Рассеяние от слабо шероховатой поверхности

Монография разделена на пять частей. Первый том содержит части I и П. В части I (гл. 2—6) рассматривается рассеяние и распространение волн в разреженных случайных облаках рассеивателей. Здесь для объяснения фундаментальных понятий теории флуктуаций волн в случайных средах используется теория однократного рассеяния и ее незначительное обобщение, что позволяет избежать излишних математических сложностей. Кроме того, эта теория охватывает широкий круг важных для практики задач распространения и рассеяния волн в атмосфере, океане и других случайных средах. Часть П (гл. 7—13) посвящена теории переноса излучения. Второй том включает части П1—V. В части П1 (гл. 14 и 15) рассматривается теория многократного рассеяния волн в случайных обла-ках рассеивателей. Часть IV (гл. 16—20) охватывает теорию слабых и сильных флуктуаций в сплошной случайной среде и в турбулентности. В части V (гл. 21 и 22) описаны рассеяние на шероховатой поверхности и дистанционное зондирование случайных сред. [c.11]

Рассеяние от слабо шероховатой поверхности [c.380]

Кривая 3 на рис. 4.9 — это результат теоретического расчета для шероховатой поверхности (С = 3 нм, а = 1 мкм) с учетом только зеркальной компоненты отраженного пучка (4.44). Отметим, что значение высоты шероховатостей, измеренное на плоском образце (который был изготовлен тем же способом, что и сферическое зеркало) методом интегрального рассеяния на рабочей длине волны, составляет как раз С = 3 нм. Экспериментальные результаты лежат существенно ближе к кривой 2, чем к кривой 5. Это, по-видимому, подтверждает вывод о том, что влияние шероховатостей на коэффициент отражения поворотного зеркала сравнительно слабо, так как рассеянное излучение само поворачивается вогнутой поверхностью и вносит вклад в интенсивность выходящего пучка. [c.146]

Во втором томе (части П1, IV и V) приводится большое количество новых результатов, полученных в последнее время в теории распространения и рассеяния волн в случайных средах. Часть П1 посвящена теории многократного рассеяния волн в случайных облаках рассеивателей. Часть IV охватывает теорию слабых и сильных флуктуаций волн в сплошных случайных средах и в турбулентности. В части V даны основы теории рассеяния волн на шероховатой поверхности и дистанционного зондирования свойств случайных сред, включая некоторые важные вопросы решения обратных задач. [c.8]

Шероховатость поверхности отражателя ослабляет амплитуду зеркально-отраженного сигнала, когда величина неровностей превосходит Я/3. Нерегулярные неровности на поверхности плоского отражателя, размеры которых соизмеримы с длиной волны, вызывают равномерное рассеяние звука по всем направлениям с максимумом при нормальном падении. Регулярные неровности типа рисок вызывают появление добавочных максимумов, подобных наблюдаемым от дифракционной оптической решетки. Если неровности превосходят длину волны, то эффект зеркального отражения чувствуется слабо, эхо-сигнал сильно изменяется при вариации угла падения лучей и точки падения центрального луча. Модулируя частоту ультразвуковых колебаний, можно оценить степень неровности отражающей поверхности по соотношению амплитуд зеркально-отраженного и рассеянного сигналов. [c.146]

Р. 3. проявляются в зависимости от d кинетич. коэф. (электропроводности, теплопроводности и др,), описывающих линейный отклик тела на внеш. воздействия (электрич. ноле, градиент темп-ры. и др.), приложенные в плоскости пластины либо вдоль оси проволоки или нитевидного кристалла. Эта зависимость обусловлена рассеянием квазичастиц границей образца. При столкновении с поверхностью импульсы падаюпцей на поверхность квазичастицы (р) и отражённой от поверхности (р ) могут быть строго скоррелированы (зеркальное отражение от идеально гладкой бездефектной поверхности) либо частично скоррелированы иля корреляция полностью отсутствует (диффузное отражение). Если на поверхности адсорбированы примесные атомы либо поверхность слабо шероховата (дефекты), то столкновения квазичастиц с поверхностью описываются угл. распределением импульсов отражённых электронов [c.244]

За исключением самых низких температур, рассеяние на границах происходит одновременно с другими резистивными процессами рассеяния, имеющими место в объеме кристалла. Скорости релаксации последних процессов, вообще говоря, зависят от частоты, но тер-мализационный эффект шероховатых поверхностей не позволяет фононам, которые испытали слабое рассеяние внутри кристалла, удалиться из теплового потока. Совместное действие резистивных процессов, происходящих только на границах и в объеме кристалла, рассматривал Херринг [96], а позднее — Зай-ман [263], Гамильтон и Паррот [92], Сривастава и Верма [222]. [c.101]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...