Сверхрешетка

Особые границы носят название частично сопряженных или г акиц частичного сопряжения. Встречается название границы сверхрешетки . [c.160]

Если совместить решетки двух идентичных кристаллов и затем вращать одну относительно другой вокруг определенных кристаллографических направлений, то при некоторых значениях угла поворота часть атомов в обеих решетках будет занимать общие позиции, называемые узлами совпадения (местами совпадения). Эти общие позиции образуют трехмерную сверхрешетку . В частности, сверхрешетка получается вращением одной г. ц. к. решетки относительно другой вокруг общего направления d 11 > на угол 38,2°. В этом случае положение каждого седьмого атома в новой ориентировке совпадает с положением до поворота (рис. 95,а). [c.163]

Кратко суммируя эти достижения, можно отметить, что в основе современных описаний структуры таких границ зерен лежит концепция решетки мест совпадения [155, 156], в соответствии с которой в двух произвольно ориентированных кристаллах может быть выбрана сверхрешетка таким образом, чтобы атомы обоих кристаллов находились в ее узлах. Характерным дискретным углам поворота соответствует определенная плотность узлов совпадения, т. е. их доля по отношению ко всем атомам решетки кристалла. Для характеристики решетки совпадения обычно используют не плотность узлов совпадения, а обратную ей величину Е — число атомов решетки кристалла, приходящихся на один узел совпадения в общей сверхрешетке. При некоторых разори-ентировках соседних зерен совпадающие узлы встречаются сравнительно часто и для них значения II относительно малы. Такие разориентировки называют специальными. В качестве критерия близости к специальным ориентировкам часто применяют значе- [c.87]

Благодаря этому рассеянию (диссипации) энергии структуры и получили подобное наименование. По внешним проявлениям, по характеру упорядоченности диссипативные структуры могут быть подразделены на временные, пространственные и пространственно-временные. В качестве примеров приведем часто упоминаемые в литературе по неравновесной термодинамике переход от диффузионного механизма передачи тепла к конвективному ячеистому, переход от ламинарного течения жидкости к турбулентному и образование сверхрешетки пор в металлах при их облучении. [c.22]

Рис.14.3. Слоевой нанокомпозит - сверхрешетка Zn-Mg-Se

На рис. 3.21 показаны схемы антиферромагнитного а) и ферромагнитного б) упорядочения в магнитных сверхрешетках, а также зависимость магнитосопротивления от толщины хромового слоя в пленке Ре —Сг (в). Считается, что в случае параллельного антиферромагнитного упорядочения рассеяние носителей на магнитных моментах, направленных вдоль магнитного поля, существенно уменьшается, что и сказывается на значительном уменьшении электросопротивления. Второй небольшой максимум на кривой (см. рис. 3.21, в) связан с осциллирующим характером изменения обменной энергии в зависимости от толщины немагнитного объекта. [c.77]

Рис. 3.21. Схемы антиферромагнитного (антипараллельного) (а) и ферромагнитного (параллельного) (б) упорядочения в магнитных сверхрешетках влияние толщины слоя хрома на магнитосопротивление (в) многослойных пленок Ре —Сг толщиной 1,1 нм при температуре 5 К [21]

Сверхрешетки типа КЬ/Ре, N6/06, т.е. многослойные пленки, состоящие из ферромагнитных и сверхпроводящих слоев, также рассматриваются как перспективные для ряда областей электроники и измерительной техники. Магнитокалорический эффект считается перспективным для создания новых рефрижераторных систем. [c.163]

Применение гетероструктур с квантовыми ямами и сверхрешетками типа АЮаАз/ОаАз в полупроводниковых лазерах позволило значительно снизить пороговые токи, использовать более короткие волны излучения и улучшить другие экстшуатационные характеристики в быстродействующих оптиковолоконных системах передачи информации. Переход к гетероструктурам с квантовыми проволоками и точками приводит к еще более значительным результатам (дальнейшее уменьшение порогового тока, повышение температурной стабильности и др.), важным для лазеров, оптических модуляторов, детекторов и эмиттеров, работающих в дальней инфракрасной области. Полупроводниковые наноструктуры весьма перспективны для систем преобразования солнечной энергии. Таким образом, прогресс в области создания гетероструктур с квантовыми точками позволит качественно улучшить служебные характеристики многих устройств современной и будущей техники. [c.166]

Упорядоченные сплавы с дальним порядком обычно имеют более высокую скорость деформационного упрочнения по сравнению с разупорядоченными или частично упорядоченными сплавами того же состава. Для сплавов со структурой сверхрешетки LI2 в результате упорядочения при температуре около 22 °С скорость деформационного упрочнения может возрасти вдвое, в то время как в сплавах с другой кристаллической структурой приращение скорости упрочнения будет меньше. Высокая скорость деформационного упрочнения, связанная с наличием дальнего порядка, позволяет путем холодной деформации или термомеханической обработки получать очень высокую прочность таких материалов, что на примере сплавов №зА1 + В показано на рис. 19.2 [4]. Износостойкость сплавов в результате быстрого деформационного упрочнения также должна улучшиться, что открывает возможности для замены кобальтовых сплавов, работающих в условиях трения и износа, на упорядоченные сплавы с дальним порядком. [c.291]

Рассмотрим теперь, каким образом парная дислокация i сверхрешетке взаимодействует с частицами. Расчеты в этом случае выполняют по принципам, выработанным Гляйтером и Хорнбогеном [21], но используют уравнения, предложенные другими авторами [20], [22]. В то время как первая дислокация просто вызывает сдвиговую деформацию частиц (см, рис.3.5), вторая дислокация увлекается вперед теми АРВ, которые остаются во всех частицах, перерезанных первой дислокацией. При условии, что обе дислокации одинаковые по форме, а расстояние х между ними достаточно мало, но больше г , вторая дислокация может располагаться вне всех этих частиц. Такое положение возможно, когда длительность старения велика. Следовательно, в состоянии равновесия полное напряжение продвигающее вперед вторую дислокацию, уравновешивается отталкивающей силой, действующей между этими двумя дислокации, т.е. [c.96]

Инжекционная модификация может применяться как для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-структур с изменяемыми параметрами, так и являться одним из методов создания регулярного наноразмерного рельефа встроенного заряда вдоль межфазовой границы раздела диэлектрик-полупроводник, который позволит создавать квантоворазмерные элементы наноэлектроники - квантовые ямы, точки, проволоки, сверхрешетки [44]. [c.142]

Матричный метод и метод рекуррентных соотношений относятся, строго говоря, лишь к структурам с кусочно-постоянной зависимостью е (г), в то время как метод медленных амплитуд справедлив для любой периодической (слабомодулированной) функции 8 (г) и в этом смысле является более общим. Кроме того, метод медленных амплитуд может непосредственно применяться для описания более сложных оптических эффектов в МИС, а также для исследования квантовомеханических явлений в периодических потенциалах. Так, в работах [11, 19] с его помощью рассмотрены поверхностные электромагнитные волны нового типа (в том числе и рентгеновские) в многослойных структурах-, а в работе [9] — поверхностные (таммовские) состояния электронов в сверхрешетках. Сравним, наконец, результаты, полученные с помощью аналитических формул (3.28) и точного численного расчета по методу рекуррентных соотношений. На рис. 3.5 приведены кривые отражения (ф), полученные этими методами для МИС, состоящей из слоев ванадия и углерода, при почти нормальном падении МР-излучения с длиной волны к = 6,02 нм. Из рисунка видно, что аналитический расчет дает те же результаты, что и численный. Как показано в работе [8], согласие несколько ухудшается при приближении к области полного внешнего отражения (ф л п/2 — — 9(,), а также в длинноволновой части МР-диапазона (Я 30 нм). Тем не менее, даже и в этих случаях аналитический подход может применяться, по крайней мере для предварительного рассмотрения. [c.89]

Основные результаты этих моделей согласуются с теорией дифракции в кристаллической решетке, если рассматривать МИС как сверхрешетку о периодом d, равным сумме толщин 4 и компонент МИС. Можно сформулировать два физических результата, качественно справедливых для всех этих моделей. Во-первых, коэффициент отражения от МИС в максимуме прямо пропорционален амплитуде соответствующей гармоники Фурье — разложения электронной плотности, которая возникает благодаря слонсгой структуре МИС. Во-вторых, угловое положение 0д максимума отражательной способности определяется условием Брэгга [2] [c.434]

В основе современных описаний структуры границ зерен лежит концепция решетки мест совпадения (см. [97, 98] , в соответствии с которой в двух произвольно ориентированных кристаллах может быть выбрана сверхрешетка таким образом, чтобы атомы обоих кристаллов находились в ее узлах. Характерным дискретным углам поворота соответствует определенная плотность узлов совпадения, т. е. их доля по отношению ко всем атомам решетки кристалла. Для характеристики решетки совпадения обычно используют не плотность узлов совпадения, а обратную ее величину S —число атомов решетки кристалла, приходящихся на один узел совпадения в общей сверхрешетке. При некоторых разориентиров-ках соседних зерен совпадающие узлы встречаются сравнительно часто и для них значения S относительно малы. Такие разориенти-ровки называют специальными. В качестве критерия близости к специальным ориентировкам обычно принимают значения S<25. Специальным разориентировкам зерен соответствуют так называемые специальные границы, изучение которых представляет особый интерес, поскольку, как показывают наблюдения, они обладают наиболее совершенной структурой и проявляют особые свойства. Так, на кривой зависимости энергии границ от разориентировки соседних зерен специальным углам отвечают провалы энергии (рис. 26). Границы с малым S отличаются обычно малой подвижностью, малым значением коэффициента зернограничной диффузии и другими особыми свойствами [148, 151, 152]. [c.77]

В работе Вассамилета и Смолуховского [88] рассмотрено рассеяние рентгеновских лучей монокристаллом, содержащим разные ряды дислокаций, причем учитывались только повороты решетки в результате ее искривления за счет дислокаций, которые расположены параллельными рядами и образуют периодические сетки. Допускалось некоторое отклонение дислокаций из правильных положений в такой сетке, а распределение величин этих отклонений принималось по закону Гаусса или Коши. При этом знаки дислокаций предполагались либо случайно распределенными, либо чередующимися так, что образовывалась сверхрешетка. Рассмотрен также случай сетки из дислокаций одного знака. Учитывалась ориентация линии дислокации относительно отражающей плоскости. Таким образом, ряды дислокаций характеризовались тремя параметрами распределением, знаком и ориентацией, причем значение разориентировки получено для шести основных комбинаций этих параметров. Оказалось, что величина 3 может быть пропорциональна или )/" пд и зависеть от ориентации линии дислокации относительно отражающей плоскости для разных видов дислокаций. [c.234]

Рис. 4. Зонная схема периодической структуры с квантовыми ямами (когда барьеры широкие) или сверхрешетки (когда барьеры тонкие).

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...