Экситоны квадрупольные

Определить характер симметрии экситонных уровней, образованных валентным электроном симметрии Г и электроном проводимости симметрии Г , для кристалла типа германия [31]. Ограничиться 5-образными огибающими функциями. Какие из этих уровней будут разрешенными для дипольных оптических переходов, а какие для квадрупольных [c.90]

В случае квадрупольных экситонов оператор взаимодействия [c.362]

Сравнивая это значение с (46.3), получаем выражение для компонент тензора диэлектрической проницаемости, обусловленного квадрупольными экситонами [c.362]

Существенно, что в случае квадрупольных экситонов пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости определяется не только зависимостью от волнового вектора функции Грина О (к, (о), но и множителем, стоящим у этой функции. [c.362]

Роль пространственной дисперсии при квадрупольном поглощении света. Выше рассматривалось распространение света в кристалле при значении частоты соответствующей образованию дипольных экситонных состояний, при которых пространственная дисперсия обусловлена зависимостью частоты экситона от волнового, вектора. Диэлектрическая проницаемость, обусловленная квадрупольными переходами (54.4), зависит от волнового вектора даже при локальных электронных возбуждениях с частотами, не зависящими от волнового вектора. Поэтому возбуждение квадрупольных экситонов требует специального рассмотрения [376]. [c.479]

Поскольку нас здесь интересуют прежде всего экситон-ные состояния, перед тем как развивать дальше теорию оптической анизотропии кубических кристаллов, остановимся на классификации состояний, с которыми приходится иметь дело при анализе квадрупольных переходов ). [c.202]

Классификация состояний механических экситонов с А = 0 и правила отбора для квадрупольных переходов. Хорошо известно, что стационарные состояния в кристалле и, в частности, экситонные возбужденные состояния можно классифицировать по неприводимым представлениям пространственной группы кристалла (см., например, [66—68]). Каждая пространственная группа содержит подгруппу параллельных переносов, заключающих в себе все возможные [c.202]

Каждое из этих квадрупольных экситонных состояний может, вообще говоря, давать вклад в квадрупольное поглощение света кристаллом. Однако в области частот, которая соответствует окрестности отдельного резонанса, можно принять во внимание только одну зону экситонных состояний. В этом приближении, как будет показано в 12, при использовании матричных элементов перехода из основного состояния О в возбужденные состояния -й зоны (при к = 0), находим [c.206]

Поэтому выражение для пР- при произвольном будет получено ниже методом теории возмущений. Сейчас же отметим лишь одно следствие соотношений (8.13), (8.17), (8.19) и (8.20). Именно, наличие в кристалле квадрупольного экситонного состояния рассматриваемого типа не проявляется ни в дисперсии, ни в поглощении в том случае, когда свет распространяется вдоль ребер куба, и, наоборот, проявляется при любой поляризации, когда свет распространяется вдоль главных диагоналей куба. В том случае, когда вектор 5 направлен вдоль диагонали граней куба, экситонное состояние типа Е проявляется только тогда, когда электрический вектор лежит в плоскости грани ). [c.210]

Соотношение вида (8.53) сохраняется и для квадрупольных экситонов, относящихся к представлениям и р2, и только значения величин V и [х оказываются иными. [c.217]

ЛИНИЙ возможно только при поляризациях волн, когда имеет место их квадрупольное поглощение. Так, например, для волны, распространяющейся вдоль диагонали грани куба, новая волна в окрестности экситонного перехода, соответствующего представлению может появиться, только если вектор Е перпендикулярен грани куба (см. п. 8.3) (если вектор Е лежит в плоскости грани, то v = 0, см. (8.52)). Некоторые результаты рассмотрения анизотропии оптических свойств в кристаллах класса 0/ в окрестности квадрупольных линий поглощения сведены в табл. V. Ее содержание иллюстрирует также сказанное об условиях появления добавочных волн. [c.218]

Симметрия квадрупольного экситона [c.218]

Ряд вопросов, связанных с влиянием постоянного электрического поля на квадрупольные экситонные линии в СнгО, был рассмотрен в работе [76]. [c.222]

Что же касается переходов в экситонные состояния, имеющие в присутствии электрического поля симметрию неприводимых представлений В , В, и Л2 группы то эти переходы остаются квадрупольными, и для анализа соответствующей им анизотропии оптических свойств достаточно воспользоваться методом, изложенным в предыдущем параграфе. [c.223]

Для квадрупольных механических экситонов, вклад которых в поляризацию Р линеен по волновому вектору, коэффициент [c.255]

В окрестности квадрупольных экситонных переходов главная особенность рассмотрения связана с дополнительным граничным условием (10.26), поскольку в этом случае аналог соотношения (10.31в) имеет вид [c.261]

Сравнение обсуждаемых результатов экспериментальных исследований с результатами изучения анизотропии поглощения и дисперсии света в окрестности квадрупольных экситонных линий в кубических кристаллах, относящихся к классу О/, (см. 8), позволяет не только сделать вывод [c.289]

В окрестности экситонного перехода /= 2 при распространении света вдоль диагонали грани куба квадрупольное поглощение испытывает лишь волна, электрический вектор которой перпендикулярен плоскости грани (см. табл. V). [c.292]

Наряду с дипольными среди экситонных состояний удобно выделить квадрупольные экситонные состояния, волновые функции которых при q = 0 преобразуются как произведения компонент двух полярных векторов. Подобно тому как это было сделано в работах [70, 104], можно показать, что для таких состояний в первом приближении по k [c.313]

Отражение от сред, где ожидается пространственная дисперсия 2-го порядка, исследовалось экспериментально для ряда веществ, однако истолкование результатов не однозначно (подробно об этом см. в 34). Следует отметить, что единственным бесспорным экспериментальным доказательством существования эффектов 2-го порядка является анизотропное поглощение в кристалле СигО в области квадрупольной линии. Эффекты, связанные с объемными экситонами, наблюдены при отражении в жидком и твердом Хе [25], однако наблюдения в основном качественные (см., впрочем, [5]). [c.159]

Для дипольных переходов экситон должен иметь симметрию л ,-, т. е. Г15. Следовательно, единственно разрешенными электриче-ски-дипольными переходами являются переходы в состояние Tie. Для квадрупольных переходов экситон должен иметь симметрию XiXj, которая при инверсии сохраняет четность. Все представления в уравнении (15.25.1) нечетные, значит, все переходы на эти уровни являются квадрупольными запрещенными переходами. [c.402]

В работе Горбаня и Тимофеева [378] наблюдалась осциллирующая зависимость от толщины коэффициента поглощения в кристалле СиаО в области квадрупольного экситонного поглощения (га=1) при Я = 6125 А. Период осцилляций 2лс (й . 1 1 — Пз ) соответствовал значению 1 — а Ю . [c.484]

В работе Крейнгольда и Макарова [381] исследовалось поглощение света квадрупольными экситонами в кристаллах uaO в интервале температур от 1,8°К до 120 °К при Qo = 3-lO -s i. В наиболее хороших кристаллах (без дефектов) они наблюдали весьма значительное изменение площади кривой поглощения при изменении температуры от 1,8 °К до 30 °К. Несмотря на сравнительно малое значение параметра/о ( = 2,4 10 - с ), пространственная дисперсия оказывается весьма существенной- в этом кристалле, так, параметр Y-> О при Г->0. Последнее обстоятельство, по-видимому, связано с тем, что при квадрупольном поглощении резонансная частота Q,- = Qo —Я. где Qo — частота дна экситонной [c.502]

Ф. Гросс, A. A. Каплянский, Коэффициент квадрупольного поглощения и оптическое время жизни основного состояния экситонов в кристалле uaO, ДАН СССР 139, 75 (1961). [c.631]

Интересные превращения претерпевают и квадрупольные экситонные состояния ). В частности, невырожденное экситонное состояние, имеющее симметрию представления группы 0/1, при наличии электрического поля, направленного вдоль оси г, имеет симметрию представления А группы и его волновая функция преобразуется так же, как г-я компонента полярного вектора в результате переходы в это состояние из основного состояния (симметрии А ) становятся разрещенными ) в дипольном приближении (см. табл. VI), и компонента 33 становится комплексной. Независимо от величины пространственной дисперсии, с ростом электрического поля интенсивность такого рода линий должна расти. Ясно, что в окрестности этих экситонных линий, когда без учета пространственной дисперсии кристалл ведет себя как одноосный, имеем (Взз + Д зз) [c.222]

Аналогичные эксперименты были проведены в [22] на кристалле СизО. Отличие этих экспериментов от проведенных в [18] состоит в том, что в закиси меди осцилляции наблюдались в области экситонного поглощения для квадрупольной линии Х = 6125А. Эту линию относят, как мы уже ранее указывали, к желтой экситонной серии СпзО, приписывая ей значение главного квантового числа п= . Измерения [22] велись при Т = 93° К. причем расстояние между абсциссами максимумов осцилляций оказалось равным примерно 0,2 мм, что на три порядка больше периода осцилляций, который имел бы место, если бы осуществлялась интерференция многократно отраженных волн (Дй = Хо/2 —мм). Если же допустить, что наблюдаемые в этом случае осцилляции вызваны проявлением новой волны, следует считать, что расстояние между максимумами М — кд12 п — г) где 1 и 2 — коэффициенты преломления обычной и новой волн. Поэтому при .й 2- 10 см и Хо 6- 10 ° см, получаем, что п- — з 10 [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...