Получение галлия высокой чистоты

Для получения галлия высокой чистоты его подвергают сначала электролитическому рафинированию в щелочном электролите с жидким галлиевым катодом, а затем вакуумной плавке. [c.200]

Получение галлия высокой чистоты [14—16, 39] [c.423]

Методика измерений была тщательно отработана в различных условиях эксперимента [6—8]. Удовлетворительное согласие полученных данных при опробовании метода на Hg и 8п [6] позволяет считать метод вполне надежным. В последнее время на двух установках, работающих по принципу метода узкой перемычки , измерена теплопроводность, число Лоренца, температурный коэффициент электросопротивления Hg и системы ртутно-индиевых амальгам шести разных процентных составов в интервале температур (293—600° К), твердого и жидкого олова в интервале температур (293—1100° К), свинца высокой чистоты (293—1100° К), галлия (280—700° К), индия (293—900° К), теллура (293—1000° К), теллурида [c.148]

Технология получения редких и рассеянных элементов имеет ряд особенностей, связанных с необходимостью переработки бедного рудного сырья сложного состава. Многие из перечисленных элементов не имеют собственных месторождений и извлекаются из отходов и промежуточных продуктов сернокислотного производства, алюминиевой промышленности, производства цинка, кобальта, никеля, меди и т. д. Указанные сырьевые источники отличаются сложностью химического состава, физическим состоянием и низким содержанием извлекаемого элемента. Это обусловливает разнообразие технологических способов и схем выделения элементов и получения их в химически чистом виде. В большинстве случаев применяют типичные гидрометаллургические методы с получением на первой стадии разбавленных по ценному компоненту растворов с последующим концентрированием его и отделением от примесей. Развитие и совершенствование технологии производства редких и рассеянных элементов не может быть осуществлено без применения метода ионного обмена. Применение ионообменных смол и избирательных неорганических ионообменных материалов дает возможность не только выделить и сконцентрировать тот или иной редкий или рассеянный элемент, очистить его от примесей, но и решить задачи по разделению близких по свойствам элементов лития и натрия, рубидия и цезия, галлия, индия и таллия, селена и теллура, по получению соединений элементов и металлов высокой степени чистоты. [c.114]

Получение соединений галлия, индия и таллия высокой степени чистоты. [c.123]

Успешное решение этой задачи возможно лишь при наличии полупроводниковых материалов, сочетающих в себе нагревостой-кость и высокие электрофизические характеристики. Из таких материалов наиболее перспективны полупроводники с широкой запрещенной зоной — фосфид галлия и карбид кремния. Получение этих материалов связано с рядом технических трудностей, обусловленных высокой температурой плавления и невозможностью получения расплава при нормальном давлении. Поэтому фосфид галлия и карбид кремния в виде монокристаллов полупроводниковой чистоты известны сравнительно недавно. Тем не менее за последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в технологии получения этих материалов, в разработке полупроводниковых приборов на их основе. [c.45]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...