Инверсия проводимости

При высокой плотности поверхностного заряда, по знаку совпадающего со знаком основных носителей, расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупроводнике п-тнпа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости, вследствие чего концентрация неосновных носителей заряда (дырок) у поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носителей и тип проводимости этой области изменяется. Это явление получило название инверсии, а слои, в которых оно наблюдается, называется инверсионными слоями (они показаны на рис. 8.31, б, д). [c.247]

Инверсию в полупроводниках возможно получить и при возбуждении потоком фотонов — оптическое возбуждение. При этом применяются люминесцентные кристаллы. Под воздействием фотонов, энергия которых hv больше ширины запрещенной зоны, в полупроводнике происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости с образованием электронно-дырочных пар. Наиболее целесообразно производить накачку в узком интервале частот, когда энергия кванта лишь немногим больше АИ7. В этом случае инверсия электронов и дырок образуется в основном между уровнями, залегающими у потолка валентной зоны и дна зоны проводимости. [c.63]

Для ОШ, отвечающего движению волн по решёткам (в кристаллич, структурах, дискретных пространствах квантовых чисел, нумерующих каналы и смешиваемые конфигурации, и т. п.), имеется конечная энергетич. полоса проводимости. Возможно создание систем со связанными состояниями в области непрерывного спектра, туннелирование через потенц. барьеры, свисающие из верх, защищённой энергетич. зоны. Для сдвига уровня и изменения нормировочных факторов избранного состояния необходимо вводить минимально нелокальные потенциалы. Последние позволяют управлять шириной запрещённой зоны и даже приводить к инверсии спектра связанных состояний. [c.471]

Разл. симметрия блоховских, , )-ций в разных зонах приводит к тому, что при заданной спиновой структуре и относительной разности фаз появляются разл. упорядоченные состояния. Так, рассмотренное выше состояние с тороидным моментом (орбитальный антиферромагнетизм) имеет место при противоположной относительно пространственной инверсии симметрии блоховских ф-ций в зоне проводимости и в валентной зоне. [c.505]

U /Zq). Здесь Y = 1/Z — комплексная проводимость исходной цепи, Zq — коэффициент инверсии. [c.50]

Как можно осуществить лазерную генерацию в таком кристалле Для этого нам нужно создать инверсию заселенности, т. е. возбудить электроны из валентной зоны в зону проводимости. Такой пример схематически показан на рис. 2.26. В силу только [c.58]

Рис. 2.26. Когда часть электронов возбуждается оптически или за счет электронных столкновений, то они занимают уровни в зоне проводимости, тогда как в валентной зоне остаются незанятые уровни (дырки). В результате может возникать инверсия заселенности.

ЧТО упомянутого правила отбора по к электроны могут переходить из зоны в зону независимо друг от друга, так что большая инверсия заселенности может быть создана, если мы только переведем достаточную часть электронов в верхнюю зону, т. е. в зону проводимости. Экспериментально такая инверсия заселенности может быть получена путем облучения кристалла пучком электронов с достаточно высокой энергией. В результате электроны валентной зоны выбиваются в зону проводимости, где они собираются на ее дне. В большинстве практических приложений используются, однако, другие механизмы накачки. Если имплантировать в кристалл примесные центры, то не только создаются новые энергетические уровни, но также сдвигаются валентная зона и зона проводимости. Когда в различные области кристалла введены различные сорта [c.58]

Величина <п> может быть как больше по (при обогащении), так и меньше о (при обеднении). При большом по величине поверхностном заряде, знак которого противоположен знаку основных носителей, по всей толщине достаточно тонкого кристалла может произойти инверсия типа проводимости. Необходимые для этого неосновные носители заряда (в тонкой пленке они становятся основными) поставляются путем генерации электронно-дырочных пар с последующим уходом во внешнюю цепь "лишних" носителей. [c.40]

Монотонные кривые заряжения типа представленных на рис. 8.16,а, неоднократно отмечались в литературе и, как правило, интерпретировались в рамках модели ЭТХ (8.1.1). Однако указанная теория не может объяснить кривые заряжения с экстремумами — рис. 8.16,5. В литературе такие экстремумы интерпретируются как результат изменения форм адсорбции, инверсии типа проводимости и др. причинами, не подтвержденными прямыми экспериментами. [c.268]

Множители 1—п или 1—п учитывают принцип Паули—переход может произойти лишь в незанятые состояния множители же п или п учитывают, что рассеяние может иметь место лишь из занятого состояния. Как и в (70,3), в интеграле (78,14) подразумевается, что примесные атомы расположены хаотически, а среднее расстояние между ними много больше амплитуды рассеяния тогда различные атомы рассеивают независимо. В интеграле (78,14) уже использовано равенство ш(р, p ) = (P. р)- К рассеянию электронов проводимости на примесных атомах борновское приближение, вообще говоря, неприменимо. Написанное равенство можно обосновать соображениями, использованными при выводе принципа детального равновесия в форме (2,8). При этом, однако, подразумевается, что положения, занимаемые атомами примеси в решетке металла, обладают симметрией, допускающей инверсию. [c.397]

Изостерическая теплота адсорбции 219 Изотопные эффекты 257, 262 Инверсия проводимости 21-24, 27, 31, 34-36 Интермиттансы 274 Инфракрасная спектроскопия 139, 140, 178,179 [c.280]

Изменять заряжение поверхностности полупроводника можио> посредством внешнего электрического поля. На рис. 8.34, а приведена принципиальная схема прибора, предназначенного для этой цели. На одну сторону полупроводгтковой пластины П напыляется омический контакт Э, второй электрод М прижимается к противоположной стороне пластины через тонкий слой диэлектрика Д. На электроды подается внешняя разность потенциалов от источника V. Меняя величину и знак потенциалов на электродах Э и М, мо кио б широких пределах изменять величину и знак заряда, индуцируемого на поверхности полупроводника, прижатой к электроду Л]. На рис. 8.34, б показан изгиб зон у поверхности п-иолупроводника и обогащение приповерхностного слоя электронами, вызванное внешним полем и приводящее к повышению иоверхиостиой проводимости полупроводника. При протнвоноложной полярности ноля в приповерхностном слое полупроводника возникает обеднение (рис. 8.34, в) и инверсия (рис. 8.34, г). [c.250]

Если приложить к затвору напряжение Ug в такой полярности, как показано на рнс. 4, то поле под, затвором будет оттеснять дырки я притягивать в подзатворную область электроны. При достаточно большом напряжении Ug, называемом напряжением отпирания, под затвором происходит инверсия типа проводимости вблизи затвора образуется тонкий слой -типа. Между истоком и стоком возникает проводящий канал. При дальнейшем увеличении Ug возрастает концентрация электронов в канапе и сопротивление его уменьшается. [c.8]

Весьма опасным является контрагирование разряда — разбиение его на один или несколько вытянутых вдоль тока шнуров повышенной проводимости. В этом случае основной ток разряда протекает в сравнительно узких зонах, перегревая находящийся в них газ, а в остальной части разрядного промежутка ток практически отсутствует. Это приводит и к появлению сильных оптических неоднородностей, отрицательно сказывающихся на расходимости лазерного излучения, а затем и к исчезновению инверсии в среде. Примером образования неоднородной структуры разряда поперек тока может служить пере-гревная неустойчивость, развивающаяся по схеме [c.87]

Использование при многоточечном зондировании характериографов позволяет выявлять короткие замьшания, постоянные и (или) кратковременные обрывы, мягкие переходы с постепенным возрастанием тока при увеличении напряжения на переходе, отклонения значений сопротивлений от требуемых, увеличение значения токов утечки, инверсии, т.е. изменение типа проводимости полупроводника. [c.464]

Наряду с описанным выше механизмом изменения показателя преломления в полупроводниковых кристаллах реализуются и другие нелинейные механизмы. Во-первых, это описанный в п. 2.3.1 тепловой механизм. Другая причина изменения показателя преломления связана с переходами свободных носителей внутри зоны проводимости. За счет этих переходов реализуется тепловая нелинейность, так как возбужденный носитель, термализуясь, греет кристаллическую решетку. Другая причина заключается в непараболичности зоны. Кроме указанных механизмов, изменение показателя преломления может быть связано с рождением экситонов, особенно при низкой температуре. Наконец, отметим, что в полупроводниковых кристаллах без центра инверсии возможен и фоторефрактивный эффект, описанный в п. 2.2.5. [c.59]

Третья инверсия превращает этот импеданц в вектор полной проводимости всей цепи, изображающий в соответствующем масштабе силу тока Д. Окружность, описываемая [c.81]

По спектральным свойствам материалы обычно разделяют на металлы, полупроводники и диэлеирики. Металлы характеризуются высокой отражательной способностью, особенно в ИК-области спектра, наличием точки температурной инверсии, увеличением излуча-тельной способности в УФ-диапазоне. Их оптические свойства определяются в основном проводимостью. [c.56]

Другими словами, из инвариантности относительно инверсии времени вытекает, что с -матрица симметрична. Условие симметрии (2.114) также называют условием обратимости. Если из-за наличия проводимости рассеиваюш,ий центр люжет поглощать энергию, то инвариантность по отношению к инверсии времени отсутствует и обратимость может отсутствовать. [c.54]

Кокшлексность показателя преломления означает отсутствие инвариантности относительно инверсии времени при рассеянии только в том случае, когда эта комплексность действительно обусловлена проводимостью. Однако это необязательно так, поскольку комплексность показателя преломления люжет быть обусловлена также наличием большого числа непоглощающих частиц в рассеивающем центре. Согласно (1.97), в последнем случае мы также имеем комплексный показатель преломления, и из вывода выражения (1.97) ВИД1Ю, какой смысл имеет определяемая им величина п. Это выражение относится только к распространению когерентной волны и, вообще говоря, неприменимо при вычислении амплитуды рассеяния облаком частиц. Из облака в конечном счете будет выходить также и некогерентная часть волны, которая будет давать вклад в рассеяние. [c.54]

Как и в случае PbS, большинство исследований поверхности выполнено на поликристаллических фотопроводящих слоях [102]. Юхас ) изучал свойство эпитаксиальных пленок, выращенных на слюде. Такие пленки имели преимущественную ориентацию (111). Он обнаружил, что в тонких пленках (0,4 мкм и менее) происходит инверсия типа проводимости от первоначального п-типа к р-типу после выдержки на воздухе. Такое же явление наблюдается и в PbSe и может быть объяснено адсорбцией кислорода. [c.383]

Зависимость ширины запреш,енной зоны от состава РЬ1-л 5пл Те была получена из данных по излучению гомолазеров [117]. Результаты этих измерений показаны на рис. 5.7.4. Как следует из теоретической зонной модели для РЬ1 л 5пл Те [И8], запрещенная зона сначала уменьшается с увеличением х, так как валентная зона и зона проводимости д- приближаются друг к другу. При каком-то промежуточном составе проходит через нуль, происходит инверсия зон, зоной проводимости становится 1д+, валентной зоной—при дальнейшем увеличении X начинает увеличиваться. Экстраполяция данных рис. 5.7.4 для зависимости Е от состава показывает, что в РЬ, л 5пл Те Е приближается к нулю при х 0,35. Зависимость Eg от состава при 12 К для х < 0,35 может быть представлена в виде [102] [c.77]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...