Сегнетоэлектрические материалы

Их нужно дополнить "материальными" уравнениями, учитывающими соотношение между векторами Е, D, В, Н и j. При отсутствии ферромагнитных и сегнетоэлектрических материалов для изотропных сред можно записать эти уравнения при помощи трех констант ст (электропроводность), с. (диэлектрическая проницаемость) и ц (магнитная проницаемость), — постулируя линейную связь между D и Е, В и Н, j и Е, т. е. [c.19]

С учетом всех этих оговорок можно сформулировать задачу следующим образом требуется найти параметры (амплитуду и фазу) приближенно гармонического колебания, возбуждаемого в слабо нелинейной колебательной системе с малым затуханием, при заданной гармонической внешней силе. С подобной задачей мы встречаемся не только при рассмотрении механических систем, но и при анализе различных колебательных цепей в радиотехнических устройствах при наличии нелинейных диссипативных элементов (полупроводниковые приборы, радиолампы), а также при использовании ферромагнитных или сегнетоэлектрических материалов в катушках индуктивности и конденсаторах этих цепей. [c.113]

В настоящее время известно несколько методов получения тонких пленок из керамических сегнетоэлектрических материалов, однако ни один из них не может быть рекомендован как универсальный, так как каждый может использоваться для получения пленок определенных толщин. По существу каждый метод [c.292]

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НОВЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ УМНОЖИТЕЛЕЙ ЧАСТОТЫ [c.305]

Теория сегнетоэлектрических явлений и основные закономерности сегнетокерамики довольно полно изучены рядом советских и зарубежных ученых [43—52] и являются основой для дальнейших подробных исследований. В настоящее время, помимо совершенствования синтеза титаната бария, проводятся обширные исследовательские работы по изысканию новых материалов. С одной стороны, введением различных добавок в титанат бария получают твердые растворы на его основе, с другой стороны синтезируются новые сегнетоэлектрические материалы с высокими значениями физических и механических параметров, которые пригодны для работы в условиях высоких рабочих температур и в электрических полях большой напряженности [52—62]. Из синтезированных сегнетоэлектриков структуры перовскита много новых составов с высокими температурами Кюри. [c.312]

Анализ параметров Ki целесообразно начать с рассмотрения сегнетоэлектрических материалов, в которых они существенно изменяются в зависимости от близости к сегнетоэлектрическому ФП. Основной особенностью ФП в конденсированных средах, в том числе и сегнетоэлектрических ФП, является повышение лабильности структуры по отношению к воздействующим полям. [c.255]

Весьма важна для технологии сегнетоэлектрических материалов. Титанаты кальция входят в состав высокоглиноземистых и титановых цементов. [c.266]

Сегнетоэлектрические материалы с течением времени стареют свойства материалов с высокой нелинейностью наиболее. чувствительны к изменению температуры окружающей среды. [c.226]

Возможно, что группу сегнетоэлектрических материалов можно существенно расширить, замещая ионы А и В в АВО сложными ионами. [c.141]

Собрано и проанализировано более 2500 статей по физике и химии сегнетоэлектриков, а также более 250 патентов на сегнетоэлектрические материалы, опубликованные в реферативных журналах за последние годы. Проанализировано распределение публикаций по странам и прослежена динамика роста их числа. [c.167]

Среди диэлектриков есть вещества, обладающие такими эффектами, как контактное электричество, пироэлектрический и пьезоэлектрический эффекты. Кроме того, в последнее время приобретают важнейшее значение сегнетоэлектрические материалы, начало которым положил титанат бария. К рассмотрению этих материалов мы. вернемся в гл. 4. [c.141]

Применение пьезоэлектрических и сегнетоэлектрических материалов [c.298]

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ [c.298]

ПРИМЕНЕНИЕ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ [c.304]

Пьезомагнитные постоянные намагниченного ферромагнитного или ферримагнитного материала можно определить методом, аналогичным тому, который использован 4, п. 1, для сегнетоэлектрических материалов. Так же как в случае поляризованного сегнетоэлектрика, g is g33 — gsi, причем это соотношение наиболее точно выполняется в том случае, когда зависимость между полной деформацией и полным потоком индукции приближается к квадратичной. [c.313]

Материалы класса V, содержащие титанат бария, являющийся типичным сегнетоэлектриком, отличаются зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля, а некоторые группы (с особо высоким значением е,) — большой зависимостью от температуры с максимумом при температуре точки Кюри. Чем больше содержит керамика титаната бария, тем сильней проявляются сегнетоэлектрические свойства. Свойства керамических материалов типа Б представлены на рис. 3-75. [c.240]

В частности, применение сегнетоэлектрических и пьезоэлектрических материалов в виде пленок позволяют при малых размерах получать запоминающие устройства большой емкости для электронных машин, малогабаритные нелинейные устройства сверхвысокой частоты (СВЧ), высокочастотные преобразователи ультразвука, конденсаторы и ряд других изделий. Многие из этих элементов являются основой некоторых современных машин и механизмов и начинают широко применяться в специальных областях машиностроения. [c.292]

Тонкие пленки сегнетоэлектрических и пьезоэлектрических материалов имеют явные преимущества в эксплуатации по сравнению с объемными материалами, так как они требуют весьма малый вольтаж для поляризации и легче рассеивают тепло, тем самым устраняют влияние термического гистерезиса и повышают стабильность. [c.292]

Рис. 8.2. Экспериментальная зависимость смещения сегнетоэлектрического иона Дх от величины спонтанной поляризации Pg [1]. Цифры у точек указывают номера материалов в табл. 8.1. Сплошная линия соответствует выражению (8 3).

Коэффициенты поляризации второго порядка, которые описывают нелинейные взаимодействия лазерных лучей с сегнетоэлектрическими кристаллами, отличаются по величине для разных материалов на несколько порядков. [c.369]

Для изготовления нелинейных конденсаторов применяются другие сегнетоэлектрические материалы, обладающие резко выраженными нелинейными свойствами — сильной зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля. Такие материалы называются варикондами. Вариконды предназначены для управления параметрами электрических цепей за счет изменения их емкости. Сегнетоэлектрики, петля гистерезиса которых по форме близка к прямоугольной, например, такие, как тригли-цинсульфат (ТГС), можно применять в запоминающих устройствах ЭВМ. [c.244]

Слой фотопроводника толщиной в несколько микрон формируется с одной или с двух сторон керамической пластины. Чаще всего в качестве фотопроводника служит органический полупроводник—поливинилкарбозол, в котором хорошая фоточувстви-тельность сочетается с высокими оптико-механическими свойствами. Последнее весьма вал<ио при совместной работе с пьезоэлектриками, каковыми являются все сегнетоэлектрические материалы Из неорганических фотополупроводннков, для которых характерны более высокая чувствительность и быстродействие. Применяются сульфиды кадмия и цинка и их твердые растворы, [c.129]

Первые сообщения о новом сегнетоэлектрическом материале — ниобате бария-натрия (НБН) появились в литературе в 1967 г. [1, 2]. По сравнению с известными нелинейными кристаллами эти кристаллы обладают значительными преимуществами. Они стабильны при воздействии ультрафиолетового излучения [3J, в них отсутствуют оптически наведенные неоднородности показателя преломления, имеющие место в LiNbOs и LiTaOs. Как полагают, причина стабильности кристаллов НБН при воздействии УФ-излучения лежит в их структуре [4]. [c.176]

В большинстве применений сегнетоэлектрических материалов важно иметь точное знание зависимости сжойств материала от температуры и их изменения от материала к материалу при данной температуре. Феноменологическая теория сегнетоэлектричества Девоншира — Гинзбурга предсказывает температурную зависимость сегнетоэлектрических свойств некоторых материалов, но она неприменима к проблемам предсказания зависимости свойств от состава материала. Если материаловедческий критерий определен, его можно использовать в выборе лучшего материала для конкретного применения, а тaкн e в поиске материалов с высокими нелинейно-оптическими характеристиками. [c.292]

Рис 8 12 1 — расчетная, 2 — экспериментальная зависимости нелинейной оптической восп и-мчивости б от спонтанной поляризации. 3 — линия — среднее значние б, полученное для 120 сегнетоэлектрических материалов. а — стандартное отклонение от среднего Экспериментальные точки соответствуют отдельным материалам, указанным на рисунке [25] [c.370]

Сегнетоэлектрические материалы ЦТСЛ области III, находящейся вблизи морфотропной фазовой границы между ромбоэдрической и тетрагональной фазами, обладают низкой коэрцитивной силой и прямоугольной петлей гистерезиса и поэтому применимы в электрооптических запоминающих устройствах. Электрооптический эффект памяти состоит в том, что изменения показателя преломления, вызванные приложением электрического поля, сохраняются и после снятия поля, так как сохраняется остаточная поляризация. [c.260]

Ниобат бария-натрия [144] является одним из многих сегнетоэлектрических материалов, которые исследовались после открытия замечательных свойств ниобата лития. Кристалл двуосный, хотя двуосность и не очень ярко выражена, поскольку его главные показатели преломления удовлетворяют соотношению Пу Пх. При комнатной температуре Пу — 2 — 0,12 и ж — у = 0,002. Поэтому в первом приближении его можно считать одноосным кристаллом, во всяком случае при грубом расчете условий синхронизма. Химическая формула кристалла Ва2ЫаЫЬб015. Сходство этого кристалла с ниобатом лития легко заметить, если записать химическую формулу последнего как Ь15ЫЬ5015. При температуре ниже 300 °С ниобат бария-натрия принадлежит к классу (точечная группа) тт2 и обладает орторомбической структурой. Этот кристалл многими своими практически важными свойствами напоминает ниобат лития. [c.117]

Керамические материалы могут быть весьма разнообразны по свойствам и области применения в электротехнике используют керамические материалы в качестве полупроводниковых (стр. 265) и магнитных (ферр1ггы, стр. 283) материалов. Чрезвычайно большое значение имеют керамические диэлектрические, в частности электроизоляционные, а также сегнетоэлектрические и некоторые другие специальные керамические материалы. Многие керамические электроизоляционные материалы имеют высокую механическую прочность, очень малый угол диэлектрических потерь, значительную нагревостойкость и другие ценные свойства. По сравнению с органическими электроизоляционными материалами керамика, как правило, более стойка к электрическому и тепловому старению, не дает остаточных деформаций при продолжительном приложении к ней механической нагрузки. Металлизация керамики (обычно нанесением серебра методом вжигания) обеспечивает возможность осуществления спайки с металлом, что имеет особое значение для создания герметизированных конструкций. [c.169]

Широкое применение в технике имеют пьезоэлементы, изготовленные из сегнетоэлектрической керамики титаната бария. Сегне-токерамика ВаТЮз является синтетическим материалом и изготовляется по обычной керамической технологии. [c.313]

Однако кол-во С. непрерывно увеличивается, гл. обр. за счёт поиска новых материалов среди соединений, близких по составу и структуре к известным С. Появляются и новые классы С. обнаружено дипольное упорядочение, близкое к сегнетоэлектрическому, в нек-рых типах смектических жидких кристаллов и полимерах создаются композицион/ше материалы, свойства к-рых можно направленно изменять, варьируя состав сегнетоэлек-трич. наполнителя и полимерной или стеклянной матрицы, а также характера связности. [c.481]

Керамика кристаллическую основу которой в обоЖ женном виде представляют диоксид титана TiOj или ти-танаты щелочноземельных металлов, а также некоторые другие соединения с подобными им свойствами, объединена в один класс технической керамики по той причине, что все эти соединения обладают повышенным, высоким или даже сверхвысоким значением диэлектрической проницаемости по сравнению со всеми остальными керамическими материалами. Это отличительное свойство предопределяет их назначение в качестве материала для изготовления керамических конденсаторов и пьезоэлементов. Среди этого класса можно выделить группу материалов, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами и применяемых для производства нелинейных конденсаторов — варикондов и пьезокерамических элементов. Особенности технологии изготовления этих материалов и их своеобразные свойства позволяют объединить их в отдельные группы. [c.185]

Настоящий раздел содержит две главы — 7 и 8. Гла ва 7 посвящена рассмотрению вопросов взаимодействия лазерного излучения видимого диапазона длин волн с сегнетоэлектрическими кристаллами, в основном с ниоба-тами и танталатами щелочных и щелочноземельных металлов. Рассмотрение этих вопросов представляет большой научный и практический интерес, так как большинство этих материалов применяется в качестве модуляторов и преобразователей излучения квантовых генераторов. Здесь следует отметить, что рассматривается взаимодействие излучения с кристаллами, приводящее к появлению неоднородностей показателя преломления (эффект фоторефракции). Как следствие этого эффекта возрастает остаточное светопропускание и увеличивается интервал температурного синхронизма генерации второй гармоаики. [c.291]

Таким образом, приведенные выше безразмерные отношения ряда сегнетоэлектрических параметров почти не зависят от формы межатомного потенциала. Это обстоятельство подтверждает применимость модели эффективного поля для разнообразных сегнетоэлектриков. Найденные отношения могут служить тестом новых материалов, для которых в настоящее время полные данные отсутствуют. Эти отношения могут также предсказать применимость тех или иных материалов в качестве пироэлектрических датчиков [59] и раскрыть более глубокие связи между свойствами сегнетоэлектриков. Из этих отношений следует, что материалы, у которых параметр /1/% был бы значительно выше, чем у известных в настояп ее время сегнетоэлектриков, вероятно, найти не удастся, так как объем V, приходяш ийся на один элементарный диполь, не может быть суш ественно уменьшен (см. табл. 8 7). [c.379]

Монография представляет первую в мировой литературе попытку аналитического рассмотрения современного состояния разработок н применений (включая перспективные) диэлектрических материалов в электронной технике. В ней описаны особые свойства диэлектриков линейные и нелинейные диэлектрические, пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрические, сегнетоэластические, электро-, аку-СТО-, нелинейно-оптические, лазерно-генерационные. Рассмотрены корреляции между мерой выраженности конкретных свойств и обусловливающими их особенностями структуры. Приведены характеристики основных типов используемых и предложенных устройств, включая интегральные и полифункциональные. Предложена система критериев качества рассматриваемых материалов применительно к видам их применений. Подробно протабулированы характеристики используемых и вновь предлагаемых материалов, а также типовых ИЭТ и ИФЭ с функциональными элементами из диэлектрических материалов с особыми свойствами. Проведен анализ перспектив развития отдельных направлений, сформулированы прогнозные перечни новых материалов. Книга может быть использована как современное справочное руководство при выборе материала для решения ряда прикладных задач. [c.2]

Рнс.4.16. Критические 1Ы-меиения удельного обь-емного сопротивления по-зисторных керамических материалов, легированных неодимом и марганцем сегнетоэлектрических твердых растворов [c.126]

Из таблицы следует, что наибольшей эффективностью обладают сегнетоэлектрические кристаллы вблизи точек Кюри, а также перовскитный сегнетоэлектрик с размытым фазовым переходом KTN. На лучших из испытывавшихся материалов, в частности кристаллах KDP и DKDP, вблизи Гк на > = 0,63 мкм было. получено разрешение в 200 элементов, что соответствует величине отклонения в 2,6 мрад/кВ. Ни один из описанных в литературе вариантов аналоговых дефлекторов широкого применения не нашел. [c.205]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...