Точечных дефектов взаимодействие теория

Теория деформационного взаимодействия точечных дефектов может быть уточнена, если в пей учесть дискретную атомную структуру кристалла. Детальное последовательное изложение этих вопросов моншо найти в монографии [13],. [c.120]

Кроме того, следует отметить, что полученные данные могут служить основой для построения новых физических моделей процесса хрупкого разрушения, основанных не на традиционных схемах концентрации напряжений из-за различного рода неоднородностей дислокационной структуры, а за счет различного рода локальных неоднородностей распределения ансамбля кластеров из точечных дефектов различной мошности и природы [368, 691]. Таким образом, при определенных температурно-силовых и временных условиях стадия зарождения первичного очага концентрации напряжений и первичной трещины, а также последующая стадия развития хрупкой трещины должны рассматриваться с позиций изложенной выше модели диффузионно-дислокационной микропластичности. При этом теория должна рассматривать диффузионную стадию зарождения ансамбля кластеров различной мощности (т.е. с различным уровнем концентрации напряжений вблизи единичных кластеров), их рост и эволюцию в процессе вьщержки под нагрузкой (взаимодействие между собой, перераспределен е в размерах и др.). Т.е. взаимодействие между собой локальных источников перенапряжений от единичных кластеров в микрообъемах формирует общее макроскопическое поле внутренних напряжений в кристалле, ответственное за деформационное упрочнение кристалла, а также создает некоторую критическую ситуацию по пиковым напряжениям, превышающим в некоторой точке ансамбля прочность кристалла на разрыв [368, 691]. [c.259]

Приведенный в статье большой обзорный материал, изложенный с позиций современной теории ползучести, а также подробный анализ движения и взаимодействия дислокаций с другими видами несовершенств прежде всего, с точечными дефектами — вакансиями, внедренными атомами, и кроме того частицами дисперсных фаз, является той необходимой базой, на основе которой станет возможным развитие теоретически обоснованных методов получения материалов с высоким сопротивлением ползучести. [c.7]

При переползании дислокации с краевой составляющей из своей плоскости скольжения на соседнюю образуется ряд вакансий или межузельных атомов. Таким образом, плотность точечных дефектов увеличивается в результате движения и взаимодействия дислокаций, а теория получила подтверждение в большом цикле исследований, [c.299]

Вакансии (представляющие собой точечные дефекты) имеют ионизованные состояния с уровнями энергии, лежащими в запрещенной зоне кремния, и поэтому их концентрации в различных состояниях зависят от наличия доноров или акцепторов, если концентрации последних достаточно высоки для сдвига уровня Ферми в кристалле. Несмотря на это, с целью упрощения изложения основных принципов теории самодиффузии в кремнии, мы сначала сделаем предположение о том, что процесс диффузии определя- ется вакансиями только в нейтральном состоянии. Реально это соответствовало бы случаю, когда или взаимодействие с нейтральными вакансиями энергетически более вьп одно или концентрация нейтральных вакансий существенно выше концентрации других точечных дефектов. [c.17]

Теорию инфракрасного поглощения света фононами в идеальном кристалле, изложенную в 2, можно применить и к случаю кристалла с дефектами. Мы рассмотрим только случай изолированного точечного изотопического дефекта, обсуждавшийся в 33. Основное, что нам понадобится при этом из 2,— полуклассическая теория излучения, которая позволит ввести оператор момента, аналогичный (2.33), хотя, разумеется, трансляционная симметрия (периодичность) оказывается нарушенной. Тогда можно ожидать, что вероятность перехода с поглощением инфракрасного света будет пропорциональной матричному элементу типа (2.34). Мы можем также ожидать, что локальные колебания (если они существуют) и зонные колебания будут активны в инфракрасном поглощении, если они обладают симметрией Г , необходимой для взаимодействия с электромагнитным полем. Перейдем к краткому изложению теории. [c.239]

Внедренные атомы являются точечными дефектами кристаллической решетки металла, вызывающими ее деформацию. Такая деформация, в частности, может иметь характер тетрагональных искажений, существенных для понимания свойств мартенситных фаз. Поля деформаций вызывают появление сил деформационного взаимодействия между внедренными атомами, важного для понимания ряда яв.лепий, происходящих в сплавах внедрения. В главе I, имеющей вводный характер, даетСуЧ обзор теорий точечных дефеютов кристаллической решетки металлов и сплавов, который мон ет иметь и самостоятельный интерес для специалистов, работающих в области физики неидеальных кристаллов. Точечные дефекты рассматриваются в рамках различных моделей (изотропный и анизотропный континуум, атомная модель, учет электронной подсистемы), причем эти модели применяются для определения смещений и объемных изменени1Г в кристалле, вызванных появлением дефекта, энергии дефекта, а также взаимодействия между точечными дефектами, приводящего к образованию их комплексов. [c.7]

В настоящей работе применялся эффективный парный потенциал межатомного взаимодействия ц> г), полученный в рамках теории псевдопотенциала (7.15). При этом использовался псевдопотенциал Хейне — Абаренкова с приближением Гелдарта — Воско при учете обменно-корреляционных эффектов в диэлектрической функции, параметры потенциала взяты из [47]. Рассчитанный потенциал межатомного взаимодействия позволяет с хорошей точностью описать энергетику точечных дефектов в алюминии [47]. [c.227]

За последние годы получены важнейшие данные о поведении и свойствах отдельных дислокаций—об их движении и расщеплении, об образовании скоплений и взаимодействии дислокаций между собой и с точечными дефектами [9]. Прямое экспериментальное наблюдение различных эффектов, предсказанных теорией дислокаций, явилось блестящим ее подтверждением. Открытие ряда новых эффектов, связанных с механизмом пластической деформации, структурой наклепанного металла и микромеханизмом разрушения, а также прямое наблюдение доменной структуры упорядочивающихся сплавов [10], — подлинный триумф электронной микроскопии. Прямое наблюдение зарожд.ения, дв1ижения, взаимодействия и выхода дислокаций из образца (с образованием ступенек — линий скольжения) непосредственно во время деформации образца внутри микроскопа [11, 16] открывает дополнительные замечательные возможности. [c.170]

Как в этом, так и в предыдущем параграфах были даны основные представления о теории решеточного поглощения звука в чистых или идеальных диэлектриках, т. е. в диэлектриках без дислокаций, без примесей и точечных дефектов в виде вакансий и внедрений. Это поглощение, как мы видели, вызывается ангармоничностью решетки и объясняется при 2т 1 трехфонноным взаимодействием (механизм Ландау — Румера)-, при 2т< 1 поглощение объясняется механизмом Ахиезера. Здесь следует подчеркнуть два обстоятельства. С одной стороны, важен вопрос о том, каково взаимоотношение этих двух теорий и как должна видоизменяться теория поглощения звука для случая 2т 1, т. е. для промежуточного случая. Другой вопрос — это вопрос о том, как определяется а для реальных диэлектрических кристаллов, имеющих примеси или точечные дефекты. Оба эти вопроса являются предметом пристального внимания как теоретиков, так и экспериментаторов. [c.257]

Известно, что пластическая деформация кристаллических твердых тел осуществляется путем перемещения дефектов кристаллического стооения (О) (точечных, линейных, планарных, объемных). Описанию деформации с помощью анализа свойств, взаимодействия, рождения на источниках, подвижности, исчезновения и взаимопревращения О посвящено большое количество работ исследователей разных стран, 3 том числе отечественных (см., например, [1—9]). Следует отметить приоритет советских ученых в изучении развитой деформации с учетом взаимосогласованного поведения О. Это прежде всего касается представлений о многоуровневом развитии деформации (В Е. Панин) и теории носителей ротационной деформации — дисклинаций (В. А. Лихачев). [c.58]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...