Оптоэлектроника

Материалы для оптоэлектроники Сборник статей Пер. с англ. М. Мир. 1976. [c.253]

Весьма перспективным оказалось исследование с помощью описанной методики интегральных схем и других элементов интегральной оптоэлектроники. Использование описанной аппаратуры в производстве элементов интегральной оптоэлектроники позволит осуществлять контроль в процессе всего технологического цикла и определять несовершенства, возникающие на разных стадиях процесса изготовления и в разных слоях создаваемых структур. [c.198]

АКУСТООПТИКА — пограничная область между физикой и техникой, в к-рой изучается взаимодействие эл.-магн, волн со звуковыми и разрабатываются основы применения этих явлении в технике. Взаимодействие света со звуком используется в совр, оптике, оптоэлектронике, лазерной технике. для управления [c.46]

Материаловедческие проблемы кремниевой оптоэлектроники [c.95]

Вторая половина прошедшего столетия ознаменована грандиозными достижениями в развитии полупроводниковой электроники, и прежде всего микро- и оптоэлектроники. Эти достижения обеспечили невиданный прогресс в вычислительной технике, информатике, радиоэлектронике, энергетике и в других передовых областях науки и техники. Совершенно очевидно, что все эти преобразования были бы вряд ли возможны без выдающихся достижений в развитии материаловедения и технологии полупроводниковых материалов. [c.111]

Все вышеизложенное позволяет предполагать, что в обозримом будущем нас ожидают весьма серьезные изменения как в номенклатуре и технологиях получения важнейших материалов электронной техники, так и в номенклатуре и технологиях создания на их основе принципиально новых нанометровых приборных устройств, работающих на новых физических принципах. В первую очередь эти изменения коснутся микро-и оптоэлектроники [c.114]

В данной монографии предполагается осуществить переход от описательного характера к изучению причинной связи явлений и формулированию основных законов записи и воспроизведения магнитных полей вблизи поверхности намагниченного изделия. Ввиду важности количественной стороны опытов для изучения физических явлений в монографии большое внимание уделено детальному описанию экспериментальных исследований, в которых автор принимал непосредственное участие. Кроме того, в ней рассматривается целый ряд практически важных вопросов из смежных разделов технической физики, таких, как кадровое телевидение, оптоэлектроника, измерение и обработка информации и другие, которые могут представить интерес для широкого круга специалистов, занятых вопросами магнитных измерений и визуализации магнитных, оптических и тепловых потоков излучения. [c.7]

Цифровые ОУ представляют измерительную информацию в виде ряда цифр, соответствующих определенным значениям измеряемого параметра. Результат измерения можно получить значительно быстрее и точнее, чем при шкальном отсчете. По этим причинам и в связи с бурным развитием оптоэлектроники цифровые ОУ интенсивно вытесняют шкальные, несмотря на некоторые свои недостатки (в частности, при цифровом отсчете из-за дискретности не всегда легко проследить тенденцию изменения измеряемого параметра). [c.242]

Самый большой эффект внедрения оптоэлектроники в метрологию следует ожидать в связи с применением, ,стеклянных линий связи" в эталонных установках. Предполагается, что в недалеком будущем основой международной службы времени будет служить густая сеть оптических кабелей на материках и океанах. [c.89]

Развитие функциональной микроэлектроники осуществляется в ряде областей физики твердого тела, таких, как акустоэлектроника, оптоэлектроника и др. [c.226]

Существенно повысить надежность станков в процессе эксплуатации можно за счет оснащения их системами активного контроля, адаптивного управления и диагностики. Причем наиболее перспективными являются системы активного контроля с бесконтактными датчиками на базе оптоэлектроники, так как они позволяют [c.406]

Хаус X. Волны в оптоэлектронике. - М. Мир, 1988. [c.138]

Выращивание диэлектрических монокристаллов из расплава является передовой техологией, отдельные фрагменты которой применяют также для получения других классов диэлектрических материалов, используемых в микроэлектронике. Именно использование диэлектрических кристаллических материалов способствовало развитию таких новых перспективных направлений электронной техники, как оптоэлектроника, квантовая и функциональная электроника. Все известные кристаллические материалы, применяемые в настоящее время для изготовления подложек или планирующиеся к подобному использованию, получают по этой технологии. [c.51]

Выпускник ЛЭТИ послевоенных лет заведущий кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ академик Ж. И. Алферов внес существенный вклад в развитие науки о гетеропереходах в полупроводниках. [c.4]

ОПТОЭЛЕКТРОНИКА — раздел электроники, охватывающий использование эффектов взаимодействия электромагнитных волн с электронами в веществах и методы о дания оптоэлектронных приборов для обработки, хранения и передачи информации ОПЫТ [Айвса и Стилуэлла подтвердил [c.255]

Анализ зарубежного опьп а позволяет охарактеризовать перспек-швы развития АСУ в рассматриваемой области применение менее дорогих, но более мощных ЭВМ, а также диалоговых систем с использованием светового карандаща прямой цифровой контроль внедрение оптоэлектроники для передачи данных и программирование в расчете на конечного пользователя. Однако все авторы сходятся во мнении, что создание автоматизированной СЦТ того или иного уровня огфеделяется детальным технико-экономическим исследованием. [c.194]

Кроме Si полупроводниковые И. с. изготавливаются из GaAs и нек-рых др. полртроводников. Это повышает быстроде11Ствие И. с. (более высокая подвижность носителей заряда) и дополняет кремниевую электронику оптоэлектронными, в т. ч. лазерными, системами (см. Оптоэлектроника). [c.154]

Принципы и методы К. э. используют при создании источников и приёмников излучения для свото-водных систем связи (см. Волоконная оптика, Оптоэлектроника). [c.320]

Функциональная микроэлектроника. Ограничения, вызванные нарастающей плотностью и сложностью внутр. связей, стимулируют развитие т. н. функциональной М. — создание структур, функциональные свойства к-рых определяются коллективными электронными процессами и не могут быть реализованы путём коммутации отд, его областей обработка информации осуществляется не схемотехн. путём, а динамич. распределением зарядов и полей — эл.-магн., тепловых, упругих. При этом используются оптич. явления (см. Оптоэлектроника), взаимодействие электронов с акустич, волнами (см. Акустоэлектропика). В связи с открытием высокотемпературной сверхпроводимости особое значение приобретают криоэлектронные приборы. Разрабатываются полностью оптические ( фогон-вые ) вычислит, машины. Функциональная М. позволяет достичь предельно высокой производительности и мин. энергопотребления. Однако для каждого класса задач требуется создание спец, структур или сложная настройка. Кроме того, несхемотехн. решения характеризуются меньшей точностью и устойчивостью вычислений и моделирования. [c.153]

Алюминий образует с кислородом единственный термодинамически стабильный оксид общей стехиометрии А12О3, который существует в виде ряда кристаллографических модификаций [1—4]. А12О3 относится к наиболее важным оксидным керамическим материалам. Сочетая химическую инертность, механическую прочность при повышенных температурах, стойкость к термическим ударам, ряд иных ценных свойств, А1зОз широко используется при изготовлении абразивов, устойчивых подложек при производстве электронных устройств, в лазерной оптике, при создании тонкопленочных материалов оптоэлектроники, металлокерамических изделий полифункционального назначения и т. д. [c.117]

Основной проблемой кремниевой оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего см (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в кристаллической решетке используют неравновесные методы получения сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию, молекулярно-лучевую эпитаксию, ионно-лучевое напыление и др. Увеличению содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные комплексы. На сегод- [c.96]

К наукоемким применениям алмазов относятся те направления, которые ориентированы на научно-технический прогресс в области микроэлектроники, оптоэлектроники, сенсоэлектроники, лазерной и радиационной техники, определяющих базовый уровень развития новых технологий XXI века. [c.452]

Настоящая монография по характеру изложения предполагает предварительное знакомство читателя с курсами общей физики и физики полупроводников в объеме программы высших учебных заведений. Главы 1—4 подготавливают читателя к пониманию основных физических явлений, которые происходят в активных и других диэлектриках, представляющих интерес для электронной техники. Главы 5—8 посвящены более детальному рассмотрению особенностей диэлектрических устройств и их использованию в пьезотехнике, оптоэлектронике, акустоэлектронике и т. п. Магнитные диэлектрики исключены из рассмотрения в связи с наличием обширной литературы по их свойствам 1и применениям. В списке литературы выделены главным образом монографии и основные обзорные работы, в которых читатель может найти полную информацию об использованных первоисточниках, а также работы приоритетного характера. Ссылки на оригинальные статьи приводятся в случае отсутствия обобщающих источников информации. [c.4]

Для оптоэлектроники большой интерес представляет эффект остаточной фоторефракции, имеющий место только в ацентрических кристаллах в лазерных полях невысокой и средней мощности. Суть этого явления заключается в том, что при воздействии света с энергией фотонов, превышающей пороговую, на примесях или ионах переменной валентности (в частности, ниобия в кристалле, напрлмер ниобата лития) происходит перераспределение электрических зарядов, локально изменяющее внутреннее электрическое поле. За счет электрооптического эффекта появляются соответствующие локальные изменения коэффициента преломления. Индуцированное светом оптическое повреждение может оставаться в кристалле длительное время оно стирается прогревом или сплошной засветкой кристалла потоком фотонов с надпороговой энергией. Остаточная фоторефракция используется для обратимой записи оптической информации в объеме кристалла, например, в виде голограмм. [c.31]

Диэлектрические оптические элементы находят все более разнообразное применение в современной оптоэлектронике, включая как технику оптической связи, оперативной обработки информации и управления, так и силовую оптику во всех аспектах ее использования (от многообразия лазерной технологии до имплози-онного термоядерного синтеза). Предметом настоящей главы является обзор совокупности известных диэлектрических сред и их особых свойств, обеспечивающих разработку огромного числа видов применяемых устройств и систем. Классические материалы и приборы современной оптики, а также магнитооптические материалы и устройства, которым посвящены многочисленные монографии и учебные пособия, в данной книге не рассматриваются. [c.192]

Плазменное оксидирование в плазме тлеющего разряда позволяет получать пленки только чрезвычайно низкой толщины до 30 нм) при весьма малой скорости образования. Последнее время к таким пленкам появляется заметный интерес в связи с развитием крио- и оптоэлектроники. [c.258]

ОПТОЭЛЕКТРОНИКА - это герметики холодного отверждения эластосил , используемые в качестве оптически прозрачных клеев. [c.323]

Таким образом, дальнейшее усовершенствование техники воспроизведения магнитной записи направлено на применение потокочувствительных датчиков, телеметрических измерительных систем, телевизионной техники и оптоэлектроники. Решение этих задач и является целью наших исследований, изложенных ниже. [c.22]

Настоящая книга появилась благодаря научному опыту, накопленному авторами, которые работали в областях, тесно связанных со многими рассматриваемыми здесь вопросами, а также благодаря их преподавательской деятельности в университетах г. Акуила (Ди Порто, физика твердого тела), г. Рима (Крозиньяни, оптоэлектроника) и г. Неаполя (Солимено, электромагнитные поля и оптика). В результате возникла книга, которую можно использовать как учебник и как монографию, посвященную современному состоянию исследований в данной области, причем благодаря большому числу помещенных в ней задач ее предпочтительнее отнести к учебнику. [c.8]

Закрытые каналы оптической связи между ЭВМ, АТС, для междугородной и внутриобъектовой связи (а объектом в этом случае может быть любая измерительная система, любой сложный прибор) обеспечивают повышенную помехозащищенность и скрытность связи. По ленточному оптическому кабелю с наружным диаметром 12,7 мм одновременно передается 240 тыс. телефонных разговоров. Неоспоримые преимущества оптической связи привели к бурному развитию специальной области электроники — оптоэлектроники, в которой применяются и оптические, и электрические методы обработки, передачи и хранения информации. [c.88]

Если в качестве источников света используются лазеры, к термину оптоэлектроника" добавляется слово когерентная". Если же речь идет только о замене электрических связей оптическими, говорят об оптро-нике". Оптрон — это прибор, состоящий из источника и приемника света, связанных оптически. Оптроны преобразуют и усиливают электрические и [c.88]

Об этом и многом другом, что гюдарила нам оптоэлектроника, счастливо соединившая электронику с оптикой, популярно рассказано в этой книге. [c.18]

Другую группу фотоприборов составляют светодиоды или люминесцентные диоды, в которых прп пропускании прямого тока через р—п-переход происходит интенсивное свечение. Выделение энергии в виде излучения происходит вследствие рекомбинации электрона с дыркой прп переходе электронов в р-область и наоборот. В некоторых полупроводниках (германий, кремний) энергия, выделяющаяся в результате рекомбинации, передается главным образом кристаллической решетке. Однако в арсениде и фосфиде галлия процесс рекомбинацни сопровождается выделением энергии в виде излучения, поэтому в оптоэлектронике эти материалы находят все более широкое применение. [c.249]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...