Схема эквивалентная параллельна последовательная

Диэлектрическую проницаемость испытуемого материала вычисляют, предварительно измерив емкость образца Ср в эквивалентной параллельной или в эквивалентной последовательной схеме. Обычно находят е — относительную диэлектрическую проницаемость (по отношению к электрической постоянной е,, 8,854 X Ф/м). В дальнейшем е для краткости будем именовать диэлектрической проницаемостью. [c.49]

Для перехода к электрическим эквивалентным схемам по общепринятой первой системе аналогий следует вопом-нить, что элементы, соединенные в узел, имеют общую скорость, т. е. в эквивалентной схеме через изображающие их электрические сопротивления должен протекать один и тот же ток. Иначе говоря, эти сопротивления соединены последовательно. На основании этого правила примеру 1 соответствует последовательный колебательный контур из I, С и Н. Элементы же, на которые действуют одинаковые силы, в эквивалентной схеме находятся под одним и тем же напряжением, -1 е соединены параллельно. Следовательно, примеру 2, соответствует эквивалентный параллельный контур I, С. Пользуясь обоими правилами, можно составить для примера 3 эквивалентную схему в виде двух контуров с емкостной связью и напряжением, приложенным параллельно Сь В эквивалентной схеме для примера 4 индуктивности, изображающие массы, оказываются соединенными параллельно, и общий ток через них больше, чем через каждую из них. Это соответствует уменьшению общей индуктивности в схеме и как бы уменьшению общей массы в механической системе, поскольку общий ток в этой схеме — это относительная скорость движения масс, которая, конечно, больше, чем скорость каждой из масс относительно неподвижной опоры. [c.34]

Последовательная и параллельная схемы представлены на фиг. 30, а и 30, б. Там же даны соответствующие диаграммы токов и напряжений. Обе схемы эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений 1 — I будут равны и их активные и реактивные составляющие. Это условие будет соблюдено, если углы сдвига тока относительно напряжения равны и значения активной мощности одинаковы. [c.63]

Исследование импеданса фазовой границы железа в растворах кислот проведено в работах 40, 41]. При этом показано, что строение такой границы моделируется эквивалентными схемами, в которых последовательно и параллельно включен ряд емкостей и сопротивлений. Используя разную частотную зависимость элементов таких схем, можно раздельно определить их и выделить, в частности, емкостную составляющую двойного электрического слоя. Как оказалось, в случае железного электрода вид эквивалентной электрической схемы, найденной для кислых растворов без добавок ПАВ, сохраняется и при наличии в растворе ингибиторов различной природы и различного механизма действия. [c.32]

Рис 2-2. Эквивалентные схемы и векторные диаграммы для конденсатора с потерями, а — последовательная схема б — параллельная схема. [c.31]

При расчете этим способом схема трубопровода с параллельными ветвями приводится к схеме простого трубопровода, в который эквивалентная труба входит как одни из последовательных неразветвленных участков. [c.269]

Последовательная и параллельная схемы, представленные на рис. 3-2, а и б, эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений = z равны их активные и реактивные состав- [c.46]

Таким образом, диод может быть представлен следующей упрощенной эквивалентной схемой параллельно нелинейному активному сопротивлению р — п-перехода включены нелинейная диффузионная Сд и барьерная Со емкости, последовательно с этой цепочкой подключено сопротивление г пассивных областей ди.ода ( )ис. 8.21). Для выяснения особенностей работы диода на высоких частотах проанализируем более подробно эту схему. [c.236]

Мостовые измерения на переменном токе не позволяют получить абсолютные значения Rq и Rn еще и потому, что неизвестна эквивалентная схема электрода с покрытием. Вначале систему металл — покрытие — электролит еще можно рассматривать как конденсатор с потерями и считать, что омическое сопротивление в порах подключается последовательно к электрохимической емкости С2 и параллельно — к электрической i и сопротивлению R (рис. 6.3). По мере набухания и разрушения покрытия систему уже нельзя рассматривать как электрический конденсатор с потерями и смоделировать ее весьма затруднительно. [c.109]

При практическом применении этой аналогии термическая система должна быть воспроизведена эквивалентным неиндуктивным электрическим контуром в форме разбитого на секции электропровода с последовательно и параллельно включенными емкостями. На рис. 50 показана схема одномерной термической задачи и ее аналога в виде электрической моделирующей цепи. Следует обратить внимание на то, что при таком моделировании (это же относится и к гидравлическому моделированию) нет необходимости в соблюдении геометрического подобия системы. Длина провода между точками / и 2 не имеет ничего общего с фактическим расстоянием между этими двумя точками в термической системе. Единственным условием, которое необходимо выполнить, является необходимость [c.107]

Известно [2], что пассивные механические двухполюсники могут быть представлены на-эквивалентной электрической схеме некоторым числом L -контуров. На рис. 8 параллельно массам m и т источника и нагрузки включены последовательные L -контуры, имитирующие резонансы в системах с распределенными постоянными. В ранее рассмотренных случаях выбиралась достаточно большая постоянная времени Т i -фильтра, так что область отрицательного сопротивления (ю/й) Re [2" (1 -Ь /С/)1 <0 умещалась целиком в низкочастотном диапазоне, где г a /а т". Очевидно, при этих условиях устойчивость определяется условиями на первой критической частоте Й1. [c.75]

На фиг. 8, а представлены эквивалентные схемы последовательного включения датчиков, дающих полезный сигнал и помехи при двух возможных включениях потенциометра настройки. На фиг. 8, б приведена схема параллельного включения таких же датчиков. Сигнал на выходе эквивалентной схемы фиг. 8, а, при подключении потенциометра R к датчику опоры В может быть представлен в виде [c.84]

Проведен расчет параметров режима работы насосной станции и участка нефтепровода при параллельной (или последовательной) работе нескольких насосов с помощью комплексной схемы замещения станции, которая в этом случае состоит из М соединенных параллельно (или последовательно) эквивалентных схем замещения отдельных насосов. Построение суммарной характеристики насосной станции ведется или в системе именованных единиц, или в единой системе относительных базовых единиц. Базовыми можно выбрать произвольные параметры или (для упрощения расчетов) номинальные параметры одного из ЦН. [c.24]

Цепи, содержащие только последовательные контакты или элементы, представляются произведением их буквенных обозначений, а содержащие параллельно подключенные элементы (мостиковые схемы) записываются их суммой. Представление схемы или ее функциональных узлов в виде буквенных формул позволяет производить с элементами схем те же действия, что и с алгебраическими выражениями (выносить за скобки одноименные члены, переставлять их, объединять в группы и получать эквивалентные выражения при меньшем числе членов, применяя законы алгебры, логики, и упрощать схему путем многократного использования отдельных элементов). [c.13]

Основные определения. Образец, диэлектрика с потерями может быть представлен в виде эквивалентной последовательной (рис. 29.19, а) ила параллельной (рис. 29.19, б) схемы. Независимо ог выбора эквивалентной схемы (схемы замещения) ряд параметров, характеризующих ее, остается неизменным. К ним [c.368]

Теперь видно, что эквивалентная электрическая схема преобразователя должна быть составлена из двух параллельных ветвей (см. рис. 3.18). Первая из них, как и раньше, — емкость зажатого кристалла, а вторая — длинная разомкнутая на конце линия, включенная последовательно с активным сопротивлением. Величина эквивалентного сопротивления определяется выражением = [c.86]

Измерение емкости и сопротивления мостом переменного тока для изучения свойств лакокрасочных покрытий применялось многими исследователями [7—12], однако не всегда наблюдалась надежная корреляция между величинами емкости и сопротивления и защитными свойствами. Это в значительной степени объясняется затруднениями в интерпретации полученных результатов, и прежде всего затруднениями при выборе эквивалентной электрической схемы. В первом приближении можно считать, что в начале опыта, когда пленка еще достаточно сплошная, исследуемый электрод представляет собой в основном электрический конденсатор с потерями, обкладками которого являются металл и электролит, а диэлектрической прокладкой — лакокрасочная пленка (рис. 1,6). При наличии сквозной проводимости электролита в общем случае измеряемая емкость представляет собой сумму электрической и электрохимической емкостей и эквивалентная схема может быть представлена комбинацией емкостей и сопротивлений, соединенных последовательно и параллельно (см. рис. 1, в). В случае пористого покрытия, когда система электрохимически активна, эквивалентная схема [c.109]

Эквивалентная жесткость и эквивалентный коэффициент поглощения энергии динамической системы зависят от выбранной схемы включения упругих связен и в каждом случае определяются по-своему. Существуют два основных способа включения упругих связей параллельное (рис. 2-25,а, б) и последовательное (рис. 2-25,в). [c.74]

Рис. 3.5. Эквивалентная схема и векторная диаграмма конденсатора с параллельно (а) и последовательно (б) включенным сопротивлением

Эквивалентная емкость при последовательном и параллельном соединении конденсаторов рассчитывается согласно схеме на рис, 3.6 В общем случае для тел сложной формы емкость определяется путем расчета электрического поля, создаваемого зарядами на телах, образующих конденсатор. [c.456]

Поставленная задача может быть решена заменой конденсатора с потерями идеальным конденсатором с параллельно включенным активным сопротивлением (параллельная схема) или конденсатором с последовательным сопротивлением (последовательная схема). Такие эквивалентные схемы, конечно, не дают объяснения механизма диэлектрических потерь и введены только условно. [c.75]

Рис. 43. Параллельная (а) и последовательная (б) эквивалентные схемы диэлектрика с потерями и векторные диаграммы

Фиг. 30. Векторные диаграммы и эквивалентные схемы для диэлектрика с потерями а — последовательная б — параллельная

Такие эквивалентные схемы, конечно, не дают объяснения механизма диэлектрических потерь и введены только условно.. Последовательная и параллельная схемы представлены на рис., [c.59]

Рис. 2-1. Эквивалентные схемы и векторные диаграммы для образца изоляционного материала а — последовательная, б — параллельная схема.

В области высоких частот с некоторым приближением можно, как и прежде, представлять образец диэлектрика в виде эквивалентной схемы (последовательной или параллельной) с сосредоточенными постоянными и пользоваться соответствующими формулами (2-5), (2-6), (2-10). При вычислении диэлектрической проницаемости необходимо вводить поправку на краевую емкость, используя формулы (3-1) — (3-6). Диэлектрическую проницаемость 76 [c.76]

При определении е измеряют емкость образца Сх в эквивалентной параллельной схеме по Сх расчетом определяют значение е. Одновременно обычно измеряют tg б или активную проводимость образца х в эквивалентной схеме. Тогда приходится по величине х находить расчетом tg б. В некоторых случаях измерения дают емкость С ос в эквивалентной последовательной схеме в этом случае вначале находят расчетом С , а затем по Сх вычисляют е. При испытаниях используют измерительные ячейки контактной системы, содержащие три электрода измерительный, высоковольтный и охранный (кольцевой). Измерительные установки должны удовлетворять следующим требованиям. Напряжение на образце должно иметь синусоидальную фэрму кривой частоты 50 Гц с коэффициентом амплитуды 1,34—1,48. Напряжение должно составлять 1 ООО В, если стандартом на материале не предусматривается другое измерительное напряжение. Огрезок времени до окончания измерений должён быть не более 3 мин после включения образца под напряжение. Допустимые погрешности измерения не должны превышать значений для емкости АС в пределах (0,01С, -Ь 1) пФ для тангенса угла потерь Д tg б в пределах (0,05 tg б + 2-10 ) Определение 8 и tg б производится при частоте 50 Гц согласно ГОСТ 6433.4-71. [c.506]

Следовательно, динамическая полная проводимость Ут> очевидно, может быть выражена с помощью аквивалентиой схемы с последовательным соединением Я, Ь и С, как это показано на рис. 4-5-2,а. Таким образом, эквивалентная схема—схема с параллельными проводимостями УII и Угловая частота при резонансе [c.269]

Выражения (2) и (4) соответствуют эквивалентным схемам с последовательным включением емкости, а выражения (3) и (5) — схемам с параллельным включением (рис. 1, а, б). Через обозначена внешняя механ ческая нагрузка [c.35]

Образец материала с потерями представляют в виде эквивалентной последовательной или параллельной схемы (рис. 3-1). Очевидно, что независимо от выбора эквивалентной схемы (схемы замещения) ряд параметров, характеризующих ее, должен остаться неизменным. К ним относятся сдвиг фазы ср между током / в нераз-ветвленной части цепи и падением напряжения / во всей цепи, [c.48]

Для более полной сравнительной оценки схем последовательного и параллельного включения датчиков рассмотрим соотношение их чувствительностей при наличии помех, сопутствующих полезному сигналу неуравновешенности. Учет помех производим добавлением в эквивалентные схемы настройки генераторов помех Ujjji и действующих совместно с генераторами полезного сигнала и Ug на соответствующих опорах машины. [c.84]

При расчетах вибрационных машин часто возникает необходимость вычисления некоторых эквивалентных или приведенных значений позиционных, инерционных и днссипатнвных параметров системы. Такие задачи встречаются в трех различных ситуациях. Во-первых, когда упругие элементы или демпферы составляют последовательную, параллельную или смешанную группу, возникает необходимость подсчитать эквивалентное значение коэффициента жесткости или коэф [)Нцненга сопротивления группы. Во-вторых, в системах, где скорости (угловые скорости) ряда точек (или элементов) связаны постоянными передаточными отношениями, бывает целесообразно привести массы, моменты ииерции, коэффициенты жесткости и сопротивления к какой-либо одной точке или одному элементу без изменения принципиальной расчетной схемы машины. В-третьих, нахождение эквивалентных значений параметров становится необходимым в результате упрощения, иногда грубого, принципиальной расчетной схемы машины, например приведения системы с распределенными параметрами к системе с одной степенью свободы или приведение сильно нелинейной системы к линейной. [c.163]

Рассмотрим с учетом накопленного опыта по исследованию поведения двигателя и планера на различных частотах виброзащитную систему, выполненную на основе подкосов с ГИТ. В качестве примеров проанализируем два крайних возможных варианта выполнения подкоса со встроенным гидропреобразовательным блоком по относительному движению. Ими являются последовательное и параллельное расположение эквивалентных пружин, демпферов и инерционности по относительному движению путем применения ГИТ. Эквивалентные расчетные схемы подкосов с гидропреобразователями представлены на рис. 7.7 и 7.8. [c.135]

Используя прямой метод электромеханических аналогий, по схеме рис. И.4.1,6 составим электрическую схему (рис. II.4.2,а). Имея в виду, что сопротивлением излучения в воздух можно пренебречь, эту схему легко упростить и представить, как на рис. II.4.2,б. Далее удобно перейти к эквивалентной схеме с последовательным колебательным контуром. Это сделаем рядом преобразований цепь с последовательным соединением и /сотг заменим параллельным соединением и / om [c.63]

Простейшая схема электрической части излучателя состоит из двух последовательно соединенных сопротивлений гэ=i oL- - э. Иногда бывает удобно заменить цепью из двух параллельно соединенных сопротивлений индуктивности обмотки (ш1) и эквивалентного сопротивления Яэть соответствующего омическим потерям, потерям на перемагничивание и вихревые токи, где гю — полная мощность потерь в заторможенном сердечнике при [c.174]

С1 + С2 ш( l + 2) где 5о и 5с — чувствительности емкостного преобразователя при измерении активной и реактивной составляющих его адмитанса Сэ и Ср —эквивалентные проводимость и емкость емкостного преобразователя — низкочастотная проводимость раствора с учетом геометрического фактора датчика А (х = Ад где, х — удельная электропроводность раствора) С и Сз — последовательная и параллельная емкости в эквивалентной схеме. [c.228]

Таким образом, в зависимости от области изменения g2 (или к) чувствительность метода измерения адмитанса определяется чувствительностью измерения либо активной, либо реактивной составляющей Y. Средняя чувствительность при регистрации индуктивных составляющих индуктивного преобразователя как в параллельной, так и последовательной эквивалентной схеме равна [c.228]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...