Сопротивление туннельного контакта

В структурах с нелосредств, сверхпроводимостью (рис. 1, б — г), в отличие от обычного туннельного контакта, малость джозефсоновского тока определяется не слабой проницаемостью диэлектрич. барьера (для купе-ровских пар), а возрастанием плотности тока в области слабой связи (рис. 1, б — г) либо нарушением корреляции электронов в вормалмом металле (рис. 1, д, е), В таких структурах наблюдается неравновесная С. с., обусловленная изменением ф-ции распределения электронов по энергиям. Это приводит к возрастанию критич. тока слабосвязанных систем в СВЧ-поле и к избыточному току при больших напряжениях (ВАХ системы отличается от закона Ома, / = /р У/Н, где 7 — избыточный ток, Н — сопротивление контакта в нормальном состоянии). В контактах с полупроводниковой прослойкой возможно изменение критич. параметров, связанных с изменением туннельной прозрачности [c.552]

Формула (51) показывает, что при полном отсутствии микродефектов удельное сопротивление полупроводника величина постоянная. Для случая поверхностных слоев контакта это не так. Дело в том, что сама микрогеометрия поверхности уже обусловливает совершенно особые явления в тех контактных мостиках, которые оказываются на данный момент проводящими. Здесь имеют место и туннельный эффект, и явление фриттинга. Туннельный эффект — это свойство электронов проходить через потенциальный барьер, превышающий их среднюю энергию. Туннельный эффект наиболее вероятен при толщине оксидных ( изолирующих ) пленок не более 5-10" см. [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...