Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Теория метода кривых термического высвечивания

В 10, II и 12 третьей главы дан краткий обзор истории и теории метода кривых термического высвечивания, рассмотрены различные способы определения энергии тепловой ионизации центров захвата при помощи метода термического высвечивания.  [c.6]

ТЕОРИЯ МЕТОДА КРИВЫХ ТЕРМИЧЕСКОГО ВЫСВЕЧИВАНИЯ  [c.76]

Значительную роль в развитии метода кривых термического высвечивания сыграли работы Рэндалла, Уилкинса и Гарлика, которые были опубликованы в конце 1945 года [159, 160]. В отличие от работы автора и Соломонюка, в которой нагревание фосфора было неравномерным, Рэндалл и сотрудники применили равномерный нагрев. Они также дали количественную теорию метода кривых термического высвечивания, в которой, однако, не учи-  [c.74]


Теория метода кривых термического высвечивания была затем существенно развита В. В. Антоновым-Романовским в 1946 году [56]. В отличие от [159, 160], в работе В. В. Антонова-Ро-мановского форма кривых термического высвечивания объясняется, исходя из простой бимолекулярной реакции, и учитывается возможность повторной локализации электронов на уровнях захвата. Кроме того, им было предложено несколько новых методов вычисления энергии локализации электронов на уровнях захвата.  [c.75]

Из последующих работ, посвященных теории метода кривых термического высвечивания [158, 161—172], следует отметить работы Ч. Б. Лущика [158, 170], в которых дается обобщение теории на случай произвольного соотношения между вероятностями повторного захвата и рекомбинации и работы И. А. Парфиановича [169, 171], в которых дан анализ некоторых методов вычисления энергии локализации электронов.  [c.75]

Теория метода кривых термического высвечивания, предложенная Рэндаллом и Уилкинсом (159, 160), основана на предложении, что повторные захваты электронов на акцепторных уровнях совершенно отсутствуют. При этом они считают, что в щелочно-галоидных фосфорах возбужденные электроны находятся на метастабильных уровнях самих центров свечения и только в фосфорах типа цинксульфидных акцепторные уровни пространственно отделены от центров свечения.  [c.76]

Из других работ, посвященных вопросам теории метода кривых термического высвечивания, можно отметить работу Вильямса и Зйринга llGzj, хотя по полученным результатам б ней не содержится чего-либо существенно нового по сравнению с работами Рен- алла и Уилкинса [159, 160] и Антонова-Романовского 11661.  [c.82]


Смотреть страницы где упоминается термин Теория метода кривых термического высвечивания : [c.129]   
Смотреть главы в:

Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений  -> Теория метода кривых термического высвечивания



ПОИСК



Методы кривых

Методы термические

Теория Метод сил

Теория кривых



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте