Арсенид галлия методы получения

Сравнение методов ЛТ. Одной из нерешенных задач является сравнение результатов, полученных разными методами ЛТ в одинаковых условиях. Универсального объекта, измерение температуры которого можно провести всеми известными методами ЛТ, не существует. Однако для таких объектов, как плоскопараллельные монокристаллы кремния или арсенида галлия, возможно одновременное применение нескольких наиболее распространенных методов. В таблице 8.5 приведено несколько широко применяемых в микротехнологии материалов и методов термометрии. Вместе взятые, эти материалы обеспечивают возможность сравнения точности измерений основных методов ЛТ. [c.205]

Цель данной работы — разработка метода химического травления для выявления р — п-перехода, полученного введением в арсенид галлия диффузией или наплавлением акцепторных примесей (кадмия). [c.79]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...