Пленки термические на кремнии

Оценки показывают, что плотность каналов в пленке термически окисленного кремния достигает Ю -Ю см . Деформации в пленке оказывают сильное влияние на параметры пористой структуры. [c.184]

Прежде всего остановимся на получении оксида кремния непосредственным термическим окислением поверхности кристаллического кремния. Этот процесс применяют в ходе всего технологического цикла изготовления современных интегральных схем. Термическое окисление является сложным физико-химическим процессом и состоит из диффузии окислителя из газовой фазы к поверхности кремния, химической реакции окисления кремния с образованием пленки оксида, диффузии окислителя через образовавшийся слой оксида и химической реакции на границе раздела ЗЮз — 31. [c.40]

Термическое осаждение из газовой фазы позволяет получать изоляционные, проводниковые и полупроводниковые слои. Перенос вещества осуществляется газом-носителем. Наиболее часто термическое осаждение из газовой фазы используется для нанесения пленок окиси кремния и полупроводниковых пленок на поверхности кремния или сапфира. Можно получать этим методом и различные металлические пленки. [c.432]

Силициды ПО сравнению с другими материалами высшей огнеупорности имеют сравнительно невысокие температуры плавления, лежаш,ие обычно ниже 2000° С. Температура плавления может возрастать при введении в силицид углерода. Наиболее высокие температуры плавления наблюдаются у силицидов IV, V и VI группы (табл. II. 41). Основное их достоинство и отличительное свойство — это высокое по сравнению с другими родственными материалами сопротивление окислению, проявляющееся главным образом в компактном теле. Образование на поверхности силицидов при их окислении пленки двуокиси кремния, ио-видимому, и обусловливает защитное действие При низких температурах силициды хрупки и тверды, при высоких — приобретают некоторую небольшую пластичность. Силициды благодаря своей высокой теплопроводности характеризуются термической стойкостью. Повышенная сопротивляемость к окислению и термическая стойкость дают возможность использовать силициды в качестве покрытий. Например, силициды тантала с температурой плавления (разложения) 2200—2500 С употребляют в качестве покрытий по танталу, силициды бора — в качестве покрытий по графиту и молибдену, чему способствует близость их коэффициентов расширения (коэффициент расширения BSi равен 6,3-10 ). [c.287]

Алюминий имеет низкий удельный вес ( 2,7), большое удлинение (до 60%), высокую тепло- и электропроводность (60% электропроводности меди) и хорошо сопротивляется окислению и коррозии (вследствие тонкой, но прочной пленки окислов, которая защищает его поверхность). Добавкой меди, магния, кремния и других элементов и путем термической обработки можно получить сплавы алюминия высокой прочности, однако сопротивление коррозии и электропроводность у них будут ниже, чем у чистого алюминия. Несмотря на низкую температуру плавления ( 660°) алюминий требует для расплавления большого количества тепла, что объясняется его высокой удельной теплоемкостью и чрезвычайно высокой скрытой теплотой плавления (93 кал г). [c.375]

Планарная технология удобна для формирования полевого транзистора на полупроводниковой подложке. На рис. 75 представлен прибор, изготовленный путем формирования в подложке из монокристалла кремния сильно легированных контактов катода и анода, выращивания между ними термической пассивацией слоя из двуокиси кремния с последующей металлизацией контактов и осаждением в вакууме, поверх слоя изолятора, металлической пленки в качестве затвора. [c.188]

Много работ посвящено нанесению на графит покрытий из карбида кремния или кремнийсодержащих соединений. Методики их весьма разнообразны. Так, например, покрытия из Si получают путем напыления расплавленного порошка кремния из специального распылителя и превращения пленки кремния в карбид путем локального нагревания [3]. Термическое разложение кремнийорганических соединений на поверхности изделий в среде водорода приводит к образованию плотных и однородных покрытий из Si , не содержащих избыточных количеств кремния и углерода [4]. Сложное карбидно-силицидное покрытие, защищающее [c.145]

Е.Авни и Д.Шаппиром предложена другая модель пробоя, предполагающая, что при достижении пороговой плотности генерированных нейтральных ловушек у анода происходит усталостный электрический пробой через новые каналы проводимости. Модели пробоя термических пленок Si02 на кремнии в настоящее время находятся в стадии экспериментальной проверки, постоянно корректируются и дополняются. [c.133]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

Напряжения, возникающие в поверхностных слоях кремния после механической обработки (резки, шлифования, полирования пастами) Напряжения в термически выращенных и ва-куумно напыленных плёнках Напряжения в металлических пленках, нанесенных на жесткие подложки [c.85]

При более высоких температурах образуются аморфно-кристаллические пленки с низкими электрическими характеристиками. Сплошность термических пленок на металлах сохраняется лишь до определенной толш,ины, при превышении которой возникающие в пленке напряжения вызывают ее растрескивание. Чиело веществ, на которых образуются сплошные (когерентные, однородные) пленки, весьма ограничено. Прежде всего следует назвать тантал, ниобий, алюминий и кремний. Наиболее широкое применение получили термические пленки на кремнии. Они образуются в атмосфере сухого кислорода при Г= 1300 н-1600 К при окислении во влажном кислороде или парах воды температура может быть понижена до 800 К. Во всех случаях получаются аморфные пленки, имеющие структуру ближнего порядка, сходную со структурой кварцевого стекла. Химическая или топографическая неоднородность кремниевой подложки может вызвать появление в аморфном оксиде кристаллической фазы, имеющей структуру а-кристобали-та, присутствие которой ухудшает электрические свойства пленки и может вызвать нарушение ее сплошности. [c.257]

Структурная и химическая неоднородность реальной поверхности оказывает заметное влияние на процессы термического (или анодного) окисления кремния и свойства его оксидных слоев, в которых появляются значительные внутренние напряжения. В тонких пленках (до -100 нм) возникающие деформации в основном определяются напряжениями в приповерхностном слое самого кремния, в толстых оксидных слоях термически окисленного кремния (> 500 нм) — разностью коэффициентов термического расширения Si и SIO2. Иногда энергия деформации связей достигает 0,1-0,15 эВ и сильно зависит от температуры окисления и темпа охлаждения образца, а также от кри-сталлофафической ориентации поверхности окисляемого кристалла. [c.183]

При соударениях атомов, выбитых из мишени, с атомами нейтрального газа в камере последние могут также приобретать высокую кинетическую энергию, достаточную для внедрения их в подложку. Концентрация таких атомов в напыленной пленке может достигать нескольких процентов. Кроме того, при ионном распылении возможно образование значительно большего числа разнообразных химических соединений активрюго газа с материалом мишени, чем при термическом распылении, так как в разряде возникают воз-буждершые атомы и молекулы, молекулы могут диссоциировать на нейтральные атомы или ионы, образуются молекулярные ионы и т. д. Все эти частицы химически более активны, чем нейтральные невозбужденные молекулы. Это обстоятельство используется, в частности, для получения нитридов металлов и особенно нитрида кремния в технологии интегральных схем. [c.69]

Выпускается несколько марок чистого магния Мг96 (99,96 % Mg), Мг95 и Мг90. Примеси железа, кремния, никеля, меди снижают и без того низкую пластичность и коррозионную стойкость. На воздухе нагрев свыше 623 °С приводит к,его воспламенению. Склонность к окислению объясняется не только высокой химической активностью магния, но и растрескиванием пленки оксидов, плотность которой выше, -чем у чистого магния. Изменение растворимости различных легирующих элементов по мере повышения температуры, показанное на рис. 6.5, свидетельствует о возможности упрочнения сплавов закалкой и старением. Необходимо отметить, что термическая обра- [c.107]

Захват электронов на ловушки в двуокиси кремния слабо зависит от напряженности электрического поля и определяется зарядом, инжектированным в диэлектрик. В течение всего процесса инжекции в термических пленках Si02 наблюдается захват электронов на ловушки. При инжекции в диэлектрик заряда до 10 Кл/см в основном превалирует захват на существующие в оксиде ловушки. При продолжении процесса инжекции больше 10 Кл/см электронный захват начинает определяться вновь образующимися ловушками. [c.133]

Эти данные, вместе с представленными на рис. 71 и 73, указывают возможные пути ослабления провоцирующего влияния фосфора на коррозионное растрескивание (очистка стали, микролегирование примесями, "связывающими" фосфор, оптимальная термическая обработка, приводящая к адсорбционному вытеснению фосфора с границ зерен), которые, впрочем, совпадают с путями ослабления отпускной хрупкости. Более специфический для коррозионного растрескивания и межкристаллитной коррозии путь может состоять во введении в сплав примесей, образующих стабильные пассивирующие пленки а границах. Так, в работе [199] показано, что,действуя по такому механизму, добавка кремния в сталь Х20Н80 значительно замедляет вызванную адсорбцией фосфора на границах зе> рен межкристаллитную кЪррозию в сильноокислитепьных средах. [c.173]

Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния 810г, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0,1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [c.185]

В случае реконструкции поверхности Si (2 X 1) (7 X 7) поверхностный дипольный вклад превышает объемный квадрупольный вклад в квадратичную нелинейность, что позволяет с помощью процесса ГВГ исследовать симметрию реконструированной поверхности и динамику самой реконструкции [16]. Образование аморфной пленки окисла Si02 на поверхности кремния при его термическом окислении приводит к возникновению значительных (до 10 кбар). неоднородных сдавливающих напряжений, что хорошо известно в полупроводниковой технологии. Наличие этих напряжений в слое Si вблизи границы раздела Si02/Si проявляется в сильном возрастании сигнала ГВГ на отражение (примерно в 20 раз) и заметном изменении ориентационной зависимости /2 0 (Ф) [17]. [c.236]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...