МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Глава 5 МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР [c.5]

Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34]

Получим выражение для эффективности инжекции в р- N гетероструктуре (рис. 9.7) в предположении, что рекомбинационный ток меньше диффузионного тока/,. Подробно это условие будет обсуждаться в 9.1.4. Область 1 соответствует узко.зонному материалу р-типа с концентрацией акцепторов пл и равновесной концентрацией носителей и Про Область 2 соответствует широкозонному материалу, имеющему концентрацию доноров и концентрацию носителей по и пЛ> Ло- В соответствии с (7.2.1) плотность собственных носителей может быть представлена в виде [c.246]

М. стала источником новых идей в методов в физике твёрдого тела и материаловедении. В связи с задачами М. созданы, напр., устройства с управляемыми электронными и ионными пучками диаметром в неск. атомов, ионные источники (от протонов до тяжёлых ионов) широкого диапазона анергий (с диаметром пучка, близким к размерам отд. ионов), аппаратура для выращивания монокристаллов и многослойных структур, где толщина, состав и строение каждого слоя контролируются с точностью до параметра решётки (см. Гетероструктура, Эпитаксия), и т. д. Созданы новые пьезоэлектрические материалы, феррогранаты, материалы с высокой чувствительностью к действию света, рентг. излучения, электронных и ионных пучков и т. д. Одно из достижений микроэлектронного материаловедения — сверхрешётки на основе множества чередующихся сверхтонких слоёв полупроводников типа [c.154]

Среди лазерных материалов выделяются соединения и составы, входящие в т. н. изоперподиче-с к и е пары, т. е. пары кристаллов, различающиеся по хим, составу, ширине запрещённой зоны и др. фпз, свойствам, но имеющие одинаковый период кристаллич. решётки. Такие материалы пригодны для образования бездефектных гетеропереходов путём наращивания одного материала на другом эпитаксиальными методами (см. Эпитаксия). Совершенные гетеропереходы необходимы для формирования лазерных гетероструктур, широко используемых в совр, П. л. (наз. также гетеролазерами). [c.53]

Для этого класса материалов характерно как получение наночастиц (типа СёЗ, С(15е, 1пР и др.), так и гетероструктур (сверхрешеток) на основе соединений (типа АЮаАз—СаАз, 1пА5-СаАз и др.), а также пористого кремния. Полупроводниковые наночастицы синтезируются коллоидными методами, гидролизной обработкой, газофазными методами (включая лазерное испарение) и др. Например, наночастицы сульфида кадмия осаждаются из растворов сульфида натрия и хлората кадмия [c.135]

Подобно работам по Ш-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р лементов IV группы следует двум направлениям. В рамках первого из них, используя современные первопринципные методы, добиваются наиболее полного описания электронных характеристик и возможно большего числа физико-химических свойств для чистых нитридов (в кристаллическом либо аморфном состояниях). Сюда же можно причислить работы по моделированию иных возможных форм IV-нитридов — нанотубулярных, молекулярных (кластерных), которые рассмотрены нами на примере нитридов углерода, глава 3. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения. [c.84]

Как и для других неметаллических тугоплавких соединений, составляющих основу современной керамической промышленности, работы по компьютерному моделированию оксидов алюминия следуют двум взаимосвязанным направлениям. В рамках первого из них ставится проблема наиболее корректного исследования фундаментальных электронных свойств, природы химической связи и основных физико-химических характеристик полиморфных модификаций А12О3, рассматриваемых как идеальные кристаллы. Второе направление обращается к описанию А1зОз как элемента керамических материалов, акцентируя внимание на изменениях характеристик оксидов в результате наличия разного рода несовершенств кристаллов (вакансии, легирующие элементы), рассматриваются поверхностные свойства, пленочные состояния и гетероструктуры, предпринимаются попытки описания границ зерен, моделируются процессы адсорбции и т. д. [c.117]

Технология прямого соединения пластин открывает реальные возможности и для создания сложных приборных структур с участием других полупроводниковых материалов, в том числе на основе гетерокомпозиций, получение которых эпитаксиальными методами сталкивается с принципиальными затруднениями. Работы в этом направлении пока не получили широкого развития. Тем не менее, имеются сообщения об успешном использовании метода прямого соединения для получения гетероструктур GaAs/Si и InP/Si с низкой плотностью дислокаций в тонком слое полупроводникового соединения. Такие структуры были затем использованы в качестве подложек для создания более сложных гетерокомпозиций на основе соединений Другим примером удач- [c.83]

При межзонных переходах четность огибающих функций сохраняется, поэтому она сохраняется и при рассеянии на межподзонных переходах, например, рассеяние эффективно для переходов е1 еЗ. Отступления от указанных правил отбора могут быть связаны с учетом зависимости матричных элементов М от к, с отсутствием центра инверсии в решетке композиционных материалов, с асимметрией квантовой ямы, обусловленной, например, встроенным электрическим полем, и с дополнительным рассеянием носителей на несовершенствах гетероструктуры и статических дефектах. [c.164]

В СИД и ИЛ для ВОЛС применяются прямозонные полупроводники. Для создания качественных источников излучения необходимо обеспечить кристаллографическое совершенство материала и отсутствие в нем химических примесей с глубокими уровнями в запрещенной зоне. Для получения идеального гетероперехода оба его материала должны образовать изоморфную и изоперио-дическую пару. При создании излучательных гетероструктур. в основе подбора материалов и технологий для создания эффективных гетеропереходов лежит принцип изопериодического замещения в твердых растворах. На рис. [c.109]

В этом конкретном примере р-л-персход формируется в InP, а Ы-п гетероструктура -между эпитаксиальными слоями 1пР и согласованной решеткой 1пОаА.ч. Излучение поглощается в узкозоином тройном материале. Толщина и степень легирования N-lnP слоя регу лируются для обеспечения поля на гетероструктуре не выше 1,5 10 В/м при электрическом поле на / -Л -переходе около 4,5- № В,/м. Такого поля достаточно, чтобы установилось насыщение дрейфовых скоростей носителей, но недостаточно для возникновения чрезмерной утечки через гетероструктуру [c.337]

Свойства бинарных соединений А В и их распространение на тройные кристаллические твердые растворы для гетеролазеров приведены в 7. Эти материалы находятся на более ранней стадии исследования по сравнению с соединениями А В . Рассчитанные значения ширины запрещенной зоны и экспериментальные данные для Pbi jiSn Te и Pbi j(Sn Se показывают, что ширина запрещенной зоны уменьшается при увеличении х от нуля и уменьшении х от единицы, следовательно, она проходит через нуль в области составов тройного твердого раствора. Это замечательное свойство позволяет создать гетеролазеры, излучающие в далекой инфракрасной области. Другая особенность этих соединений заключается в том, что изменение Eg с температурой противоположно изменению, наблюдаемому в соединениях А В . В отличие от гетероструктур на основе соединений А В несовпадение периодов решетки здесь, по всей видимости, не создает проблем ни при эпитаксиальном наращивании, ни в отношении образования центров безызлучательной рекомбинации. Вместо этой проблемы, однако, возникает другая. Вакансии, равновесные при температуре роста, остаются в решетке при охлаждении кристалла и оказывают влияние на проводимость кристалла при температурах, являющихся рабочими для лазеров на основе соединений А В . [c.11]

Смотреть страницы где упоминается термин МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР : [c.7] [c.9] [c.11] [c.15] [c.19] [c.21] [c.23] [c.25] [c.27] [c.31] [c.33] [c.35] [c.37] [c.43] [c.45] [c.49] [c.51] [c.55] [c.59] [c.61] [c.63] [c.67] [c.69] [c.73] [c.75] [c.77] [c.447] [c.100] [c.141] [c.94] [c.236] [c.337] [c.338] [c.9]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...