Ганы характеристики

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТЫ — скачкообразный обратимый переход полупроводника (или полупроводниковой структуры) из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрик, поля, превышающего пороговое значение п = Ю —Ю В/см, П. э. наблюдаются в полупроводниках, у к-рых вольт-амперная характеристика (ВАХ) имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Такой характер ВАХ обусловлен формированием электрик, доменов (для ВАХ А-типа см. Ганна аффект, Ганна диод) или токовых шнуров (для ВАХ iS-типа см. Шнурование тока). [c.558]

Британские алюминиевые сплавы были тщательно исследованы Ганном [966] на образцах с диаметром в сравнительно узком интервале от 6,4 до 10 мм. Полученные им результаты, также приведенные в указанной выше таблице, наводят на мысль о том, что свойственное материалам непостоянство характеристик есть фактор большего значения, чем влияние размеров. [c.82]

Подбор свечей для двигателя производится по их тепловой характеристике, которая Рис. 59. Свеча зажи-косвенно определяется длиной а юбочки изо- гания (неразборная) лятора. При малой нагрузке и холостом ходе нагрев юбочки изолятора должен быть достаточно высоким для полного сгорания на нем масла. При большой нагрузке и высоких оборотах вала двигателя нельзя допускать перегрева изолятора, так как это приводит к преждевременному воспламенению рабочей смеси. [c.117]

Техническая характеристика гербицидно-аммиачной машины ГАН [c.11]

Рис. 6.6. Колебательный контур с элементом Д, имеющим отрицательное сопротивление (а) вольт-амперная характеристика элемента К в случае туннельного диода (б) и зависимость средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля в случае диода Ганна (е)

Два примера на линейные молекулы (все энергетические характеристики в кель-ганах) [c.190]

ДИОДЫ, газоразрядные приборы, многосеточные электронные лампы, тиристоры, диоды Ганна, джозефсононские сверхпроводящие контакты и другие приборы. В случае параллельного подсоединения нелинейного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением к параллельному контуру необходимо использовать элемент с характеристикой Л -типя, показанного на рис. 5.2, так как общим для всех элементов такой колебательной системы является напряжение и. Уравнение Кирхгофа для этой системы (рис. 5.4) имеет вид [c.189]

Для нелинейного усилителя, описываемого ур-нием (4), аналогом рис. 4 является А-образная вольт-ампер-ная характеристика, содержащая падающий участок. В ряде устройств полупроводниковой электроники Ганна диод, туннельный диод и Др.) аналогичный А-образный вид вольт-амперной характеристики реа-ЗоО лизуется благодаря положительной О. с., возникающей [c.386]

Полупроводники типа GaAs или 1пР в сильных электрич. полях позволяют реализовать характеристику А-типа в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от напряжённости электрич. поля (Ганна эффект.). В сильном электрич. поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение (на катоде), движение по образцу и исчезновение домена (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внеш. цепи, частота к-рых в простейшем случае определяется длиной образца L и скоростью V дрейфа электронов в поле (ш v L) и может достигать 100 ГГц. [c.514]

Вели темп-ра носителей зависит от электрич.. поля, то закон Ома не выполняется, а вид вольт-амперных характеристик П. (ВАХ) определяется мв. факторами. Разогретые носители могут, напр., оказаться в др. области энергетич. спектра и прв этом резко изменить свок) подвижность. Это может привести к неустойчивости, примером к-рой является Ганна эффект (см. также Плазма твёрдях тел). Др. видом неустойчиво- [c.41]

Доменная неустойчивость (см. Низкотемпературная плазма) в Т. р. приводит к возбужденкю высокочастотных (МГц) колебаний, связанных с образованием слоев с повышенным сопротивлением, бегущих вдоль электрич. поля. Из-за Л -образной зависимости дрейфовой скорости электронов от поля могут возбуждаться домены, аналогичные доменам Гана в полупроводниках. В электро-отрицат. газах (имеющих отрицат. ионы) с увеличением Е сильно растёт скорость прилипания электронов, что приводит к возникновению неустойчивости. Эта неустойчивость во многом аналогична рекомбинационным доменам в полупроводниках. Домены большой амплитуды движутся от катода к аноду с большой скоростью ( 0 см/с) и существенно изменяют нек-рые характеристики ПС Т, р. < // > и т. д. [c.119]

Каименование операции и перехода механт ской доводки (размеры, мм) Характеристика оборудования и инструмента — прнтира Вид абразива для доводки и правки притиров Качество обрабо поверхности Шероховатость, мкм ганной Точность геометри- ческой формы. мм [c.132]

Изложенное имеет особенно важное значение при исследовании. полей динамических деформаций в энергетическок оборудовании, так как в этом случае имеет место соче гание неблагоприятных условий совпадение диапазонов рабочих частот и помех, имеющих очень высокий уровень низкий уровень измеряемых динамических деформаций при значительной постоянной составляющей и необходимость одновременного измерения деформаций в большом числе точек для получения характеристик поля напряжений и возмущающих сил. Поэтому была проведена разработка динамической аппаратуры с обеспечением помехоустойчивости за счет питания тензорезисторов переменным напряжением, но с сохранением преимущества потенциометрических схем, связанного с отсутствием балансировки входных цепей. [c.19]

Ю /м. Стейнбек [72], Ганн [73], О Нил и Бонд [74] также провели измерения теплопередачи на треугольных крыльях и стреловидных затупленных передних кромках при сверхзвуковых скоростях. Геометрические характеристики модели, использованной Томаном [71], схема и спектр течения на стороне разрежения треугольного крыла с дозвуковыми передними кромками показаны на фиг. 72 и 73. [c.163]

При проектировании автомобиля материал и размеры детали часто приходится подбирать на основании данных механических характеристик материала, полученных при стендовых нспы- ганиях стандартных образцов. В этом случае необходимо установить зависимость между пределом выносливости образца а , испытанного при симметричном цикле нагружения, и пределом выносливости детали ст д при асимметричном цикле нагружения с коэффициентом асимметрии г. [c.227]

Чтобы получить регулировочную характеристику, испытывают двигатель, поддерживая неизменным число оборотов коленчатого вала, положение дроссельной заслонки и температуру охлаждающей воды. При испь ганиях изменяют только регулировку карбюратора, устанавливая последовательно топливные жиклеры с раз- [c.176]

Контролируемые параметры элементов системы зажигания (катущек зажи- гания, коммутаторов, прерывателей-распределителей, датчиков-распределителей) определяются при работе каждого из этих элементов на специальном стенде, где смонтирована система зажигания, в которой все остальные элементы, кроме испытываемого, являются эталонными, т. е. имеют характеристики, полностью отвечающие требованиям стандартов и технических условий. Роль эталонных свечей при этом выполняет трехэлектродный игольчатый разрядник (ОСТ 37.003.073—85) с заданным искровым промежутком, а роль эталонного датчика может выполнить имитатор датчика. [c.206]

Поясним образование участка аЪ на характеристике V = у Е) (рис. б.бв) или 2 = 2 Е) ( падающий участок па рис. 6.76) для диода Ганна [6]. На рис. 6.7 представлена структура энергетических зон арсе-пида галлия СаАб — полупроводника и-типа, который является сейчас наиболее распространенным материалом для диодов Ганна. В СаАб в [c.142]

Метод характеристик обладает определенными преимуществами перед другими численными методами, поскольку, как правило, устойчив. На характеристических линиях упрощаются уравнения, количество независимых переменных уменьшается на единицу. Граничные точки, точки на ударной волне и свободной границе рассчитываются независимо друг от друга, и поэтому в отличие, скажем, от метода сеток здесь отпадает необходимость в использовании прогонки. Но главное преимущество метода характеристик заключается в том, что в нем учитывается распространение возмущений это позволяет строго учитывать такие явления, как центриро-ганные волны разрежения, висячие ударные волны, контактные поверхности. И, наконец, в методе характеристик обычно выстраиваются линии тока, вдоль которых интегрируются уравнения, описывающие протекающие в потоке физико-химические процессы. [c.127]

Диоды Гаииа имеют однородную полупроводниковую структуру (без перехода) с невыпрямляющими контактами выводов. Вольт-амперная характеристика диода Ганна, снятая на постоянном токе, в начальной части подобна характеристике обычного резистора. На СВЧ диод Ганна обладает отрицательным сопротивлением. Появление отрицательного сопротивления на отдельных определенных частотах СВЧ диапазона обусловлено объемными эффектами, возникающими при высокой напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых материалах (арсенид галлия). Упомянутые эффекты были обнаружены в 1963 г. английским физиком Д. Ганном, установившим, что при приложении электрического поля, превышающего некоторое критическое значение, к произвольно ориентированным однородным образцам с двумя омическими контактами во внешней цепи возникают колебания тока. Период колебаний приближенно равнялся времени пролета электронов от катода к аноду, и для использованных Ганном образцов частота колебаний лежала в СВЧ диапазоне. Полученные впоследствии объяснения этому эффекту говорят о том, что колебания в полупроводнике и отрицательное сопротивление диода определяются возбуждением носителей высоким напряжением, которые за счет возбуждения переходят из низколежащей долины зоны проводимости, где их подвижность велика, в обычно незаполненную долину, где их подвижность мала. [c.93]

ГАННА эффект, генерация ВЧ колебаний электрич. тока в полупроводнике с Л -образной вольт-амперной характеристикой (рис. 1). г. э. обнаружен амер. физиком Дж. Ганном (J. Gunn [c.109]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...