Электронография отражение

Одним из методов определения параметров решетки наночастиц является электронная дифракция. Анализ систематических ошибок этого метода показал, что для точного определения периода решетки наночастиц пригодны лишь некоторые дифракционные линии например, для кубических нанокристаллов рекомендуется использовать линию (220) [242]. Учет уширения этого дифракционного отражения показал, что в частицах Ag диаметром 3,1 нм и частицах Pt диаметром 3,8 нм параметр решетки сокращается на 0,7 и 0,5 % соответственно по сравнению с массивными серебром и платиной [242]. В [194, 243, 244] методом электронографии с использованием картин муара показано, что изменение диаметра частиц AI от 20 до 6 нм приводит к снижению периода решетки на 1,5 % (рис. 3.6), хотя ранее [245] для частиц AI диаметром >3 нм этого не отмечено. Уменьшение периода решетки от 0,405 нм для массивного образца AI до 0,402 нм для наночастицы А1 диаметром 40 нм обнаружено методом нейтронографии [8]. [c.73]

Благодаря тому, что можно установить взаимно однозначное соответствие между дифракционными лучами, к-рые дает монокристалл, и узлами О. р., понятие О. р. чрезвычайно удобно при описании дифракции на кристаллах рентгеновских лучей, электронов и нейтронов (см. Рентгеновский структурный анализ, Электронография,Нейтронография). Индексы узла О. р. /), 9 и / связываются с индексами h, knl, нек-рой серии взаимно параллельных узловых сеток решетки кристалла, соотношениями р = пЛ, q = пк, г = п1, где п — порядок отражения дифракционного луча от данной серии сеток. В этом случае каждому узлу О. р. приписывается определенный вес, выражаемый через интенсивности дифракционных лучей. Спм.мет-рия такой взвешенной О. р. описывается одной из точечных групп симметрии с добавлением центра инверсии (если его нет в этой группе) и всех порожденных этим добавлением элементов симметрии (закон центро-симметричности дифракции на кристаллах). [c.470]

Особенность электронографического метода состоит в том, что электронный пучок рассеивается веществом приблизительно в I f раз сильнее, чем рентгеновские лучи, и проникновение электронов в вещество невелико в сравнении с рентгеновскими лучами. Максимальная толщина окисных пленок, поддающихся злектронографированию, при съемке на просвет, составляет около 100 нм. При съемке методом отражения (применяя касательный к поверхности пучок электронов) можно анализировать окисные пленки толщиной порядка 1 нм и даже обнаруживать наличие мономолекулярного окисного слоя, т.е. фиксировать переход от хемисорбции к окислению. Электронография позволяет изучать процесс зародышеобразования, а при электронномикроскопическом исследовании фольговых образцов — кристаллическую структуру неметаллических включений (микродифракция). Таким образом, чувствительность метода весьма высока, и основное достоинство его заключается в возможности исследования малых объемов вещества. [c.22]

Дальнейшие исследования были проведены на электронографе и получена электронограмма на отражение ст обратной стороны пленки (рис. 7). Равномерность интенсивности колец на этой электро. нограмме свидетельствует об отсутствии текстуры в этом слое. Оказалось, что текстура отсутствует также в пленках толщиной 0,1 мкм [c.66]

Электронно-зондовые методы контроля КМ используют принцип взаимодействия электронного пучка с твердым телом. При этом методе информацию несут рассеяннопадающие электроны. Электроны, прошедшие через образцы толщиной в несколько Микрометров, являются источником информации в просвечивающей (трансмиссионной) электронной микроскопии ПЭМ отраженные медленные электроны — в методе зеркальной электронной микроскопии (ЗЭМ), а электроны, претерпевшие дифракцию — в методе электронографии на отражение. Метод ЗЭМ [c.70]

После приработки на машинах трения и промывки образцы закреплялись в специальные кассеты и поочередно помещались в электронограф ЭМ-3 илп ЭМ-4. После создания глубокого вакуума в электронографе на поверхность трения образца посылался под углом пучок электронов, отражение которого от атомов и молекул направлялось на фотографическую пластинку. [c.91]

ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯ — метод исследования строения вещества, основанный на дифракции электронов. Особенности этого метода по сравнению с ])ентгенографией и нейтронографией 1) значительно более сильное (иа неск. порядков величины) взаимодействие электропов с веществом, в силу чего на просвет можно исследовать препараты толщиной Ю —10 см. При съемках на отражение глубина проникновения электронов в вещество 30—50 А. При исследовании строения молекул объектом является струя пара при низком давлении (неск. десятков м.и рт. ст.). 2) Возможность определять (значительно проще, чем в нейтронографии) положение легких атомов в присутствии более тяжелых (Н в присутствии В, С, N и т. д. N в присутствии Ге, С, У). [c.508]

Прямое и полупрямое электронномикроскопическое исследование непосредственно совмещается с электронографическим. Кроме того, массивные образцы можно параллельно исследовать в электронографе съемкой. сна отражение от той же поверхности, которая изучается косвенным или полупрямым методами [c.169]

Непосредственное исследование таких объектов проводят в электронографе, при съемке на отражение , в отражательном, эмиссионном и раствором электронных микроскопах. Вследствие сильного взаимодействия 5 лектронов с веществом (атомная амплитуда рассеяния электронов в среднем в 1000 раз больше, чем рентгеновых лучей) максимальная глубина проникновения электронов в образец не превышает нескольких микрон, Для фокусировки рассеянных электронов можно использовать лишь те из них, энергия которых лочти не изменяется при отражении от объекта. Это условие ограничивает допустимую глубину проникновения электронов до 10 см, что достигается применением малых углов падения электронов на объект до 2—4°. В связи с этим особое значение приобретает чистота исследуемой поверхности. Присутствие на ней даже малейших следов каких-либо загрязнений может совершенно исказить дифракционную картину или дать ложные эффекты на электронном изображении. [c.171]

Для оценок шероховатости атомарно-чистой поверхности и выявления на ней макроскопических дефектов часто используют дифракцию быстрых электронов ДБЭ), сочетая эти измерения с измерением спектра ДМЭ. В этом методе пучок моноэнергетических электронов с энергий 10—100 кэВ падает под очень малым углом к поверхности (< Г) и регистрируется рассеянное излучение. Для большей однозначности эти данные дополняются наблюдениями на сканирующем электронном микроскопе (4.2.1) декорированной поверхности. Заметим, что электронные пучки уже давно используются в промышленных электронографах при структурном анализе поли- и монокристаллических материалов, как в методе "на просвет" (тонкие пленки =10—50 нм), так и "на отражение". [c.134]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...