Лепестки диаграммы направленности

Стандартный образец СО-2 (рис. 4.11) применяют для определения условной чувствительности, мертвой зоны, погрешности глубиномера, угла а ввода луча, ширины основного лепестка диаграммы направленности, импульсного коэффициента преобразования при контроле соединений из низкоуглеродистой и низколегированной стали, а также для определения предельной чувствительности. [c.206]

Другой метод контроля основан на определении отношения амплитуд донного сигнала и сигнала, полученного на одном из лепестков диаграммы направленности рассеянного поля, с последующим сравнением измеренных отношений для контролируемого изделия и образца. [c.288]

В пределах основного лепестка диаграммы направленности в дальней зоне сосредоточено более 80 % энергии поля излучения. Этим обосновано схематичное представление поля преобразователя (см. рис. 1.43,6). На границе ближней зоны происходит сжатие поля, что также нашло отражение на схеме. [c.83]

Результаты расчета показывают, что, если медленно увеличивать угол падения в закритическую область, значение максимума лепестка вблизи поверхности быстро уменьшается. Когда угол преломления приблизительно соответствует минимуму диаграммы направленности, максимум излучения скачком переходит на значение, приблизительно соответствующее максимуму следующего лепестка диаграммы направленности, т. е. главным в отношении наибольшей амплитуды становится первый боковой лепесток. [c.89]

Стандартный образец СО-2 (рис. 4.8) применяют для определения условной чувствительности и погрешности глубиномера, а также угла а ввода луча, ширины основного лепестка диаграммы направленности, мертвой зоны и предельной чувствительности при контроле изделий из низкоуглеродистой и низколегированной стали. Условную чувствительность ТС" по стандартному образцу СО-2 выражают разностью (в дБ) между показанием аттенюатора при данной настройке дефектоскопа и показателем N , соответствующим максимальному ослаблению, при котором цилиндрическое отверстие диаметром 6 мм на глубине 44 мм фиксируется индикаторами дефектоскопа, т. е. [c.192]

Появление ложных сигналов специфического вида связано с поверхностной волной, которую возбуждают боковые лепестки диаграммы направленности преобразователя. При контроле эхо-методом сигналы возникаю в результате отражения поверхностной волны от краев изделия (рис. 5.45, а). При контроле РС-преобразователем ложный сигнал возникает в результате прохождения поверхностной волны от излучателя к приемнику (рис. 5.45, б). Отличительная особенность помех, связанных с поверхностными волнами, — изменение времени их прихода при перемещении преобразователя относительно края изделия или излучателя и приемника относительно друг друга. Эти помехи уменьшаются при увеличении диаметра преобразователя и повышении частоты. [c.287]

Так как радиус R произволен и может изменяться в широких пределах, коэффициент линейного ослабления можно довести почти до 70—80 дб. Верхний предел для этого коэффициента ставится требованием, чтобы плош,адь отверстия приемника была достаточно большой для усреднения лепестков диаграммы направленности пятнистой пространственно-интерференционной картины от поверхности, освещенной лазером. [c.189]

Боковые лепестки диаграммы направленности также создают дополнительные шумы в искателе. Учесть их влияние расчетным путем достаточно сложно. [c.34]

Из графика рис. 16 видно, что максимальная амплитуда достигается, когда дефект находится примерно в точке пересечения акустических осей. Зона максимальной чувствительности соответствует зоне пересечения основных лепестков диаграмм направленности пьезоэлементов. [c.42]

Центральную часть диаграммы направленности, в пределах которой амплитуда поля уменьшается от единицы до нуля, называют основным лепестком. В пределах основного лепестка сосредоточено -85 % энергии поля излучения. Вне основного лепестка диаграмма направленности имеет ряд боковых лепестков. Уровень последних определяется отношением поля на акустической оси к максимальной величине поля вне основного лепестка. Диаграмма направленности при г > Зг для круглого излучателя находится по формуле [c.294]

Коэффициент концентрации и индекс направленности являются мерой остроты звукового луча, или основного лепестка диаграммы направленности. Они выражаются через отношение интенсивности /о (или квадрата среднеквадратичного значения давления ро ) в некотором опорной направлении — обычно [c.97]

Более существенна, чем ошибки установки преобразователей, неточность ориентации акустической оси. Отклонение акустической оси на может - привести к ошибкам порядка нескольких децибел. при измерении уровня основного лепестка диаграммы направленности. Поэтому большие преобразователи часто ориентируют акустически, когда направление максимальной чувствительности принимается за направление акустической оси. [c.139]

Бейкер также провел измерения с плоским, дипольным, линейным и линейно-коническим преобразователями. Имевшиеся расхождения с измерениями в дальнем поле составляли порядка 1—2 дБ на основном лепестке и на первых боковых лепестках диаграммы направленности. Уровни последующих боковых лепестков, которые на 20 и более децибел меньше осевого уровня, в большинстве случаев измерялись слишком неточно, чтобы их [c.222]

Излучение обладает тем большей направленностью, чем больше отверстие прожектора. Угловой раствор главного лепестка диаграммы направленности определяется соотношением [c.400]

Ламповый х енератор 15, 22, 115 и д. -Левая поляризация 157 Лепестки диаграммы направленности 298, 301 и д. [c.569]

Перейдем к более детальному анализу направленных свойств рассматриваемого излучателя. На рис. 12 и 13 приведены зависимости ширины основного лепестка диаграммы направленности фо,-, определенной по уровню 0,7 для максимального значения R (р), и коэффициента концентрации К от угла Фо- Во всех расчетных случаях волновой размер излучающего цилиндра одинаков kr = 2,26. Кривые 1, 2, 3 и 4 получены для различных волновых размеров кольцевого слоя 1, равных 2,89 4,14 6,18 и 14,82 соответственно. Кривая [c.53]

На рис. 18 приведены графики, характеризующие зависимость ширины основного лепестка диаграммы направленности от волновой толщины слоя при йло = 2,26. В левой части в начале кривых точкой обозначено значение фо,7, рассчитанное по. методу, описанному в работах [94, 95]. Степень раскрыва кольцевого слоя характеризуется значениями фо, равными л/8, я/6, я/4, я/3, я/2 (соответственно кривые /, 2, 3, 4 и 5). Как следует из этих данных, при волновой толщине слоя меньше 0,002 значение, рассчитанное по методу, приведенному в работе [94], и по методу, учитывающему конечную толщину слоя, с графической точностью совпадают. В области 0,002 [c.57]

Остановимся более подробно на акустических свойствах сферического излучателя со слоем. На рис. 48—50 показано изменение ширины основного лепестка диаграммы направленности 0о,7. уровня осевых лепестков о и коэффициента концентрации К (кривые 7, 2, 3 и 4 соответствуют значениям (г, — г,)1Х, равным 0,4 0,6 1,0 и 1,5 при г И, — [c.110]

Определить минимальную мощность поршневого гидроакустического излучателя с радиусом 15 см (с экраном) для осуществления на частоте 30 кГц и на первом боковом лепестке диаграммы направленности локации сферы радиуса 20 м, находящейся в море на расстоянии I км, если приемник, находящийся рядом с излучателем, может принять сигнал со звуковым давлением р> 1 бар (эфф). [c.27]

В параметрич. излучателе в одной случае — две ВЧ-волны (т. н, компоненты волны накачки), взаимодействуя друг с другом, порождают волну разностной частоты, излучаемую из области взаимодействия в другом — модулированная по амплитуде или частоте ВЧ-волна накачки в результате детектирования средой возбуждает НЧ-волну на частоте модуляции. Область нелинейного взаим )действия является своеобразной бестелесной антенной, размеры к-рой определяют характеристику направленности нз-лучателя. Поэтому даже при малых размерах излучателей волны накачки удаётся получить остронаправленное НЧ-излучение. Наряду с высокой направленностью достоинство параметрич. излучателя — отсутствие боковых лепестков диаграммы направленности и широко-полосность для существенного относительного изменения частоты излучения достаточно весьма незначительного изменения частоты накачки (в пределах ширины полосы резонансного излучателя волны накачки). Осн. недостаток параметрич. излучателя — его невысокая з ективность доля энергии накачки, идущая на НЧ-излучение, обычно невелика и зависит от соотношения частот получаемой волны со, и накачки (о . Для оптимального режима отношение мощности НЧ-излучения Wg к мощности накачки определяется ф-лой [c.535]

НОГО лепестка диаграммы направленности. В этом случае можно использовать выражение (36). Обычно на практике это неудобно, так как приходится резко завышать чувствительность дефектоскопа, что снижает помехоустойчивость контроля. [c.68]

Расчет функции Фа(а 51п0), характеризующей диаграмму направленности преобразователя, показан на рис. 3.4. Полное ослабление сигнала от 1 до О происходит в угловом секторе 20, который называют основным лепестком диаграммы направленности. Граничные значения угла 0 для основного лепестка определяются из условия /1(д )=0, которое выполняется для диска при аЙ51п 0 = 3,83. Отсюда нетрудно получить формулу (2.27) 0 = агсз1п 0,61 Я/а. В пределах основного лепестка сосредоточено около 85% энергии излучения. Остальная часть энергии сосредоточена в боковых лепестках. [c.72]

Пусть амплитуда освещающего круглое отверстие пучка пропорциональна Дх) = 0,076 - 0,0441(1 - ) - - 0,528(1 - x f + 0,44, причем х = р/л, где а — радиус отверстия. Нарисуйте распределение поля в дальней зоне и покажите, что величина боковых лепестков диаграммы направленности составляет менее чем 4 10 величины центрального пика в = 0), в то время как щирина пучка почти та же, что и при однородном освещении апертуры. Приведенное здесь распределение амплитуды является примером плавно изменяющегося освещения, используемого для ослабления боковых максимумов дифракционной картины, т. е. для увеличения разрещения оптических приборов (особенно микроскопов и телескопов), а также отражательных антенн. В оптике изменение амплитуды освещения достигается с помощью транспарантов, расположенных или в самой апертуре, или в фокальных плоскостях. Этот процесс называют аподи-зацией. (См. работу Корнблита [48], в которой рассматриваются свойства заданного здесь освещения, а также статью Жакино и Руазен-Досье [49], в которой приведен обзор по исследованию аподизации.) [c.331]

НИИ (13) происходит по освещенной стороне плоского дефекта. В низшем приближении теории дифракции волн, длина которых значительно меньше линейных размеров акустически мягкого препятствия, полагают, что величина нормальной производной отраженной волны па освещенной стороне дефекта равна нормальной производной падающей волны, взятой в той же точке [5]. Поле излучения искателя ультразвукового эхо-дефектоскопа в дальней зоне близко по своим свойствам к полю плоской волны, если рассматривать его в телесном угле, малом по сравнению с углом раскрытия основного лепестка диаграммы направленности. Поэтому на основании фазовых соотношений при выполнении указанных условий из выражения (13) следует, что максимальное отражение р А) в направлении искателя получается в том случае, если ось диаграммы направленности искателя проходит через дефект перпендикулярно его плоскости, при этом в дальней зоне по отношению к дефекту имеется монотонная зависимость между величиной площади дефекта и амплитудо сигнала [2]. [c.134]

Вычислять ширину основного лепестка диаграммы направленности, излучакщей системы, описанной в задаче 12.12, при еле-, дующих параметрах f = 250 МГц, / = 0,8 м. [c.186]

Вычислить ширину основного лепеСтка диаграммы направленности для круглого отверстия в экране при следующих парайетрах,-/ = 10 ГГц. в = 0,4 м. [c.187]

Конструктивно решетка Тротта [16, 17] представляет собой т линейных групп излучателей, каждая из которых в свою очередь состоит из точечных источников, разнесенных на равное расстояние друг от друга интенсивность (или объемная колебательная скорость) последних пропорциональна биномиальным коэффициентам /г-й степени. Приведем простой пример, когда п = 2 и биномиальные коэффициенты для выражения а- -Ь) равны 1, 2, 1. Линейная группа из трех точечных излучателей, отстоящих друг от друга на половину длины волны, с интенсивностью, пропорциональной числам 1, 2, 1, будет создавать однородное, не подверженное осцилляциям звуковое давление на оси, и в диаграмме направленности этой группы не будет боковых лепестков.-Диаграмма направленности любой такой линейной [c.229]

Таким образом, можно сделать следующий вывод при оценке диаграммы направленности цилиндрического излучателя, охваченного незамкнутым кольцевым слоем, для большинства значений ф можно получить хорошие результаты по методу, описанному в работе [94], если волновая толщина слоя не превышает 0,05. В противном случае необходимо использовать более точный подход, позволяющий учитывать конечную толщину слоя. Сделанный вывод в основном подтверждается данными расчетов для других волновых размеров излучателей. Однако в некоторых случаях, например при кг, = = 3,14, Фо = я/2, наблюдается довольно резкая изменяемость ширины основного лепестка диаграммы направленности с ростом вол-1ЮВ0Й толщины слоя. В этом случае значение волновой толщины слоя, начиная с которого необходимо использовать более строгую математическую модель, может достигать 0,002—0,003. [c.57]

Здесь уместно провести сравнение с коротким цилиндром, рассмотренным в параграфе 4 этой главы. Там также изучается аналогичный случай, когда часть поверхности цилиндра (торцовые поверхности) акустически ягкая.При этом значительно уменьшается уровень излучения в направлениях оси симметрии цилиндра. Таким образом, напраиш-вается важный вывод окружая излучающую поверхность какого-либо объекта акустически мягким материалом, можно добиться снижения уровня боковых и тыльных лепестков диаграммы направленности этого объекта. [c.122]

Шумы Земли и nAansi. Земля излучает шумы с эквивалентной температурой 300 К. Их необходимо учитывать в р адиолинии Земля — спутник . На радиолинии спутник — Земля излучение Земли могвет приниматься л(гшь но боковым лепесткам диаграммы направленности анте П1ы Это учитывается введением [c.271]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...