Микроплазма

Большой интерес представляет применение так называемой микроплазмы, например для прецизионной резки и сварки высокотемпературной тонкой струей — лучом плазмы. При резке плазма вытекает из сопла со сверхзвуковой скоростью (3...4 М). Это достигается малым объемом и высоким давлением в камере (до 5 МПа), а также расширяющейся формой сопла. [c.106]

Микроплазма отличается весьма высокой концентрацией энергии и малым пятном нагрева, что приближает ее к лучевым источникам энергии для сварки. [c.106]

ВАХ С, после участка А В становится практически линейной, поскольку при большом напряжении практически все области микроплазмы находятся в стабильном проводящем состоянии и их линейные характеристики суммируются, [c.660]

Для оптических исследований используют бинокулярные микроскопы с увеличением от 3 до 120 раз. (Лучшие образцы оптических микроскопов обеспечивают увеличение от 3 до 2000 раз). С помощью бинокулярных микроскопов могут быть выявлены неоднородности (окисление, загрязнения, появление интерметаллических фаз, следы от прикосновения посторонними предметами и т.д.) обрывы соединения треснувший кристалл (подложка) трещины вблизи выводов в металлостеклянном спае ямки или пирамиды на кристалле дефекты совмещения или маскирования царапины на кристалле или соединениях микроплазма в работающей ИМС дефекты в окисле и (или) диэлектрических пленках (поры, царапины, разрывы и т.д.). [c.463]

В ближайшем будущем несомненно найдет применение для выполнения конструкций из жаропрочных сталей плазменная сварка, которая может быть использована не только для весьма тонких (микроплазма), по также и для материалов относительно большой толщины. Этот процесс применяют при сварке элементов толщиной до 20,0 мм. [c.96]

Для фокусировки лазерного излучения используют модифицированные зеркально-линзовые микрообъективы (рис. VI 1.60) со сравнительно большими рабочими расстояниями (до 40 мм). Спектральный анализ возбужденной микроплазмы проводят на обычных спектрографах. [c.440]

Коэффициент умножения в Л полупроводниковых гетероструктурах в настоящее вре.мя ограничивается токами утечки и возникновением микроплазмы. [c.346]

Исследование диодов В2Л-200 показало, что прохождение значительного обратного тока вызывает необратимый локальный тепловой пробой, если выделенная обратным током энергия составляет 3 дж и более. Переход электрического пробоя в тепловой объясняется саморазогревом микроплазм. Зная допустимую энергию, можно расчетным путем определить допустимые перенапряжения. [c.53]

После разборки вышедшего из строя вентиля в области центрального р-/г-перехода можно обнаружить сквозное отверстие. Точечный характер пробоя при больших обратных токах можно объяснить наличием микроплазм в области объемного заряда центрального р-я-перехода. [c.82]

Пробой центрального р-я-перехода происходит в локальных участках сужения области объемного заряда. Поскольку полупроводник в этих участках вследствие ударной ионизации находится в сильно ионизированном состоянии, эти участки были названы микроплазмами. Ток через микроплазму протекает не постоянно, а в виде коротких импульсов с почти постоянной амплитудой, причем длительность и частота следования импульсов зависят от величины приложенного к микроплазме напряжения и тока через нее. [c.82]

Чан[е вместо тп и ti употребляются их обратные величины вероятность включения прибора в единицу времени Ро1 = 1/то и вероятность выключения в единицу времени Pio = 1/ti. Вероятность включения быстро растет с увеличением напряжения, приложенного к микроплазме [c.83]

С>0 — константа для данной микроплазмы. [c.83]

Было установлено, что однородный р-п-переход малых размеров ведет себя подобно микроплазме и пробой его может быть описан при помощи той же модели 6 83 [c.83]

Считая, что средняя плотность микроплазм по площади центрального р-я-нерехода постоянна, для уменьшения полного дифференциального сопротивления и увеличения допустимого обратного тока следует увеличивать диаметр центрального р-л-перехода. [c.84]

Если считать, что весь обратный ток обусловлен только микроплазмами, то их количество будет связано с обратным током уравнением N ,u (/) [c.85]

Система электрокинетаческого улавливания и осаждения частиц в зоне фрикционного контакта. Разнообразные электрические явления, возникающие в режиме ИП, приводят к образованию в зоне фрикционного контакта двойного электрического слоя (ДЭС). Одновременно с этим в результате трибохимических процессов и диспергирования металла при трении образуются неорганические слои, комплексные и металлорганические соединения, коллоиды и просто электрически заряженные частицы, являющиеся объектами электрокинетических явлений. Наличие значительных элек-трокинетических потенциалов в дисперсной среде, возникающей в процессе трения, обусловливает электрофоретическое движение и осаждение частиц на фрикционном контакте. Процессы электрофореза подтверждены экспериментально [47, 33] и осуществляются практически в разнообразных формах использования ИП [63]. Указанное не исключает также и направленной миграции ионов и частиц микроплазмы. [c.11]

Сварка микроплазмой является разновидностью дуговой сварки плавлением. Отличительная особенность процесса — создание понизированпо о потока ппертного газа аргона (низкотемпературной плазмы) и расплавление металла за счет прохождения сварочного тока через плазму и за счет тепла плазмы. Этот способ применяется для герметизации корпусов приборов. [c.404]

Плазмообразующим газом служит аргон, а защитным — аргон, гелий, углекислый газ или разные смеси газов, в том числе и с водородом. При включении источника питания между вольфрамовым электродом и медным соплом в начале зажигается дежурная малоамперная дуга, а затем при подведении горелки к свариваемому изделию возникает микроплазма. Стабилгьное и з стойчивое горение микроплазмы на токах до 10 А позволяет ее растягивать на длину до [c.232]

В настоящее время однопроходную двустороннюю сварку плавящимся электродом в аргоне применяют для металла толщиной до 16 мм, в смеси аргона с гелием до 25 мм, по флюсу до 28 мм. Максимальная толщина листов, свариваемых за один проход однофазной дугой неплавящимся электродом, составляет 8—15 мм, а трехфазной — 20—30 мм. В случае необходимости сваривать плавящимся электродом металл большей толщины прибегают к многослойным швам с разделкой кромок. Наименьшая толщина металла, свариваемого встык неплавящимся электродом, составляет 1 мм, микроплазмой — [c.68]

Плазменная сварка, наплавка и напыление металлов. Получают развитие плазменнодуговые методы сварки, наплавки и напыления тугоплавкими порошками, в частности микроплазменная сварка тонколистовых металлов. Микроплазмой осуществляют сварку тонколистового алюминия толщиной 0,2—1,5 мм на токах от 10 до 100 А. В качестве плазмообразующего газа применяют аргон чистотой 99,6%, в качестве защитного газа—гелий. Сварку ведут на переменном токе, что [c.183]

Первичный фототек в электрических полях в несколько десятков мегавольт на метр умножается в процессе лавинной ионизации электронами и дырками. Коэффициент умножения М ограничивается обра--зованием микроплазмы. Теоретическая зависимость коэффициента шума от М приведена в 13.4. На практике может использоваться аппроксимация вида F = М . [c.345]

На практике скорость передачи данных обычно определяется иа ранней стадии разработки системы связи, а лишь затем требуется оптимально спроектировать приемник, удовлетворяющий этим требованиям. Выше было показано, что можно использовать входной каскад иа кремниевом полевом транзисторе, если скорость передачи данных меньше 50 Мбит/с, или на кремниевом биполярном транзисторе при более высоких частотах. Далее, если необходимо использовать ЛФД, получаем свободу выбора наиболее подходящего коэффициента умножения. Если коэффициент шума ЛФД подчиняется простому закону, например (13.4.1) — (13.4.3), можно найти оптимальное значение коэффициента усиления, которое минимизирует общий шум. Однако при определенном уровне обратного напряжения, когда развивается микроплазма, эти законы нарушаются. При этом резко возрастают темновой ток и коэффициент шума при попытке дальнейшего увеличения М. Если оптимальный коэ ициент усиления не был превышен, будет иметь место порог для разрушения микроплазмы. На рис. 15.11 при- [c.387]

При помощи специальной конструкции р- -перехода можно получить значительное увеличение ширины области объемного заряда в месте выхода р-л-перехода на поверхность. Пробой таких / -я-переходов при обратном напряжении будет происходить в отдельных участках объема, в так называемых микроплазмах, область объемного заряда В которых уже, чем в остальной части /5-л-перехода. Предъявляя специальные требования к кремнию, можно добиться того, что напряжения пробоя отдельных микроплазм будут незначительно отличаться друг от друга и от средней величины напряжения пробоя / - -перехода. В таких переходах при пробое обратный ток проходит через большое количество микроплазм в объеме и суммарная величина допустимой мощности рассеяния при протекании обратного тока обычно на несколько порядков больше, чем у обычных р-я-иереходов с поверхностным пробоем. [c.78]

Если к микроплазме приложено напряжение проб. мин (минимальное нанряжение, при котором может начаться лавинообразование), то лавина может возникнуть лишь тогда, когда в область объемного заряда микроплазмы попадает свободный носитель заряда. Таким образом, несмотря на то что приложенное напряжение равно пробивному, микроплазма некоторое время будет находиться в выключенном состоянии. При попадании носителя заряда лавина нарастает очень быстро, за время порядка 10 сек. Величина тока при этом ограничивается как сопротивлеипем внеи1ней цепи, так я последовательным сопротивлением п самой микроплазмы. Величина 7 мп складывается из сопротивлений, лежащих по обе стороны от микроплазмы слоев полупроводника, сопротивления, возникающего из-за искажения поля в области объемного заряда зарядом размноженных но-. [c.82]

Поскольку объем микроплазмы очень мал и общее число одновременно находящихся в ней носителей заряда также мало, то статистические флуктуации вызывают значительное сокрап1снне числа носителей заряда. При уменьн1С11ни числа носителей заряда до нуля лавина прекращается и весь процесс повторяется. Таким образом, процесс протекания тока через микронлаз-му можно описать четырьмя параметрами [c.83]

При токе в несколько сотен микроампер микроплазма практически не выключается. Протекание тока через мнкроплазму сопровождается световым рекомбинационным излучением с энергией фотона 3,2 эв и ниже и эмиссией горячих электронов. [c.83]

Причины, вызывающие появление микроплазм, в настоящее время изучены недостаточно. Установлено, что мнкроплазмы чаню появляются в местах скоплений дислокаций и неоднородного легирования. Наличие в области объемного заряда сравнительно крун1П11Х металлических включений окиси кремния приводит к появлению микроплазм, отличающихся от описанных выше. Напряжение пробоя этих микроплазм существенно ниже напряжения пробоя остальной части перехода. Протекание тока через них происходит без пульсаций. [c.84]

Если принять, что дифференциальное сопротивление микроплазм одинаково и не зависит от величины тока через мнкроплазму, то можно оценить суммарную площадь мР1кроплазм в исследуемых р-л-переходах. Дифференциальное сопротивление однородного р-л-нерехода при больших обратных токах (в области сильного умножения) складывается нз сопротивления толщи кремния Р1, сопротивления Яс, возникающего из-за искажения поля в области объемного заряда полем размноженных носителей заряда, и термической составляющей, возникающей из-за уменьшения коэффициента умножения носителей заряда ири разогреве р-л-перехода, и равно [c.84]

На рис. 3-6 приведена экспериментальная зависимость д,1ф = /(/), снятая в большом диапазоне обратных токов для нескольких вентилей. Величина д ф быстро уменьшается с ростом тока, но при нлотиостп тока / = = 0,4 а/мм заметна тенденция к насыш,еи1П0. Так как дифференциальное сопротивление центрального перехода связано с обратным током уравнением количество включенных микроплазм зависит от тока [c.85]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...