Сечение рассеяния электронов на примеся

Определим эффективное сечение рассеяния электронов примесями. Относительно потенциала примесного атома, действующего на электрон, можно сделать разные предположения. Либо можно считать, что атом нейтрален и ведет себя, как твердый шарик с атомными размерами, либо (и это более правдоподобно) примесный атом ионизован. Однако даже в этом случае применима модель твердых шариков. Для того чтобы это увидеть, рассмотрим экранировку потенциала примесного иона электронами. [c.47]

Сернистый ангидрид 23, 27, 31, 33, 38—40 Сечение рассеяния электронов на примесях 168 [c.931]

Относительно б, можно сделать следующее допущение, являющееся фактически следствием принятой модели. Мы исходим из того, что при 7 = 0 происходит полная экранировка спина примеси электронами. Но это означает, что эффективное взаимодействие между электронами и примесью при Т— -0 (или >О) становится бесконечно большим. В этом случае эффективное сечение рассеяния электронов должно достигнуть максимального значения (унитарного предела), которое соответствует б = я/2. Ввиду этого положим б, = я/2. Тогда [c.253]

НЫМИ примесями и наведенными электронным пучком зарядами. Заряжение поверхности в процессе измерения является серьезным препятствием в исследовании поверхностей диэлектриков. 3) Сечение упругого рассеяния электронов очень велико (= 0,01 нм ) и сравнимо с сечением неупругого рассеяния. Многократное неупругое рассеяние приводит к появлению новых дополнительных максимумов в спектрах ДМЭ. Их расшифровка требует модельных теоретических расчетов. Пока для очень небольшого числа поверхностей проведены оценки однородности электрических полей и вклада неупругих столкновений. [c.134]

На практике теория неупорядоченных систем применяется к идеализированным моделям сплавов. Даже в случае сплава малой концентрации примесный атом (это относительный термин) может, вообще говоря, отличаться по размеру от замещаемого атома, так что вблизи него решетка несколько искажается. Замена может также повлиять на распределение электронов в непосредственной близости от примесного атома например, при замене иона Си+ ионом Хп++ последний, имея большую валентность, вызывает вблизи себя появление дополнительного экранирующего заряда. Расчет указанных эффектов даже для изолированных примесей представляет собой важную задачу теории твердого тела этих вопросов мы здесь касаться не будем. Иными словами, не выясняя, откуда это известно, примем, что при замене атома А атомом В в данном узле решетки изменяются значения характерных для данного атома параметров — массы, констант упругой связи с соседями, волновых функций и энергий связанных электронов, поперечного сечения рассеяния и т. д. Все эффекты, связанные с локальным искажением решетки или с экранированием электронами, считаются уже учтенными в самом определении понятия замещения . [c.18]

В чистых металлах (без дефектов и примесей) также возмсУжен перенос собств. ионов, обусловленный Э. в. Он связан с различием сечения рассеяния электронов о о на ионе, смещённом из положения равновесия на величину среднеквадратичной амплитуды тепловых колебаний, и сечением рассеяния о на ионе, смешённом в результате большой тепловой флуктуации на величину порядка <з/2 (а—период решётки). Эфф. заряд такого активированного иона равен [c.573]

Здесь он — транспортное сечение рассеяния электрона иа атомах (или иоиах) примеси. В том случае, если примесный центр представляет собой нейтральный атом, где — характерный размер атома (молекулы) примеси. Если же прнмесь содержит внедренные иоиы, то [c.87]

Здесь е—заряд электрона, п — концентрация носителей, О/ — транспортное сечение рассеяния носителей на ионе, I—длина свободного пробега носителей, определяющая полную проводимость металла индексы э и д означают, что соответствующие параметры относятся к электронам и дыркам. При высоких темп-рах, необходимых для наблюдения эффектов диффузионного переноса массы под действием Э. в., длина пробега /, как правило, определяется столкновением носителей с фононамя. Из ф-л (2) и (3) следует, что в зависимости от соотношений между параметрами металла и примесей возможно увлечение примесей как к аиоду, так и к катоду напр., электронный перенос [c.572]

Т. о., разработка эффективности термоэлементов сводится к отысканию (или созданию) материалов с большим отношением и/х и внесению в эти материалы дозированного количества активных примесей, обеспечивающего оитимальную ( ) концентрацию носителей. Поффе наметил также пути повышения 2 — введение специально подобранных примесей и создание в решетке дефектов, эффективных для рассеяния тепловых колебаний и неэффективных для рассеяния электронов. При этом необходимо учитывать, что различные дефекты и примеси эффективны для рассеяния различных длин волн так, точечные дефекты эффективно рассеивают коротковолновые фононы (их сечение рассеяния и ш ) для тепловых колебаний (рассеяние фононов на фононах) со , длинноволновые колебания наиболее эффективно рассеиваются на макроскопич. дефектах, границах зерен и электронах. Следовательно, для того чтобы перекрыть весь спектр тепловых колебаний и т. о. эффективно снизить теплопроводность, надо создавать в термоэлектрич. материалах разнородные дефекты, действующие на различные области фононного спектра. [c.173]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...