X в вещество Y по схеме aX->Y, где а — стехиометрический коэффициент. Предположим, что порядок реакции равен п (часто полагают а = п, см. раздел 1.4.). При периодическом проведении процесса исходный материал с заданной концентрацией с о вещества X загружается в момент времени / = О и находится в реакторе в течение определенного времени до достижения некоторой конечной концентрации вещества X. Уравнение, описывающее процесс изменения концентрации в объеме реактора имеет вид [c.244]

Здесь взяты абсолютные значения dN, поскольку при продвижении реакции, например, слева направо для исходных веществ dN >0, тогда как стехиометрические коэффициенты всегда положительны. [c.224]

Все dN в этих выражениях в соответствии с уравнением реакции относятся как стехиометрические коэффициенты. Суммируя выражения для dф и повторяя те же преобразования что и выше, вновь получаем [c.228]

В результате работы подпрограммы IPT заполняются поля общего блока (Ш) Р —давление Т —температура М—число элементов К —число компонентов В — молярное содержание элементов SMB — обозначения химических элементов АЛ — матрица стехиометрических коэффициентов F — значения Ф,-. [c.458]

Здесь Аа — химические символы исходных реагирующих веществ, Vи — стехиометрические коэффициенты, штрих относится к продуктам реакции, индекс г обозначает номе]з реакции, I — число реакций. [c.55]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

При значении а = 1,2...1,6 получаются так называемые защитные пленки, пассивирующие металл. Учитывая отклонения состава многих оксидов металлов от стехиометрического, а следовательно, колебания их молекулярной массы и плотности, можно считать критерий а лишь оценочным, но тем не менее отображающим действительные условия сплошности. Рост толщины пленки всегда начинается в кинетическом режиме, т. е. лимитируется кинетикой химической реакции (логарифмический закон), но затем, после создания сплошной пленки, ее рост или практически прекращается из-за малых коэффициентов диффузии, или продолжается в результате диффузионных процессов. Диффузия определяется или постоянством градиента (линейный закон роста пленки), или условием 6grad = onst (параболический закон роста). Различные законы роста пленки показаны на рис. 8.22. [c.308]

Эта матрица содержит сл коэффициентов. Число требующихся для запоминания (в ЭВМ) коэффициентов можно, однако, сократить до сг (согласно (1.4) с = с—г), если пользоваться независимыми реакциями образования соста1ВЛЯющих из компонентов, условиться записывать эти реакции с единичными стехио-метрическкми коэффициентами у образующихся веществ (т. е. на моль зависимого составляющего), использовать для компонентов начальные значения индекса / в Vji от 1 до с и упорядочить номера реакций (/) так, чтобы для зависимых составляющих j = + l. Такая каноническая форма стехиометрической матрицы имеет вид [c.180]

Рис. 22.199. Температурные зависимости удельного сопротивления (а), коэффициента Холла (б) и подвижности дырок (а) поперек оси с для различных кристаллов p-GeSe стехиометрического состава [301]

Рис. 22.199. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> (а), <a href="/info/16473">коэффициента Холла</a> (б) и подвижности дырок (а) поперек оси с для различных кристаллов p-GeSe стехиометрического состава [301]

Рассмотрим теперь случай, когда в аппарате одновременно осуществляется несколько реакций. Каждая из них описывается своим уравнением вида (1.4.2). Будем считать, что участвующее хотя бы в одной реакции вещество входит во все стехиометрические уравнения. Если это вещество не участвует в какой-либо реакции, примем равным нулю соответствующий стехиометриче-ский коэффициент. [c.34]

Смотреть страницы где упоминается термин Коэффициенты стехиометрические : [c.359] [c.148] [c.21] [c.21] [c.73] [c.90] [c.335] [c.8] [c.144] [c.176] [c.178] [c.121] [c.304] [c.196] [c.134] [c.136] [c.211] [c.350] [c.14] [c.60] [c.34] [c.218] [c.229] [c.231] [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...