Варикап

Варикап — полупроводниковый диод, используемый как элемент с электрически управляемой емкостью, зависящей от величины обратного напряжения на диоде [3]. [c.140]

Диод параметрический — разновидность варикапа предназначен для работы в параметрических усилителях и преобразователях имеет малую емкость —десятые доли — единицы пикофарад [9]. [c.143]

При измерении времени жизни механизм вибрации выключают, а настройку датчика в резонанс производят путем изменения частоты генератора СВЧ с помощью варикапа, включенного в цепь колебательного контура генератора. Светодиод облучает образец прямоугольными импульсами света, и на выходе детекторной секции возникают импульсы сигнала фото- [c.252]

Выходное напряжение ИФД, определяющееся разностью фаз поступающих на его входы напряжений, через запоминающее устройство ЗУ, фиксирующее выходное напряжение детектора в промежутке между двумя импульсами, и фильтр нижних частот ФНЧ-3 поступают на управляющий элемент УЭ (варикап, реактивная лампа). УЭ изменяет частоту сигнала ДПГ, приведя ее в соответствие с частотой повторения опорных импульсов от ДОС. В стационарном режиме, когда частоты сигналов от ДОС и ПГ равны, в системе устанавливается постоянная разность фаз [c.135]

Добротность можно увеличить введением в прямой канал третьей фазосдвигающей цепочки с варикапом при этом добротность составит экв = 15-25 [15]. [c.137]

При изменении скорости вращения ротора в рабочей точке поддиапазона, выбираемой предварительной настройкой избирательного усилителя (ИУ), сигнал на выходе усилителя получит фазовый сдвиг. Это отразится на величине выходного напряжения фазового детектора (ФД). Изменение величины напряжения ФД с помощью управляющего элемента (УЭ — варикапа, реактивной лампы) вызовет подстройку НУ (резонансного контура, четырехполюсника) на новую частоту вращения. [c.46]

В этом параграфе приведены расчетные и экспериментальные результаты исследования частотных и регулировочных характеристик управляемых секций. Под регулировочной характеристикой будем понимать зависимость какого-либо параметра секции (фазовой задержки <р, затухания 6, К ф от величины сопротивления регулирующего элемента (p-i—n-диода, варикапа, индуктивности, емкости). [c.66]

Фазовращатели строятся на основе управляемых секций, расчет и основные характеристики которых были рассмотрены ранее. Они включают в себя ряд каскадно соединенных секций, управляемых с помощью варикапов или р—г—п-диодов [59, 72] (рис. 4.1). Возможна также механическая подстройка фазового сдвига емкостными винтами [85]. [c.92]

МИ проницаемостями ei=9,8 и 62=19, толщины подложек h =2 мм, Лг=0,5 мм. Расчетный регулируемый фазовый сдвиг на частоте /,= 200 МГц составил 136 град, что хорошо совпадает с экспериментом (рис. 4.6). Была изготовлена партия таких фазовращателей в количестве 16 шт. Разброс по регулируемому фазовому сдвигу составил 10 град и лежал в пределах от 130 до 140 град, что связано в основном с разбросом емкостей варикапов. Специальный входной контроль позволяет снизить абсолютное отклонение Дф до 2—4 град. [c.97]

Оба варианта пакетирования секций дают примерно одинаковые габариты. Однако, как это следует из вида регулировочных характеристик управляемых секций, в первом варианте параллельно емкости варикапа Ср включается большая 108 [c.108]

R — сопротивление варикапа в последовательной эквивалентной схеме замещения. Ом. [c.114]

Варактор — варикап, преяназначенный для умножения частоты имеет малую барьерную емкость (до 3—10 пФ) используется также в параметрических усилителях СВЧ. [c.140]

Измерители диэлектрических характеристик (диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь) типа 7004, созданные в Институте механики полимеров АН Латвийской ССР, основаны на измерении параметров выносного резонансного контура, в который включен ЭП. Частота колебаний и напряжение контура автоматически поддерживаются постоянными. Изменение емкости A fe и проводимости AGft контура после внесения объекта контроля в электрическое поле ЭП компенсируется с помощью варикапа и туннельного диода. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь материала [c.172]

ВАРИКАП — 1юлупроводникоиы[ [ диод, ёмкость к-рого зависит от прило кенного напряжения (прямого смещения, см. р—п-переход . Используется как переменная ёмкость (0,01 —100 пФ) либо как элемент с нелинейной емкостью (параметрич, диод). [c.247]

Б теории электрич. цепей Е. э.— параметр ёмкостного элемента электрич. схемы, представляющего собой двухполюсник, характеризующийся зависимостью заряда от напряжения q U), к-рая может быть линейной (в с.тучае линейной ёмкости) или нелинейпой (в случае нелинейной ёмкости см., папр.. Варикап). Действующие значения синусоидальных токов I и напряжения в линейной ёмкости связаны соотношением U x l, где — смкостпос сопротивление, ш — кру- [c.28]

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) — слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода (р —п-перехода), свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, уве.ттичнвает соле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.—основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов. [c.52]

Применения, р — п-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелиней-I ную ёмкость (см. Варикап), Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять током др. р — П П., рекомбинировать с излучением света, превращая р — п-П. в электро люминесцентный источник излучения (см. Светоиялукающий диод), инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р — я-П. Ток р — я-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями (см. Полупроводниковый детектор). [c.644]

Для ослабления влияния последующих каскадов на режим работы возбудителей колебаний в схемы Р. у. включаются т. н. буферные усилители, потребляющие мин. мощность сигнала от автогенератора. Часто в тех же целях прибегают к у,чножению частоты задающего генератора, что одноврем. повышает устойчивость работы Р. у, в целом. В качестве нелинейных элементов в каскадах умножения частоты используют ВЧ-тран-зисторы, пролётные клистроны и др, активные приборы. В диапазоне СВЧ находят применение полупроводниковые диоды варикапы). [c.227]

В устройствах управления и отображения используются электронные исполнительные элементы (варикапы, pin-диоды, полевые транзисторы), управляемые, в зависимости от функционального и информац. назначения Р. у., в аналоговой форме, с помощью непрограммируемых и программируемых цифровых устройств, микропроцессоров и перепрограммируемых постоянных устройств памяти, причём существует тенденция к вытеснению аналоговых устройств цифровыми (см. также Памяти устройства). Индикация одномерных величин (частоты настройки, уровня сигнала и т. п.) производится на цифровых, знаковых пли линейных светодиодных индикаторах, двумерная индикация осуществляется на осцидлографических, мозаичных светодиодных индикаторах, дисплеях на жидких кристаллах и др. [c.234]

Наим, шумами обладают квантовые усилители, у к-рых в условиях глубокого охлаждения жидким гелием уровень тепловых шумов становится соизмеримым с шумами спонтанного излучения активного вещества в диапазоне частот 0,520 ГГц Т 5- 6 К при охлаждении до 4,2 К. Обычно применяемые трёхуровневые мазеры строятся как регенеративные У. э, к., реже как усилители бегущей волны. Наличие громоздких и дорогостоящих криогенной охлаждающей и магн. систем ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными приёмными устройствами радиоастрономии и сверхдальней космич. связи. С мазерами сравнимы по шумовым свойствам полупроводниковые параметрич. усилители (ППУ) при глубоком охлаждении (до 20 К и ниже), однако необходимость системы охлаждения заставляет использовать их в осн. в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствит. радиоприёмные устройства, а габариты, масса и потребляемая мощность менее существенны. ППУ, в к-рых в качестве изменяемого энергоёмкого параметра служит нелинейная ёмкость полупроводникового диода — варикапа, работают в диапазоне частот 0,3- -35 ГГц, имеют относит, полосы пропускания от долей до неск. %, АГ,о= 17-нЗО дБ на каскад, широкий динамич. диапазон. В качестве источников накачки применяются генераторы на транзисторах СВЧ без умножения и с умножением частоты, на Ihmia диодах и на лавинно-пролётных диодах. Неохлаждаемые ППУ превосходят по шумовым параметрам неохлаждаемые У. э. к. на транзисторах СВЧ, но значительно уступают последним по сложности, технологическим и массогабаритным показателям, в связи с чем вытесняются ими, прежде всего из бортовой аппаратуры. [c.242]

На основе германия выпускаются выпрямительные плоскостные диоды на прямые токи от 0,3 до 1000 А при падении напряжения не более 0,5 В лавинно-пролетные и туннельные диоды, варикапы, точечные высокочастотные, импульсные и СВЧ-диоды и сплавные биполярные транзисторы. Германий применяют для изготовления датчиков Холла и других магниточувствительных приборов, фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз с большой светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и корютких радиоволн, а также счетчиков ядерных частиц. [c.336]

Расчет и измерения проводились, в частности, на управляемой секции, поперечное сечеиие которой показано на рис. 3.20. Длина связанных полосок составляла 150 мм. В качестве регулирующих элементов использовались варикапы типа КВ 109В, иа которые подавалось отрицательное смещение через развязывающую цепь. Параметры секции измерялись иа прибо- [c.75]

Рис. 3.21. Частотная зависимость К и управляемой секции при разных величинах нагрузок R и измеииющемся напряжении смещения Uy на варикапе

Рнс. 3.22. Частотная завнснмость К ц секций с тремя варнантамн включения регулирующих элементов (варикапов) напряжение смещения 6 В (кроме кривой 2, показанной пунктиром) [c.78]

Рис. 3.24. Частотнан зависимость К ц секций с управлением емкостью варикапа (...) и проводимостью р—/—л-диодом (-)

Фазовращатель на диапазон частот 100—200 МГЦ был выполнен на четырех секциях, управляемых варикапами типа КВ102Г [19]. Проводники на подложки наносились с помощью толстопленочной технологии и имели следующие размеры ш=5=0,5 мм, / =10 мм, число полосок в секции п=20. Материал подложек — керамика с относительными диэлектрически- [c.96]

На рис. 4.7 изображена конструкция секций фазовращателя на диапазон частот до 700 МГц, а на рис. 4.8, 4.9 — его характеристики в виде зависимости затухания от частоты и регулируемого фазового сдвига Лф на /о=400 МГц от напряжения смещения на варикапах типа КВ 109А. В качестве материала подложек использовался ФЛАН-10. Из сравнения результатов расчета и измерений (рис. 4.8, 4.9) видно их удовлетворительное совпадение. [c.97]

ГГц) проектируются на СПЛ с лицевой связью [72]. Согласование в таких конструкциях достигается путем оптимизации по величинам регулирующих емкостей, которые могут быть или емкостями варикапов (плавно-регулируемые фазовращатели), или конструктивными емкостями, коммутируемыми на экранирующий корпус р—i—п-диодами.Оптими-зация таких конструкций, как правило, дает управляемый ступенчатый переход, который в исходном состоянии наименьшего сдвига уподобляется переходу с небольшим перепадом волновых сопротивлений, а в состоянии наибольшего фазового сдвига — с возрастающим перепадом [72]. Хорошее согласование достигается лишь при тщательном подборе емкостей регулирующих элементов. [c.99]

Характеристики режекториого фильтра на СПЛ с планарно расположенными полосками, управляемого варикапами, изображены на рис. 4.12. Конструкция СПЛ была такая ширина полосок о)=3,2 мм, зазор между линиями s=0,l мм, материал ФЛАН-5 толщиной 2 мм. В качестве регулирующего элемента использовался варикап с коэффициентом регулиро- [c.101]

Были разработаны несколько конструкций плавно регулируемых линий фазовой задержки. Одна из них, предназначенная для точной настройки фазового сдвига 90 град на центральной частоте, содержала 2 управляемых секции. В конструкции был использован первый вариант пакетирования. Тип диодов — КВ 104Д. Линия фазовой задержки обеспечивала на средней частоте fo регулировку фазового сдвига от 78 до 93 град при /Ссту ЬЗ путем подачи отрицательного управляющего напряжения на варикапы от О до —12 В. Коэффициент регулирования фазового сдвига составил /Сф=0,175 и при замене варикапов на КВ102Г увеличивался до /Сф=0,25. Секции фазовращателя имели конструкцию, изображенную на рис. 4.20. Изготовление осуществлялось с помощью тонкопленочной технологии с последующим наращиванием меди и [c.109]

Рис. 4.21. Зависимость фазового сдвига В регулируемой линии фазовой задержки от иапряжеиия смещения на варикапах

N, СК — крайние значения регулирующей емкости варикапа pmin pn ax пФ. [c.114]

Аналогичные полупроводниковые конденсаторы называют варикапа-м и (см. ч. И). В варикапах изменение емкости под действием напряжения происходит в результате изменения расстояния между обкладками конденсатора (области р и п полупроводника), а в варикондах — за счет изменения диэлектрической проницаемости 8. [c.218]

Фейнгенбаумский переход наблюдался в многочисленных экспериментах [114]. В частности, режим стохастических колебаний возникал в результате бифуркационных переходов в последовательном контуре с нелинейной емкостью — варикапом. Другой пример — вынужденное комбинационное рассеяние в модели, описываемой уравнениями [91, 253] [c.179]

Варикап — полупроводниковый диод, емкость которого зависит от обратного напряжени-я. [c.469]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...