Диэлектрическая проницаемость эллипсоид

Отношение длин полуосей эллипсоида зависит от величины приложенного поля. При этом нестабильность поверхности пузырька, приводящая к его дроблению, происходит. лишь при определенном соотношении между диэлектрическими проницаемостями газа и жидкости. [c.141]

Уравнения (10.23) и (10.24) описывают оптическую индикатрису — эллипсоид волновых нормалей, полуоси которого равны квадратному корню из главных диэлектрических проницаемостей и совпадают по направлению с главными диэлектрическими осями. [c.254]

Общие закономерности, касающиеся диэлектрической проницаемости анизотропной среды, сводятся к возможности представить всю совокупность ее значений при помощи трехосного эллипсоида с главными осями а, р, у. Величины диэлектрической проницаемости для любого направления выражаются длиной радиус-вектора нашего эллипсоида, проведенного из его центра по выделенному направлению ). Три значения диэлектрической проницаемости а, р, у, соответствующие осям нашего эллипсоида, выделяют три взаимно перпендикулярных главных направления в кристалле, характери- [c.498]

Величины этого рода, совокупность значений которых можно представить в виде эллипсоида, носят название тензоров второго ранга. Таким образом, оптическая анизотропия среды характеризуется тензором диэлектрической проницаемости или эллипсоидом диэлектрической проницаемости. [c.498]

Полная молекулярная теория должна, исходя из особенностей поляризации молекул среды, обусловленных их строением и специальным расположением, дать возможность вычислить значения трех главных диэлектрических проницаемостей Ех, Еу, е и найти расположение осей эллипсоида диэлектрической проницаемости относительно кристаллографических осей. [c.499]

Если нормаль N располагается в главном сечении эллипсоида диэлектрической проницаемости (например, хОу), то одно особое направление вектора О лежит в том же сечении, а другое — перпендикулярно ему, т. е. параллельно третьей оси (Ог). Для последнего [c.500]

Эти главные направления колебания или поляризации волны в кристалле не следует смешивать с главными направлениями кристалла, определяемыми осями эллипсоида диэлектрической проницаемости. [c.500]

Здесь Ех, Еу, Ёг — главные значения диэлектрической проницаемости, и уравнение эллипсоида отнесено к главным осям. [c.502]

Общие закономерности, касающиеся диэлектрической проницаемости анизотропной среды, сводятся к возможности представить всю совокупность значений тензора при помощи трехосного эллипсоида. Трем значениям диэлектрической проницаемости (соответствующим осям эллипсоида) соответствуют в кристалле три взаимно перпендикулярных направления, характеризующихся тем, что для них направления векторов В и Е совпадают. Эти направления называются главными направлениями кристалла. Если выбрать за оси координат X, у, 2 главные направления, то тензор диэлектрической проницаемости будет иметь диагональный вид [c.40]

Это и есть уравнение эллипсоида, который называется эллипсоидом диэлектрической проницаемости, или эллипсоидом Френеля. [c.41]

Несовпадение в общем случае векторов О и Е приводит к различию в направлениях распространения фазы и энергии волны. В плоскости волнового фронта, т. е. в плоскости, перпендикулярной к нормали N. расположены вектор электрической индукции О и вектор напряженности магнитного поля Н. Вектор же Е, не совпадающий С О, образует с N угол. Лишь когда N совпадает с одной из осей эллипсоида диэлектрической проницаемости, Е и О совпадают между собой ио направлению и располагаются перпендикулярно к N. Оба вектора Е и О всегда перпендикулярны к вектору Н (рис. 17.16). [c.41]

Поскольку внешнее электрическое поле является осью симметрии, то диэлектрическая проницаемость вдоль поля будет отличаться от диэлектрической проницаемости в перпендикулярном направлении. Но так как все направления, перпендикулярные к направлению поля, равноправны, то, выбрав оси координат вдоль поля (2) и в двух взаимно перпендикулярных направлениях, например вдоль луча у) и перпендикулярно к нему (х), получим три главных направления со значениями диэлектрической проницаемости и гх = у. Таким образом, эллипсоид Френеля в этом случае есть эллипсоид вращения и среда подобна одноосному кристаллу, причем направление электрического поля представляет собой оптическую ось. [c.67]

Уравнение (39.14) описывает эллипсоид, главные оси которого 1/ 1/ 1/ /ё7 (рис. 215). Оси Л, У, Z называют главными осями тензора диэлектрических проницаемостей. Уравнения (39.5), отнесенные к Главным осям, принимают вид [c.263]

Величины Ъх, 8j,, называются главными диэлектрическими проницаемостями. Из приведенных выше формул непосредственно следует, что D и Е всегда имеют различные направления, если только направление вектора Е не совпадает с одной из главных осей или все главные диэлектрические проницаемости ие равны друг другу, В последнем случае (е . — Sj, = sj эллипсоид вырождается в сферу. [c.616]

Это уравнение описывает эллипсоид, полуоси которого равны квадратному корню из главных диэлектрических проницаемостей и совпадают по направлению с главными диэлектрическими осями. Мы назовем такой эллипсоид эллипсоидом волновых нормалей, употребив это название вместо широко используемого, но довольно неопределенного термина оптическая индикатриса (он известен также как эллипсоид индексов). [c.621]

Этот множитель мало отличается от 1 для кристаллов, эллипсоид оптической диэлектрической проницаемости которых близок к сфере. Например, для кварца он отличается от единицы на 1—2%. Но для кристаллов с большой оптической анизотропией отличие от единицы более существенно. Так, для исландского шпата этот множитель может отличаться от единицы на 10—20%. [c.136]

Раднус-вектор, проведенный из центр такого эллипсоида к какой-либо точке его поверхности,— Л=У г г—диэлектрическая проницаемость в данном направлении. Свойства тензоров 8, (г, а существенно зависят от симметрии среды (табл. I). В одноосных кристаллах эллипсоид 8 есть эллипсоид вращения, причем ось вращения фиксирована. Вводятся названия [c.316]

Поскольку величины скоростей по лучу и нормали определяются длинами полуосей сечения эллипсоида, ориентированного перпендикулярно соответственно направлениям луча S и нормали Л/, то очевидно, что оптические оси есть направления, перпендикулярные сечениям с одинаковыми длинами полуосей, т. е. круговым сечениям. Из стереометрии известно, что любой эллипсоид в общем случае имеет два круговых сечения, расположенных симметрично относительно его главных осей. На рис. 10.8 показаны эти сечения, которые направлены перпендикулярно осям Ofii и Следовательно, в общем случае кристаллы могут быть двуосными. В частности, при равенстве двух из трех главных значений диэлектрической проницаемости (например, = е, е ) оптическая индикатриса превращается в эллипсоид вращения и кристалл становится [c.256]

Любой эллипсоид имеет два круговых сечения (рис. 17.15). Наиравлсиия, перпендикулярные к таким круговым сечениям, являются оптическими осями кристалла, которых в общем случае будет две (оси О О и 0"0"), т. е. кристалл должен быть двуосиым. Если две главные диэлектрические проницаемости одинаковы, например Ех = Еу, то эллипсоид Фрснсля вырождастся в эллипсоид вращения, характеризующий одноосный кристалл, единственная оптическая ось которого совпадает с осью х. [c.41]

Наиболее изученными соединениями типа являются халькогениды свинца (PbS, PbSe, РЬТе), крис таллизующиеся в гранецентрированной кубической решетке 0/J. Зонная структура — прямая, причем абсолютные экстремумы зон расположены на краю зоны Бриллю-эна в направлении [111] (см. рис. 22.181). Вблизи экстремумов поверхности постоянной энергии представляют собой эллипсоиды вращения (их эквивалентное число равно 4 для каждой зоны). Валентная зона расщеплена на две подзоны нижняя из них (подзона тяжелых дырок) имеет максимум внутри зоны Бриллюэна на осях [111] и проявляет себя в материалах р-типа при повышенных температурах (для РЬТе при 7 400 К). Халькогениды свинца обладают аномально высокой диэлектрической проницаемостью. [c.517]

Напряжение н деформация в упругом твердом теле характеризуются тензорами второго ранга, тензором напряжения Р,., и тензором деформации /л , компопепты которых связаны друг с другом линейными соотношениями. Эти два тензора всегда симметричны, но главные оси соответствующих эл.чипсоидов в общем случае не совпадают с главными осями эллипсоида, соответствующего тензору диэлектрической проницаемости, который, как мы видели в 14.1, определяет оптические свойства тела. [c.648]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...