Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Получение галлия

Для получения галлия высокой чистоты его подвергают сначала электролитическому рафинированию в щелочном электролите с жидким галлиевым катодом, а затем вакуумной плавке.  [c.200]

Рис. 178. Схема электролизера для получения галлия Рис. 178. Схема электролизера для получения галлия

Получение галлия высокой чистоты [14—16, 39]  [c.423]

В я л ь ф е л ь д т К., Л а й п е й р е с М. Попутное получение галлия при производстве глинозема (перев. с нем.), Проблемы современной металлургии, 1959, № 5, стр. 97.  [c.564]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами (кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Активная область представляет собой слой толщиной около 1 мкм, т. е. немного больше запирающего слоя (примерно 0,2 мкм). В свою очередь поперечные размеры лазерного пучка гораздо больше (около 40 мкм) толщины активной области (рис. 35.24, б). Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р- и п-областях. Однако поскольку поперечные размеры пучка все же относительно невелики, выходное излучение имеет большую расходимость (несколько градусов).  [c.297]

К настоящему времени изучено влияние многих элементов на плотность р и свободную поверхностную энергию а жидкого железа. В предлагаемом обзоре для удобства систематизации влияние элементов на р и а железа рассмотрено по группам периодической системы Д. И. Менделеева. В обзор включены полученные нами данные для двойных сплавов железа с медью, золотом, алюминием, галлием, углеродом, германием и оловом.  [c.28]

Расширение области применения полупроводников потребовало создания специальных отраслей промышленности. Часть этих отраслей прямо относится к производству этих приборов, а часть самым тесным образом связана с получением сверхчистых веществ в широкой номенклатуре (алюминий, золото, галлий, бор, фосфор, мышьяк, сурьма и др.) и сверхчистых реагентов (кислоты, щелочи и т. п.).  [c.420]

В настоящей работе рассматриваются современные методы получения фосфида галлия и карбида кремния, их основные электрофизические характеристики и области применения.  [c.45]

Получение и основные электрофизические свойства фосфида галлия  [c.45]

Для получения фосфида галлия могут быть использованы различные методы [1]. Из этих методов наиболее перспективным является получение фосфида галлия путем зонной плавки под давлением. При этом оказывается возможным совместить в одном процессе синтез, зонную очистку и кристаллизацию фосфида галлия при температуре и давлении, соответствующих точке плавления расплава стехиометрического состава.  [c.45]


В заключение следует сказать, что применение фосфида галлия и карбида кремния далеко не исчерпывается приведенными выше конкретными случаями. По мере совершенствования технологии получения этих полупроводников области их применения в современной полупроводниковой технике будут неограниченно расширяться.  [c.51]

Соединения, полученные этим методом, обладают достаточной герметичностью, предел прочности соединений внахлестку до 50 МПа. Отмечается нестабильность механических характеристик. Содержание галлия в составе паст дает возможность получать температуру распайки значительно более высокую, чем температура пайки. Особенность этого метода пайки заключается также в возможности получения паяных соединений при 150—600 °С, что расширяет диапазон применения пайки.  [c.270]

В объеме полупроводника возникают пары элементарных подвижных носителей электрических зарядов отрицательных — свободные электроны и положительных — дырки. Электронным полупроводником (полупроводником типа п) называется такой полупроводник, в котором концентрация свободных электронов преобладает над концентрацией дырок. Электроны в этом случае являются основными носителями зарядов, а дырки — неосновными. Донорами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (пятивалентные атомы мышьяка, сурьмы, фосфора и др.) для получения избытка электронов. Дырочным полупроводником (полупроводником типа р) называется полупроводник, в котором концентрация дырок преобладает над концентрацией электронов. Акцепторами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (трехвалентные атомы индия, алюминия, галлия и др.) для создания избытка дырок. Дырки в этом случае являются основными носителями зарядов.  [c.348]

После обжига цинковой руды огарок выщелачивают серной кислотой. Полученный раствор сульфата цинка перед поступлением на последующие операции должен быть очищен [101. Частичная очистка достигается осторожной нейтрализацией избытка кислоты при этом получается осадок так называемого железного шлама . Шлам, полученный при переработке цинковых руд Трех штатов, содержит около 0,07% галлия и используется как исходное сырье для его извлечения. Кроме галлия, шлам содержит около 10% алюминия и 15% железа. Шлам выщелачивают кислотой или едким  [c.166]

Извлечение 1аллия как побочного продукта при переработке цинковых руд месторождения Трех штатов (Миссури — Оклахома — Канзас) зависит от способа переработки руды. Цинковую сульфидную руду подвергают обжигу н выщелачивают серной кислотой с целью получения неочищенного раствора сульфата цинка. Концентрирование галлия производят в процессе последующей очистки раствора (описано ниже). Однако при получен ни металлического цинка плавлением обожженной цинковой руды в ретортах после отгонки цинка галлий обычно находится в ретортных остатках. В случае применения для извлечения из этих остатков ципка вельц-процесса галлий переходит в клинкер 1261 клинкер содержит 0,01—0,05 и металла. Чтобы извлечь галлий, клинкер растворяют. Насколько известно, этот потенциальный источник получения галлия в настоящее время не используется из-за дороговизны процесса.  [c.166]

Извлечение галлия в промышленном масштабе из пылей дымоходов проводилось в Англии 130). Типичные пыли дымоходов содержали обычно около О,б" германия и 0,25% галлия. По методу, принятому в Англии, пыль сплаа,1яют с содой, известью, окисью меди и углем (необходимо также железо, но оно обычно находится в пылях). Таким образом получают корольки металла, содержащие большую часть германия и галлия из исходного сырья. Корольки металла хлорируют в разбавленном растворе хлорного железа, при этом галлий и германий растворяются. Образующийся тетрахлорид германия отгоняют из раствора, после чего раствор охлаждают для кристаллизации солей медн, которые отделяют центрифугированием. Затем раствор разбавляют и обрабатывают алюминием для осаждения оставшейся меди н других металлов одновременно железо восстанавливается до Двухвалентного состояния. Раствор неочищенного хлорида галлия, полученный таким образом, смешивают с изопропиловым эфиром, чтобы экстрагировать хлорид галлия (об экстракции см. выше при описании получения галлия из цинковых руд). После отгонки эфира хлорид галлня перерабатывают, как это указано выше. Описан процесс 1151 получения соединений гаялия из газов, образующихся прп сжигании угля. Газы подвергают. мокрой очистке разбавленным раствором щелочи, который улав ти-вает галлий и некоторые другие металлы. Этот раствор едкого натра циркулирует, пока содержание галлия не станет достаточным для экономичного  [c.168]


Галлий. Содержание окиси галлия ОааОз в боксите обычно составляет 0,05—0,2 кг на 1 т окиси алюминия. Алюминий и галлий имеют близкие химические свойства. При выщелачивании боксита большая часть галлия переходит в алюминатный раствор в виде галлата натрия ПаОаОг, накапливаясь в нем до 0,2—0,3 г/л (в пересчете на ОзаОз). Алюминатные растворы глиноземного производства являются основным источником получения галлия.  [c.51]

Для непосредственного извлечения галлия используют разные продукты глиноземного производства. При переработке бокситов способом Байера для этой цели используют маточные и оборотные растворы после декомпозиции, способом спекания — алю-мокарбонатный осадок после двустадийной карбонизации. При переработке нефелинов источником получения галлия служит маточный раствор после выделения поташа.  [c.199]

Получение галлия цементацией основано на разности электрохимических потенциалов галламы алюминия и галлия. Алюминий как более электроотрицательный металл переходит из галламы в раствор, а галлий осаждается на галламе  [c.199]

В настоящее время основным источником получения галлия служат отходы производства алюм иния. На некоторых предприятиях галлий извлекают из отходов цинкового производства и газовых заводов (попутно с германием). Из железных руд галли1 пока не извлекают.  [c.414]

Алюмцнатные растворы служат основным источником получения галлия. Кроме того, возможно извлечение галлия из отходов электролитического производства алюминия.  [c.415]

Hiann Э., Шоймар К. Получение галлия чистотой 99,9999% методом дробной кристаллизации и зонной плавки, Изв.. вузов, Цветная металлургия, 1963, № 5, стр. 108.  [c.565]

Как упоминалось выше, получение галлия связано с производством глинозема. Галлат натрия хорошо растворим в щелочных алюминат-ных растворах. В процессе переработки на глинозем бокситов щелочным методом и нефелинов методом спекания в растворы переходят ЫаОаОг наравне с НаА102. При карбонизации алюминатного раствора происходят реакции  [c.67]

Рис. 14.5. Схема получения монокриеталлоа фосфида галлия в газовой фазе — аргоне (а) и распределение температур по зонам (б) Рис. 14.5. <a href="/info/454894">Схема получения</a> монокриеталлоа <a href="/info/230847">фосфида галлия</a> в <a href="/info/415471">газовой фазе</a> — аргоне (а) и <a href="/info/249037">распределение температур</a> по зонам (б)
Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27.  [c.261]

По литературным данным рассмотрено влияние двадцати трех элементов на ллотность р жидкого железа и тридцати трех — на его свободную поверхностную энергию а. Для удобства систематизации влияние элементов на р и о железа рассмотрено по группам периодической системы Д. И. Менделеева. В обзор включены полученные авторами данные для двойных сплавов железа с медью, золотом, алюминием, галлием, углеродом, германием и оловом. Используя известные критерии поверхностной активности, авторы провели оценку надежности имеющихся литературных и собственных данных. Табл. 2, библиогр. 109.  [c.222]

Успешное решение этой задачи возможно лишь при наличии полупроводниковых материалов, сочетающих в себе нагревостой-кость и высокие электрофизические характеристики. Из таких материалов наиболее перспективны полупроводники с широкой запрещенной зоной — фосфид галлия и карбид кремния. Получение этих материалов связано с рядом технических трудностей, обусловленных высокой температурой плавления и невозможностью получения расплава при нормальном давлении. Поэтому фосфид галлия и карбид кремния в виде монокристаллов полупроводниковой чистоты известны сравнительно недавно. Тем не менее за последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в технологии получения этих материалов, в разработке полупроводниковых приборов на их основе.  [c.45]

Приведенным выше методом нами измерены коэффициенты теплопроводности Я (в кал1см сек град) чистого олова, висмута, галлия, сплавов системы кадмий — олово. Согласно полученным результатам (табл. 1), теплопроводность олова при плавлении уменьшается, висмута  [c.127]

Металлический галлий получается из чистого гидрата трехоки-си галлия путем растворения его в растворе едкого натрия и последующего электролиза яри температуре около 30° С (электроды платина, жидкий галлий или графит). Полученный таким образом галлий далее очищается путем обработки азотной кислоты с последующей фракционной кристаллизацией.  [c.56]

Первые сведения о производстве гаплия в СШ.4 представлены Мак-Гут-ченом (101, который выделил его из металлического остатка, полученного при рафинировании технического цинка дистилляцией. Цинковая руда, из которой был выделен галлий, добывалась из месторождения Трех штатов (Миссури - Оклахома — Канзас).  [c.164]

Полученный таким образом техгшческий галлий промывают последовательно дистиллированной водой, разбавленной смяной кислотой и разбавленной азотной кислотой. Образовавшиеся дроссы снимают и возвращают в цикл очистки. Если при обработке азотной кислотой дроссы батьше не образуются, а жидкий галлий под соляной кислотой имеет блестящую зеркальную поверхггость, химическая очистка считается полной.  [c.167]

Галлий получают также из щелочных растворов алюмината натрня методом Байера. По этому методу боксит обрабатывают горячим раствором едкого натра. Полученный алюминат натрия отфильтровывают от нерастворимого остатка и вносят в него затравку гидроокиси алюминия. После охлаждения начинает кристаллизоваться гидроокись алюминия, которая  [c.167]


Смотреть страницы где упоминается термин Получение галлия : [c.165]    [c.169]    [c.198]    [c.422]    [c.424]    [c.67]    [c.165]    [c.168]    [c.169]    [c.286]    [c.291]    [c.303]    [c.71]    [c.166]    [c.168]   
Смотреть главы в:

Металлургия алюминия  -> Получение галлия

Металлургия редких металлов Издание 2  -> Получение галлия

Металлургия редких металлов  -> Получение галлия



ПОИСК



Арсенид галлия методы получения

Галлай

Галле

Галлей

Галлий

Галля

Получение галлия высокой чистоты



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте