Магнитосопротивление

Основные теоретические и экспериментальные представления о магнитосопротивлении металлов имеются в [4—6]. В табл. 30.3, 30.4 и на рис. 30.24—30.53 приведены основные данные о МС металлов. Следует заметить, что при температуре 20°С и обычно используемых значениях магнитной индукции В 1 Тл (о)т, ) Др/р для большинства металлов весьма мало. Например, для меди Лр/р ]0- при 3 = 2 Тл. Исключением является висмут, для которого Ар/р 2 при 6=3 Тл. [c.738]

Это же относится и к магнитосопротивлению. В слабых полях магнитосопротивление становится положительным. Только когда магнитное поле становится настолько сильным, что определенное формулой (11.35) характерное время tf < sof или [c.190]

Помимо осцилляционного эффекта, связанного с интерференцией особых траекторий, в вероятности рассеяния имеются и другие интерференционные члены, которые сильно зависят от поля и приводят к беспорядочным флуктуациям на кривой магнитосопротивления. В противоположность тепловому шуму эти флуктуации полностью воспроизводимы для данного образца, ибо [c.201]

Магнитный пробой 172 Магнитоакустический резонанс 211, 216 Магнитосопротивление поликристаллов 88 Магноны 496 [c.519]

Сопротивление кристалла при наличии внешнего однородного постоянного магнитного поля называется магнитосопротивлением. При исследовании магнитосопротивления можно выделить два э екта а) непрерывное изменение сопротивления при изменении магнитного поля б) осциллирующее изменение сопротивления. Первый эффект может быть объяснен на квазиклассическом языке как следствие спирального движения электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях. Для объяснения второго эффекта надо привлекать представления о квантовании движения. [c.192]

Магнитосопротивление в малых и средних магнитных полях. Тензор проводимости характеризует линейный отклик кристалла, находящегося в магнитном поле, на приложенное внешнее электрическое поле. Усредненная по осцилляциям малой амплитуды (обусловленной квантованием) плавная зависимость тензора проводимости от магнитного поля может быть определена квазиклассической теорией. [c.192]

Магнитосопротивление в очень сильных магнитных полях. Если т —время релаксации, то при выполнении неравенства [c.198]

Предельные значения удельного магнитосопротивления [c.200]

Рассмотренный выше простейший вариант теории магнитосопротивления (т —приближение, сферическая поверхность Ферми) не претендует даже на качественное описание зависимости сопротивления от магнитного поля. Такая зависимость существенно определяется формой поверхности Ферми и деталями процессов релаксации дырок и электронов, поэтому теория должна развиваться для конкретных кристаллов. [c.200]

Первая теория магнитосопротивления для кристаллов с анизотропной эффективной массой без учета анизотропии времен релаксации была развита в работах [94, 95]. Учет анизотропии эффективных масс и времен релаксации в случае сильных и слабых магнитных полей был проведен в работе [96]. Обитая теория, [c.200]

До сих пор речь шла только о замкнутых поверхностях Ферми. Многие металлы имеют открытые поверхности Ферми. В этом случае для некоторых направлений магнитного поля траектории носителей заряда открытые, а для других — закрытые. В таких металлах (железо, медь, олово, золото, серебро, кадмий, платина, свинец и др.) магнитосопротивление обладает резкой анизотропией. При при направлениях магнитного поля, соответствую- [c.201]

Осцилляции магнитосопротивления 311 Открытая система 297 [c.638]

Магнитный момент атома 2.13 Магнитосопротивление 18.10 [c.633]

Размерный эффект в магнитосопротивлении [c.109]

И продольный и поперечный размерные эффекты в магнитосопротивлении проявляются на сложном фоне объемного магнитосопротивления, которое чувствительно как к деталям топологии поверхности Ферми [19], так и к деталям механизмов объемного рассеяния. Поскольку такие эксперименты дают нам сравнительно мало сведений о физике поверхности, мы вынуждены отказаться от их дальнейшего обсуждения. [c.109]

Фиг. 5.7. Зависимость от магнитного поля величины поперечного и продольного магнитосопротивления образцов РЬЗ при 77,4 К и 4,2 К [24].

В настоящее время антимоиид индия применяется в инфракрасных детекторах и магнитосопротивлений, изготовляемых в промышленном масштабе. Изучаются возможности его применения в других областях. [c.240]

На рис. 3.21 показаны схемы антиферромагнитного а) и ферромагнитного б) упорядочения в магнитных сверхрешетках, а также зависимость магнитосопротивления от толщины хромового слоя в пленке Ре —Сг (в). Считается, что в случае параллельного антиферромагнитного упорядочения рассеяние носителей на магнитных моментах, направленных вдоль магнитного поля, существенно уменьшается, что и сказывается на значительном уменьшении электросопротивления. Второй небольшой максимум на кривой (см. рис. 3.21, в) связан с осциллирующим характером изменения обменной энергии в зависимости от толщины немагнитного объекта. [c.77]

Рис. 3.21. Схемы антиферромагнитного (антипараллельного) (а) и ферромагнитного (параллельного) (б) упорядочения в магнитных сверхрешетках влияние толщины слоя хрома на магнитосопротивление (в) многослойных пленок Ре —Сг толщиной 1,1 нм при температуре 5 К [21]

Лауэвский класс симметрии I 189 Ликвационный квадрат I 18, 22 Ликвация I 18, 22 Линейные элементы 1 173 Людерса линии 2 201 Магнитосопротивление 2 83 Магнитная проницаемость 2 93, 108 Магнитное состояние, методы измерения [c.456]

Ко второму классу относятся безэлектродные методы, в которых удельное сопротивление определяется путем измерения и анализа импеданса на переменном токе катушки индуктивности, обусловленного вихревыми токами в образце, помещенном в поле этой катушки. Метод такого типа может быть использован также для получения информации о коэффициенте Холла и магнитосопротивлении [196]. Однако на практике этим методом обычно определяют только удельное сопротивление путем анализа сдвига фаз. Примерами измерений в стационарном состоянии являются работа Есима и др. [267] и исследования жидкого селена Гобрехта и др. [ПО]. Ли и Лихтер [15] провели детальное обсуждение применений указанного метода для изучения металлических сплавов. Хайсти [116, 117] разработал нестационарный метод измерений, в котором образец падает сквозь катушку резонансного контура генератора радиочастотных колебаний. Этот метод требует получения калибровочной кривой генератора колебаний и специальной геометрии контейнера для образца, но он позволяет производить быстрые измерения и может быть использован для очень широкой области значений удельного сопротивления [118, 119]. Однако точность измерений этим методом ограничена 10—20 % [c.75]

Выражение (18.10.10) показывает, что, пока выполняется основное предположение 1, магнитосопротивление параболически [c.486]

Магнитокристаллическое магнитное поле 354 Магнитооптический эффект 64 Магнитосегнетоэлектрики 34 Магнитосопротивление 213 Магнитострикция 55, 361 [c.551]

Магнитное поле всегда увеличивает объемное сопротивление [19]. Однако Макдональд [20] обнаружил, что сопротивление тонкой натриевой проволоки уменьшается в продольном магнитном поле Я, а в поперечном поле сначала растет, а затем убывает. Это отрицательное продольное магнитосопротивление, как выяснил Макдональд [20], вызвано спиральными орбитами электронов в магнитном поле, которые предотвращают попадание определенной части электронов на рассеивающую поверхность. Чемберс [5] дал аналитический расчет этого эффекта (для случая = 0), продемонстрировав тем самым эффективность своего кинетического метода (см. приложение). [c.109]

Зондхаймер [21] довел до конца теоретический анализ поперечного магнитосопротивления Дрг тонкой пленки (Я перпендикулярно поверхности), проведенный методом Больцмана—Фукса. Он получил, что Арт является осциллирующей функцией Я. Природа этих осцилляций, однако, оставалась неясной до работы Чемберса [5] (см. приложение). Эти осцилляции наблюдались в индии [22] и в алюминии [23]. [c.109]

Земел 45] и Амит [47] попытались решить проблему, используя метод Больцмана—Фукса. Их расчеты, однако, игнорировали возможность того, что неоднородные плотности тока вызывают появление неоднородных холловских полей. Эти расчеты предполагали также постоянство величины т и сферичность изоэнергетических поверхностей, так что они не дают существенных вкладов объема в эффект Холла и магнитосопротивление. По этим причинам теория поверхностных гальваномагнитных эффектов должна быть признана находящейся в неудовлетворительном состоянии. Отдельные расчеты эффектов несферичности [c.113]

Осциллирующая зависимость ер от ё, производимая размерным квантовым эффектом, должна также приводить к осцилляциям в явлениях переноса [120, 121]. Такие осцилляции в удельном сопротивлении, коэффициенте Холла и магнитосопротивлении в слабых магнитных полях наблюдали Огрин и др. [125] в висмуте. Соответствующие эффекты в туннельных токах в структуре висмут—вакуум—пленка висмута были обнаружены Луцким и др. [124]. [c.146]

Для изотропной энергетической поверхности Л1авс= 0. Если объемное время релаксации не зависит от энергии, поперечное магнитосопротивление должно быть равно нулю (АВС)Х [c.327]

Смотреть страницы где упоминается термин Магнитосопротивление : [c.247] [c.140] [c.112] [c.230] [c.44] [c.88] [c.187] [c.190] [c.519] [c.200] [c.201] [c.638] [c.484] [c.485] [c.261] [c.268] [c.113] [c.113] [c.140] [c.325] [c.325] [c.621]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...