Дислокации аннигиляция и размножение

Аннигиляция и размножение дислокаций. В результате взаимодействия дислокаций противоположного знака может происходить аннигиляция дислокаций однако плотность дислокаций при этом будет понижаться не больше чем вдвое. С другой стороны, вследствие размножения дислокаций во время выращивания кристалла число дислокаций в единице объема может возрастать очень сильно. Если дислокации, образовавшиеся с помощью одного из вышеописанных механизмов, в результате скольжения или переползания переместятся таким образом, что станут оканчиваться на поверхности раздела кристалл — расплав, они могут сохраняться в течение всего процесса роста и проходить через весь кристалл. [c.201]

При заданных напряжениях и температуре параметры системы остаются постоянными. При этом учитываются следующие дислокационные механизмы размножение подвижных дислокаций 0 их взаимная аннигиляция и иммобилизация Ц (в уравнении (140) при О < < 1 член с коэффициентом описывает источник неподвижных дислокаций) аннигиляция неподвижных дислокаций ц раскрепощение неподвижных дислокаций А,. [c.126]

В случае металлов энергия дислокации не зависит от ее направления и, таким образом, важную роль в процессах размножения и аннигиляции будут играть механизм распространения дислокаций и форма поверхности раздела, В случае большей части неметаллов параметры, определяющие энергию дислокации, анизотропны, и чтобы свести к минимуму распространение дислокаций, образовавшихся в только что закристаллизованной части слитка, желательно выращивать кристалл в определенном кристаллографическом направлении. Для кристалла данного диаметра чем больше минимальный угол между осью роста и плоскостями скольжения, тем больше будет вероятность того, что дислокации, образовавшиеся в данном единичном объеме, в конечном счете выйдут [c.201]

Микроструктура материала, определяемая при данном рассмотрении концентрацией точечных дефектов и плотностью дислокаций, меняется с течением времени вследствие размножения линейных и точечных дефектов и их аннигиляции, так что приращение плотности дефектов за единицу времени [c.30]

Зависимость (1.42) можно получить и не рассматривая процесс размножения и аннигиляции дислокаций на основе предположения о законе их размножения. Принимая, что скорость размножения дислокаций пропорциональна плотности подвижных дислокаций, доля которых xl n зависит от общей плотности дислокаций и скорости деформации (уровня нагрузки), линейная зависимость между приращениями плотности дислокаций и деформаций преобразуется в выражение [c.43]

В настоящем разделе мы рассмотрим следующие вопросы 1) образование дислокаций во время роста кристалла 2) изменение их числа под действием некоторых механизмов размножения и аннигиляции 3) их взаимодействие, приводящее к образованию в кристалле дислокационных границ и дислокационных сеток. [c.195]

Здесь р — плотность дислокаций, представляющих жертву, п — разность плотностей стоков и источников дислокаций, отвечающая популяции хищника р , — положительные постоянные. Первое слагаемое в правой части уравнения (3.100) описывает размножение дислокаций в поле деформации, второе — их аннигиляцию, третье — поглощение стоками. В уравнении (3.101) первое слагаемое отвечает процессу регрессии плотности источников и стоков дислокаций, второе описывает обратный процесс за счет взаимодействия с дислокациями. [c.264]

Его правая часть описывает три основных процесса, контролирующих скорость накопления дислокаций с деформацией размножение дислокаций на локальных препятствиях недислокационной природы размножение дислокаций на дислокациях леса и процесс аннигиляции дислокаций. Коэффициенты Kq, Ку, характеризуют интенсивность соответствующих процессов. [c.110]

Терентьевым [220] было обращено внимание на то, что образованию площадки текучести предшествует образование пластически деформированного приповерхностного слоя размером порядка одного— трех размеров зерна. Распространение автоволн пластической деформации возможно при совместном развитии процессов неустойчивости, вызывающих резкую активизацию пластического течения и упрочнения, способствующего демпфированию течения и возврату [218]. При этом деформируемый материал следует рассматривать как активную среду [180]. В простейшем случае [218] скорость пластической деформации контролируется, с одной стороны, изменением плотности подвижных дислокаций р вследствие размножения аннигиляции, а с другой — обратными напряжениями ст, (функция а, конкретизируется той или иной моделью упрочнения). Тогда система управляющих уравнений имеет следующий вид [218] [c.124]

Нестабильный характер протекания пластической деформации (в общем случае возникновение скачков нагрузки на кривых деформационного упрочнения) обусловливается взаимодействием исходной дефектной структуры кристаллов и субструктуры, образующейся в процессе деформации. В частности, как отмечается в [229], при пластической деформации предварительно облученных монокристаллов меди и закаленных с предпла-вильных температур образцов из алюминия в исходной дефектной структуре указанных материалов, содержащей больщое количество вакансион-ных и межузельных призматических петель и тетраэдров дефектов упаковки, образуются бездефектные каналы шириной 0,1—0,5 мкм (рис. 85,6). Это обусловливает развитие неоднородности пластической деформации на ее начальной стадии, что отражается на кривых деформационного упрочнения в виде характерных скачков нагрузки (рис. 85, а). В работе [229] механизм образования бездефектных каналов в облученных или закаленных кристаллах рассматривается с кинетических позиций как "закономерная эволюция дислокационного ансамбля в кристалле при заданных условиях его деформирования". При этом, помимо процессов размножения, аннигиляции и диффузии дислокаций, учитывается также механизм взаимодействия скользящих дислокаций с призматическими петлями дефектов упаковки. В результате указанного взаимодействия дефекты заменяются дислокациями, образуя на них пороги и перегибы. [c.128]

При теоретическом исследовании указанных особенностей представляются возможными два подхода. Первый основывается на рассмотрении микромеханизмов дислокационно-вакансионного взаимодействия, включающих процессы генерации и размножения вакансий и дислокаций, их аннигиляции и поглощения стоками, которые определяются особенностями микроструктуры сплавов, условиями деформации и т.д. Несмотря на наглядность и предсказательность такого подхода, он основывается на конкретных механизмах, а это может привести к недооценке наиболее существенных из них и излишней детализации несущественных. В результате усложняется математическая схема и могут возникнуть непреодолимые формальные трудности. В рамках второго подхода, имеющего феноменологический характер, используется определенный алгоритм, позволяющий найти структуру уравнений движения для основных величин, характеризующих поведение системы. Очевидные недостатки такого подхода вытекают из недооценки микромеханизмов явления и заключаются в трудности отбора физических параметров, влияющих на поведение системы (параметров микроструктуры материала, условий деформации и т.д.). [c.242]

О процессах высокотемпературной деформации аморфных металлов при температурах >Тр можно судить по результатам испытаний на гползучесть [5, 6, 28]. На рис. 8.22 приведена типичная для аморфных металлов кривая ползучести, полученная на сплаве Pd8oSi2o при 125°С во время испытания по д нагрузкой 640 МН/м [4]. Процесс ползучести, как видно,. можно разбить на две стадии вначале следует стадия не-установившейся ползучести, которая затем переходит в устан01вившуюся ползучесть. Полностью идентичный ход кривых ползучести отмечается и при испытаниях кристаллических металлов, где неустановившаяся ползучесть связана с процессами размножения дислокаций, а установившаяся — соответствует одновременному протеканию процессов размножения и аннигиляции дислокаций. В связи с этим, учитывая отсутствие дислокаций в аморфных металлах, правомерен вопрос о том, каков в этом случае механизм ползучести Для ответа на него необходимо прежде всего подробно проанализировать кривую ползучести. [c.239]

Исследуем характер решений системы (3.82), (3.83) при различных соотношениях параметров. С этой целью введем безразмерные плотности дефектов у = р/р , х = п/п и время г = а также параметры а = /3 = ру ра и 7 = р 1РоПц. Первый определяет соотношение характерных времен, второй — отношение интенсивностей процессов размножения и аннигиляции дефектов, третий — соотношение интенсивностей взаимного влияния дислокаций и вакансий. В безразмерных величинах система (3.82), (3.83) принимает вид [c.251]

Как уже было сказано, в последние два десятилетия интерес исследователей сосредоточился на феноменологическом и физическом описаниях вре менной зависимости деформации ползучести. С точки зрения потребностей инженерной практики полезнее феноменологическое описание, тогда как физическое описание более целесообразно при изучении происходящих дислсжа ционных процессов, таких, как испускание дислокащй постоянно действующими источниками, размножение движущихся дислокаций, движение дислокаций и их аннигиляция или иммобилизация. В дальнейшем мы не будем подробно заниматься ни физическим, ни феноменологическим, ни тём более эмпирическим описанием времеинбй зависимости ползучести, а сосредоточимся на дислокационных моделях ползучести, главным образом, установившейся ползучести. [c.15]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...