Диэлектрическая проницаемость абсолютная относительная

Диэлектрическую проницаемость определяют, используя конденсаторы. В зависимости от вида конденсатора (с воздухом или вакуумом), выбранного для сравнения, различают относительную (eq) и абсолютную (е ) диэлектрические проницаемости. Абсолютная диэлектрическая проницаемость, Ф/м [c.149]

Потенциал, векторный Поток, магнитный Потокосцепление Проводимость, магнитная Проводимость, удельная электрическая Проводимость, электрическая проводимость электрической цепи, активная Проводимость электрической цепи, комплексная Проводимость электрической цепи, полная Проводимость электрической цепи, реактивная Проницаемость, абсолютная, диэлектрическая Проницаемость абсолютная, магнитная Проницаемость диэлектрическая проницаемость, относительная, диэлектрическая Проницаемость, магнитная проницаемость, относительная, магнитная [c.213]

Понятие абсолютной диэлектрической проницаемости используется обычно в электротехнической литературе. В физической учебной и научной литературе, как правило, пользуются сочетанием Ео, где е — относительная диэлектрическая проницаемость, Ео — электрическая постоянная. [c.112]

При современном определении электрической постоянной (ео = йоС ) понятие точности не лишено смысла, так как магнитная постоянная может быть определена с любым числом знаков, а значение скорости света с стандартизовано. Поэтому электрическая постоянная может быть выражена с любой точностью (в скобках указывается допустимая погрешность в данных конкретных условиях), в Относительная диэлектрическая проницаемость — величина, равная отношению абсолютной диэлектрической проницаемости к электрической постоянной [c.113]

К электрическим параметрам диэлектриков относится диэлектрическая проницаемость, характеризующая способность материала создавать электрическую емкость. В СИ различают относительную диэлектрическую проницаемость 8г (прежде е), величину безразмерную, и абсолютную диэлектрическую проницаемость влво, Ф/м (ео — электрическая постоянная, по старой терминологии — диэлектрическая проницаемость вакуума, равная 8,854-Ю- Ф/м). [c.543]

На рис. 29 приведены зависимости коэффициента отражения для дефектов типа расслоений в непоглощающих материалах с диэлектрическими проницаемостями от 2 до 10. Толщина расслоений выражена в долях длины волны. Значения коэффициентов отражения по мощности для материалов с e /so > 4 находятся выше уровня 50 дБ при относительной толщине расслоения = 10 , что соответствует при длине волны 30 мм абсолютной толщине 0,03 мм. [c.231]

Диэлектрическая проницаемость определяется так же, как и в СГС. Здесь, однако, необходимо сделать следующее замечание. В электротехнической литературе диэлектрическую проницаемость е иногда называют относительной диэлектрической проницаемостью и, кроме того, пользуются понятием абсолютной диэлектрической [c.264]

Диэлектрические свойства материалов характеризуются абсолютной 8а н относительной 8 диэлектрической проницаемостью и абсолютной Ха н относительной Хг диэлектрической восприимчивостью. [c.586]

Диэлектрическую проницаемость определяют с помощью конденсаторов. В зависимости от конденсатора (с воздухом или вакуумом), выбранного для сравнения, различают относительную (sq) и абсолютную (e ) диэлектрические проницаемости. [c.93]

Диэлектрическая проницаемость — это величина, которая характеризует влияние среды на силу взаимодействия находящихся в ней зарядов. Различают относительную диэлектрическую проницаемость г,, абсолютную е и диэлектрическую проницаемость вакуума Eq. Эти величины связаны между собой простым соотношением [c.161]

Следует различать абсолютную диэлектрическую проницаемость. Eq, равную 8,8542-10 фарад-В- м-, и относительную диэлектрическую проницаемость е, которая характеризует изменение диэлектрической проницаемости материала по сравнению с вакуумом при одинаковой напряженности электрического поля, зависит от частоты электрического поля н температуры. [c.143]

В действительности от и tg б подосновы отличаются от параметров пленки линолеума. Электрические параметры теплоизоляционной подосновы линолеума в значительной степени зависят от ее влажности. Так, абсолютно сухая подоснова имеет относительную диэлектрическую проницаемость близкую к единице, сырая подоснова имеет относительную диэлектрическую проницаемость порядка 12. [c.103]

Абсолютная диэлектрическая проницаемость ea= o-e (e —относительная диэлектрическая проницаемость) a = e фарада на метр (ф/м) — Л1 3 кг сек Ч см -сек — [c.19]

Так как относительная диэлектрическая проницаемость— величина безразмерная, то абсолютная диэлектрическая проницаемость выражается в тех же единицах, что и электрическая постоянная, т. е. в кулонах на вольтметр или фарадах на метр и имеет размерность [c.67]

Абсолютная и относительная диэлектрические проницаемости, диэлектрическая восприимчивость, валентность, химический эквивалент — величины относительные и поэтому [c.177]

Относительная диэлектрическая проницаемость Вг входит в величину абсолютной диэлектрической проницаемости [c.6]

Здесь е и — абсолютная и относительная действительные диэлектрические проницаемости жидкости [c.17]

Е" и 1])" — мнимые части абсолютной и относительной диэлектрической проницаемости [c.17]

Коэффициентами пропорциональности между напряженностями и индукциями являются абсолютная диэлектрическая проницаемость в и абсолютная магнитная проницаемость ц,. В расчетах часто используют относительные проницаемости [c.13]

Если объект контроля выполнен из полуцроводящего. материала (а QBo, где Еа = е е — абсолютная диэлектрическая проницаемость е — относительная диэлектрическая проницаемость 8q — диэлектрическая постоянная), то в (6) и (7) — 1а (ш% — /ма). [c.97]

Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектри- ческих потерь — важнейшие характеристики электроизоляцион- ых материалов. Диэлектрической проницаемостью (или относительной диэлектрической проницаемостью) г называется отношение абсолютной диэлектрической проницаемости вещества еа к электрической постоянной ео. [c.12]

Если объект контроля выполнен из полупроводящего материала (а ЮБа, где 8 = 8о8, - абсолютная диэлектрическая проницаемость 8 - относительная дголектри-ческая проницаемость 8о - диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) = -Цд (00 83 - усост). [c.376]

Так как абсолютная диэлектрическая проницаемость и электрическая постоянная имеют одинаковые размерность и единицу, то относительная диэлектрическая проницаемость — величина безразмерная и выражается в безразмерных едишцах. [c.113]

Если объект контроля выполнен из полунроводящего материала (о л 0)8 , где Еа = — абсолютная диэлектрическая проницаемость — относительная диэлектрическая проницаемость Е(, — диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) = [c.90]

Относительная е и абсолютная диэлектрические проницаемосто некоторых материалов при 20°С [c.156]

Реальная часть этих значений близка к решениям (2.30), определяющим точки полной прозрачности решетки из металлических брусьев с узкими щ,елями и значением относительной диэлектрической проницаемости заполнения волноводных каналов е = 1. Мнимая часть (2.45) — отрицательная и по абсолютной величине совпадает с половиной ширины полосы пропускания по частоте в окрестности точек полного прохождения. Квази-собственные волны, отвечающие собственным значениям частот, экспоненциально убывают во времени тем медленнее, чем меньше 1тхл . Добротность колебаний, если определить ее так же, как и добротность колебаний в открытом резонаторе, будет [c.112]

По ныне действующему ГОСТ, в соответствии с публикацией Международной электротехнической комиссии, абсолютная диэлектрическая проницаемость обозначается буквой или е (без индекса), а относительная диэлектрическая проницаемость символом (г — первая буква слова relative). Так как по ранее действовавшему ГОСТ обозначение 8 (без индекса) применялось для относительной диэлектрической проницаемости и обозначение г в этом смысле еще и сейчас встречается в литературе,, в Справочнике не используется для диэлектрических проницаемостей обозначение е, за исключением тех случаев, когда недоразумения из-за использования этого сокращенного обозначения исключаются, на. пример в записи ТК как следует из формулы (1.3) с. 11. ТК абсолютной и относительной диэлек трическнх проницаемостей одинаковы]. [c.22]

Снла тока Электрический заряд (количество электричества) Плотность зарида линейная Плотность заряда поверхностная Плотность заряда пространственная (объемная) Относительная диэлектрическая проницаемость Электрическая постоянная Абсолютная диэлектрическая проницаемость Напряженность электрического поля Поток наприжен-ности электрического поля [c.230]

Абсолютная диэлектрическая проницавмосггь ргвиа произведению относительной диэлектрической проницаемости (е) на электрическую постоянную (вц) и измеряется в [c.67]

Домённая поляризация. Доменная поляризация присуща особому классу твердых диэлектриков — сегнетоэлектрикам, получившим свое название от сегнетовой соли, на которой впервые были обнаружены те особенные свойства, которые характеризуют этот класс материалов. Сегнето-электрическими свойствами обладают некоторые неорганические кристаллы. Эти кристаллы состоят из областей — доменов, представляющих собой как бы большие диполи с определенными электрическими моментами. Таким образом, сегнетоэлектрики отличаются от полярных диэлектриков тем, что последние имеют полярные молекулы, а первые — спонтанно поляризованные области, существующие в материале и до наложения внешнего поля. Под влиянием приложенной разности потенциалов происходит однообразная ориентация электрических моментов всех доменов в поле она приводит к созданию очень большого суммарного электрического момента, к большому поляризационному заряду, к большому емкостному току. Следовательно, такие материалы обладают очень большой диэлектрической проницаемостью. Ориентация доменных электрических моментов под влиянием электрического поля (доменная поляризация) связана с известным искажением кристаллической решетки. Как при других видах, поляризации, так и при доменной при постоянном напряжении после установления поляризации вызванный ею ток становится равным нулю. При переменном напряжении вследствие непрерывно происходящего изменения направления электрического поля токи доменной поляризации существуют в течение всего времени приложения напряжения. Доменная поляризация наблюдается при разных частотах вплоть до сверхвысоких радиочастот. Токи доменной поляризации имеют не только большую реактивную составляющую, но и большую активную составляющую, благодаря чему сегнетоэлектрики имеют сравнительно большой tg б. Особенностью сегнетоэлектриков является своеобразная зависимость диэлектрической проницаемости от температуры. На рис. 2-6 показана зависимость от температуры относительной диэлектрической проницаемости одного из промышленных материалов сегнетоэлектриков — титаната бария (BaTiOз), впервые изученного в качестве диэлектрика Б. М. Вулом и И. М. Гольдман. Эта кривая снята при напряженности электрического поля 3 кВ/м. При температуре, близкой к абсолютному нулю, [c.39]

Здесь е — относительная диэлектрическая проницаемость подложки, 80=8,85-10 ф/м, q — абсолютное значение заряда электрона, Na — концентрация атомов акцепторов в подложке, Удиф — диффузионная разность потенциалов и Vb — потенциал подложки, если таковой имеется. Первый член этого уравнения представляет заряд, индуцированный в канале затвором, а второй описывает неподвижный заряд в области пространственного заряда между каналом и подложкой. [c.91]

В физике электромагнитных явлений к уравнениям механики необходимо добавить уравнение закона Кулона (основной закон электростатики), уравнение связи между электрическим током и электрическим зарядом и уравнение закона Ампера (основной закон электродинамики). В этих уравнениях ведены четыре новые физические величины электрический ток /, электрический заряд д, магнитная пронйцаемость ц и диэлектрическая проницаемость е , е. Следовательно, в данном случае N - п = 1-Под ц и е понимаются относительные проницаемости, а под й е — абсолютные проницаемости вакуума. [c.26]

В научной литературе иногда применяется абсолютная электростатическая система единиц СГСЭ, в которой основными единицами являются сантиметр, грамм, секунда, а относительная диэлектрическая проницаемость вакуума принимается равной единице (евак=1)- [c.542]

Плотность заряда а на внутреннем проводнике выражается через нормальную компоненту напряженности электрического поля [34], и а=еое г< ф1/<9п, где во — абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума. Теперь может быть найдена погонная емкость С1=2япа/(ф —фо) =2леоегв г/[е г 1п (гз/г2)+вг1п (/-г/п)]. Эффективную относительную диэлектрическую проницаемость Вте заполнения коаксиальной ЛП определим как [198] гге = С [Са=ггг г п (гз/г1)/[е г 1п гъ/п)- --(-бг 1п (га/г )], где Со — погонная емкость системы с однородным диэлектрическим заполнением (е г=вг=1). Волновое сопротивление р коаксиальной ЛП вычислим с помощью соотношения р — /СоСх [198]. Таким образом, имеем р = 60 / 1п(гз/г1) V г1п(г,/гО + е,1п(г,/п)/К [c.118]