Чертеж топологический

Удалить информацию, не имеющую отношения к чертежу топологического слоя. [c.583]

Топологический чертеж интегральной схемы — чертеж, показывающий размещение и форму элементов и соединений интегральной схемы. [c.187]

Элементам микроэлектроники, не являющимся конструктивно самостоятельными, присваивают позиционные обозначения в соответствии с топологическими чертежами интегральных микросхем и представ- [c.187]

Топологические чертежи отдельных слоев микросхемы [c.583]

Учебное задание предусматривает выполнение одного из пяти топологических чертежей разделительного, базового, эмиттерного слоев, контактных окон или слоя металлизации (см. рис. 25.9-25.13). [c.583]

Заморозить не требующиеся топологические слои, оставив слой, чертеж которого должен быть выполнен. [c.583]

На топологический чертеж (рнс. 3.2,г) наносятся контактные площадки с указанием номеров. [c.84]

В комплект КД а ИС входят функциональные (Э2) и принципиальные электрические (ЭЗ) схемы, топологический чертеж плата, топологические послойные чертежи и др. [c.84]

Рис. 3.5. Топологический чертеж гибридной тонкопленочной микросхемы (1-t лист)

Рис. 3.6. Топологический чертеж резистивного слоя гибридной тонкопленочно микросхемы (2-й лист)

Рис. 3.13. Эскиз топологического чертежа полупроводниковой ИС —логического элемеита ТТЛ со сложным инвертором

Рис. 3,15. Чертеж слоя полупроводниковой ИС, входящего в состав топологического чертежа

В свою очередь, математические модели могут быть геометрическими, топологическими, динамическими, логическими и т. п., если они отражают соответствующие свойства объектов. Наряду с математическими моделями при проектировании используют рассматриваемые ниже функциональные ШЕРО-модели, информационные модели в виде диаграмм сущность - отношение, геометрические модели-чертежи. В дальнейшем, если нет специальной оговорки, под словом модель будем подразумевать математическую модель (МО). [c.20]

Группа стандартов с номерами, начинающимися с 501, содержит геометрические модели и часто используемые элементы чертежей, называемые прикладными компонентами. Эти компоненты входят в качестве составных частей в некоторые интегрированные ресурсы и прикладные протоколы. Примеры прикладных компонентов каркасные модели на основе граней, оболочек, с геометрически заданными границами, поверхностные модели с геометрически и топологически заданными границами, чертежные элементы, чертежные аннотации и т. п. [c.303]

Под топологической схемой интегрального компонента (микросхемы) понимается чертеж, обозначающий взаимное расположение диффузионных областей в плане полупроводниковой подложки. [c.10]

В комплект конструкторской документации на изделие — гибридную тонкопленочную микросхему — входят а) схема электрическая принципиальная, б) сборочный чертеж со спецификацией, в) чертеж совмещенной топологии (платы с изображением всех нанесенных на нее слоев), г) топологические чертежи отдельных слоев пленочных элементов, д) чертежи деталей (подложки, элементов корпусов, выводных контактов). [c.196]

Последующие листы топологических чертежей должны содержать изображение отдельных слоев изделия. На рис. 8.48 показан чертеж резистивного слоя схемы по топологическому чертежу рис. 8.47. [c.198]

Рис. 8,54. Топологический чертеж слоя металлизации

Синхронизатор размещает топологические посадочные места компонентов в ряд по горизонтали. Если до передачи данных из схемы был определен контур размещения на печатной плате в специально отведенном для этих целей слое, то такие компоненты размещаются в правой части этого контура. В иных случаях компоненты размещаются в абсолютном центре чертежа с координатами 50000, 50000. [c.146]

В редакторе библиотек к чертежу топологического посадочного места можно добавить специальные строки. DESIGNATOR и. OMMENT. Эти надписи дублируют появляющиеся автоматически в редакторе печатных плат надписи и в отличие от них не могут быть скрыты, так как являются частью компонента. [c.487]

При конструировании схем к их топологическому чертежу предъявляется требование получения, либо плоского изображения схем, либо плоского изображения частей схем. В этой связи возникает задача определения планарности графа. [c.211]

Чертеж, определяющий взаимное расположение всех элементов микросхемы и их соединение на плате (подложке) согласно принципиальной электрической схеме с з етом технологии изготовления, называют топологическим (изображение в одной проекции). [c.538]

Как указывалось, для основных технологических операций при изготовлении ПИМС требуются фотошаблоны. Для каждого фотошаблона вычерчивают отдельный топологический чертеж (см. рис. 25.9-25.13), который содержит одну проекцию кристалла с изображением расположения и геометрии окон в окисле для соответствующих областей элементов или металлизации согласно общему виду топологии. [c.559]

Топологические чертежи выполняются в масштабах увеличения 100 1, 200 1, 400 1, позволяющих беопечить наглядное расположение элементов. [c.96]

Технические требования помещают и а поле первого листа топологического сборо чного чертежа. Допускается оформлять их отдельными документами с буквенным индексам в обозначении документов ТБ . В технических требованиях указывают сведения [c.98]

Для технических нужд яа топологических чертежах помещают в определенном месте фигуры соимещения в виде рисунка — треугольника, креста, прямоугольника и др. Соответствующие фигуры совмещения показывают на отделыных слоях ИС выполняют их на фотошаблонах, что облегчает их совмещение, т. е. этим осуществляют совпадение осех элементов ИС как единой конструкции. [c.98]

Последующие листы топологического сборочного чертежа оформляются так же, как чертежи деталей, но с учетом, что имеется первый топологический чертеж. Такие чертежи выполняются отдельно для каждого слоя, включая изображение соединительных проводвикавых и контактных площадок. [c.99]

В ЭЦВМ закладывается программа, рассортировывающая координаты точек, поступающих из считывающего устройства, по их принадлежности к различным линиям чертежа. Это осуществляется с помощью топологического признака свойств линий, состоящего в том, что любая точка линии обязательно имеет примыкающие к ней точки, также принадлежащие этой линии. В соответствии с программой ЭЦВМ, взяв какую-либо точку, например первую из считанных, обследуют ее окрестности, граничащие с ней или удаленные на равное расстояние от соседней строки растра. Определяют, есть ли на этом расстоянии еще какие-либо точки, отличающиеся по своим координатам на величину, не превышающую заданного бмин. Если такие точки (или точка) имеются, то операция повторяется относительно уже новой точки и т. д. Таким образом определяется направление линии. Далее можно укрупнить интервал опробования вдоль полученного направления. Этим путем можно осуществить выборку из запоминающего устройства всех точек, принадлежащих линии, и определить, является ли эта линия прямой, окружностью или кривой. [c.67]

Особенно хорошо зарекомендовали себя САПР/АПП в задачах проектирования интегральных схем (см. книгу Эйриса [1]). На рис. 4.15 изображен чертеж большой интегральной схемы (БИС), выполненный ЭВМ. Такой чертеж может разрабатываться на основе логического описания, задаваемого конструктором и отражающего функцию схемы. На чертеже показаны как внутренние соединения в самом кристалле БИС, так и интерфейсные цепи, расположенные по ериме-тру кристалла. Преимущества использования САПР/АПП в проектировании БИС проявляются при разработке фотошаблона, необходимого для изготовления требуемого кристалла. Высокая сложность топологического чертежа, приведенного на рис. 4.15, говорит сама за себя и свидетельствует о значительных трудностях, которые были бы неизбежны при проектировании данной схемы ручными методами. [c.90]

Топологический чертеж ИС представляет собой совокупность плоских многоугольных областей, значительная часть отрезков границ областей параллельна осям координат. Число прямоугольников покрытия экспонируемых областей фотошаблона — важный фактор, определяющий результаты синтеза оптимальной управляющей программы для генератора изображений. Лучшим считается покрытие слоя топологии, состоящее из меньшего числа прямоугольников, так как при этом одновременно минимизируется и время работы микрофотонаборной установки. Для решения этой задачи имеется два подхода 1) плоские прямоугольные фигуры топологии разбиваются на прямоугольники с учетом ограничений конкретной микрофотонаборной установки на максимальные и минимальные размеры прямоугольников 2) произвольные области топологии покрываются прямоугольниками при тех же ограничениях. [c.220]

Размеры для спраВон Основная надпись Рис. 8.48. Топологический чертеж резистивного слоя [c.199]

Для изготовления фотошаблонов и масок оформляют топологические чертежи отдельных слоев микросхемы базового (контуры резисторов, базы транзисторов и анодных областей диодов), разделительного (разделяющего области вокрут резисторов, контактных площадок и других элементов), эмитгерного (контуры эмиттерных областей, коллекторных контактов и катодов диодов), контактных окон, слоев металлизации. На каждом из этих чертежей показывают проекцию кристалла с габаритными размерами, записывают технические требования, заполняют таблицу координат каждой фигуры слоя и размещают соответствующую фигуру совмещения. Каждая фт гура слоя должна иметь цифровое обозначение левой нижней вершины. Цифра 1 присваивается левому нижнему углу прямоугольника, определяющего границы кристалла. Следующие вершины обозначаются в последовательности слева направо снизу вверх. Координаты всех вершин заносят в таблицу. Наименование слоя указывают текстом над изображением главного вида. На рис. 8.54 показаны элементы чертежа слоя металлизации к чертежу совмещенной топологии по рис. 8.51. Основную надпись выполняют по форме 2а [2.1]. [c.203]

РСВ Editor - редактор чертежей печатных плат и топологических посадочных мест компонентов. [c.41]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...