Коэффициент диффузии примеси

Границы зерен оказывают существенное влияние на многие свойства кристаллов, в частности на электропроводность, поглощение ультразвука, оптические свойства и т. д. Наличие границ приводит к тому, что в поликристаллах коэффициент диффузии примесей значительно больше, чем в монокристаллах. [c.114]

Таблица 17.33. Параметры соотношения (17.13) для коэффициента диффузии примесей в кристаллах солей [10]

Наличие различного рода комплексов может существенно сказаться на диффузионных характеристиках сплава. Согласно Дар-кену [22], если молярная доля примеси мала (A 2 i), эффективный коэффициент диффузии примерно равен коэффициенту диффузии примеси Db). Как будет показано в гл. III, [c.67]

Влияние различных факторов на коэффициент диффузии примеси [c.108]

В настояш,ем параграфе остановимся лишь на наиболее простом случае неизотермического движения несжимаемой вязкой жидкости, когда температура жидкости мало изменяется в процессе движения, что позволяет пренебречь влиянием этих изменений на коэффициенты вязкости, теплоемкости, теплопроводности и другие термодинамические параметры, в частности, на коэффициент диффузии примеси. Как будет показано в последней (XI) главе, при движении жидкости (газа) с малыми числами Маха, когда сжимаемостью можно пренебречь, пренебрежимо мало также и количество механической энергии, диссипируемой в тепло. При невысоких степенях нагрева среды можно не учитывать лучистый обмен и считать, что теплообмен полностью осуществляется теплопроводностью. [c.435]

В этой формуле В обозначает коэффициент диффузии примеси в жидкости — носителе, с — концентрацию примеси в данной точке потока (сохраняем для концентрации общепринятое обозначение с, которое не следует смешивать с аналогичным обозначением для теплоемкости в предыдущих формулах). Считая коэффициент диффузии 7) постоянным, получим, согласно (68) гл. II, следующее уравнение диффузии примеси [c.437]

Определить коэффициент диффузии примеси и проводимость вещества. Применить результат для грубой оценки величины е" (при частоте 1 Мгц) германия, обладающего собственной проводимостью. [c.48]

Следует учитывать также различие коэффициентов диффузии примесей в расплавленном веществе. В большей степени оттесняется от фронта кристаллизации та примесь, коэффициент диффузии которой выше. Очистка примесей, коэффициент диффузии которых близок к коэффициенту диффузии очищаемого вещества, сильно затрудняется. [c.502]

О— коэффициент диффузии примеси. Характеристическую длину / можно найти из соотнощения [c.334]

На этом рисунке Ст и Со соответствуют концентрации примеси в твердой фазе и составу исходной жидкости, V — скорость кристаллизации, — коэффициент диффузии примеси в жидкости и х — так называемое характеристическое расстояние, зависящее от скорости кристаллизации и коэффициента диффузии. [c.532]

Влияние диффузионной подвижности атомов примесей на изменение химической неоднородности в сварном соединении сводится к диффузионному выравниванию при нагреве неравномерно распределившихся при кристаллизации сварочной ванны примесей. При этом имеет значение как коэффициент диффузии примеси в основе — растворителе при данной температуре, так и взаимовлияние на диффузию содержащихся в сплаве элементов. Рассматривая общие закономерности диффузии, следует отметить роль деформации. Упругая деформация при растяжении, изменяя межатомные расстояния, ускоряет диффузию. Считают, что и пластическая деформация, изменяя плотность несовершенств кристаллического строения, влияет на диффузионную подвижность растворенных атомов. [c.68]

Для того чтобы вычислить коэффициент диффузии примеси в кристалле, необходимо уметь определять вклад в кинетическую энергию кристалла атома растворенного вещества и его соседей. [c.34]

ВЛИЯНИЕ ВАКАНСИОННЫХ ПАР НА КОЭФФИЦИЕНТ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ [c.164]

Это указывает иа то, что для достаточно разбавленных твердых растворов коэффициент диффузии сильно зависит от вероятности нахождения вакансии в первой координационной сфере атома прнмеси. В более концентрированных твердых растворах необходимо учитывать также образование кластеров примесных атомов аналогично тому, как это сделано в предыдущем параграфе. Заметим, что в отличие от концентрации прнмеси возросшая доля вакансий ие оказывает заметного влияния на коэффициент диффузии примеси. [c.170]

Вследствие соизмеримости атомных радиусов растворение одного металла в другом обычно приводит к образованию твердого раствора замещения. Следовательно, по крайней мере для плотноупакованных структур можио предположить преобладание вакансионного механизма при диффузии растворенного металла в металле-растворителе. В этом случае доля примесных атомов, содержащихся в междоузлиях основной решетки, пренебрежимо мала, и коэффициент диффузии примеси должен быть, вообще говоря, сравнимым с коэффициентом самодиффузии растворителя. [c.219]

Таблица 1.3. Предэкспоненциальный множитель и энергия активации для коэффициентов диффузии примесей замещения в кремнии

Решение (1.40) можно получить только численными методами, если построена модель для g VII. Поэтому настоящее обсуждение будет ограничено выводом уравнения для действующего коэффициента диффузии примесей в условиях кластеризации. Как уже упоминалось, кластеризация является важным эффектом в перераспределении мышьяка, в особенности в процессе изготовления очень мелких переходов. [c.34]

Если бы какая-либо из собственных концентраций равнялась нулю, то (1.50) следовало бы модифицировать путем замены соответствующего отношения Е) /С конечным коэффициентом, поскольку в неравновесных условиях диффузия может обусловливаться несобственными точечными дефектами. Определяя вклад междоузельного механизма диффузии с помощью коэффициента где О = 1) . + - равновесный коэффициент диффузии примеси, (1.50) можно записать в виде [c.38]

В последнее время были представлены веские доводы в пользу существования показанного на рис. 2.12 канала реакции, связанного с генерацией междоузельных атомов кремния 51 . К ним относятся возрастание или уменьщение коэффициентов диффузии примесей в подложке во время окисления поверхности (диффузия, усиленная или замедленная окислением), рост и уменьщение индуцированных окислением дефектов упаковки (ИОДУ), а также наличие корреляции между фиксированным зарядом в окисле и скоростью роста окисла ёх/ё1. [c.63]

Контролируя скорость вытягивания и температуру расплава, можно поддерживать диаметр и удельное сопротивление растущего кристалла практически постоянными (рис. 1). Легирование кремния или германия элементами III и V групп осуществляется введением в расплав соответствующей примеси или лигатуры с большим содержанием соответствующей примеси. Последнее определяется растворимостью (рис. 2) и коэффициентом диффузии примеси в монокристалличе-ском полупроводнике (табл. 5). Лигатуру, в свою очередь, получают мето- [c.401]

Учет взаимодействия дислокаций и примесных атомов привел Мортлока к выражению для коэффициента диффузии примеси, аналогичному (III.32) [c.124]

Здесь V — скорость роста, бс—толщина граничного диффузионного слоя, Dj — коэффициент диффузии примеси в расплаве, а Ps/Pb отношение плотностей твердой и жидкой фаз. Из этого уравнения видно, что поскольку ps/рь 1, то при больших значениях 6 F/Z>i А = 1, а при малых к = к . Таким образом, регулирование главного параметра ЬсУЮ путем изменения бс или F позволяет получать значения к в пределах ка к< . Для простоты мы всюду будем считать, что ps/p = 1. [c.166]

Показано, что в большинстве случаев влияние давления на механические свойства, контролируемые диффузией или скольжением, является проявлением ангармоничности кристаллов, которую можно выразить в виде зависимости модулей упругости "от давления. Этот эффект мал для атер-мических процессов, но может быть большим в случае термоактивируемых процессов, величину энергетического барьера которых можно получить на основе упругих моделей. Кроме того, давление оказывает косвенное влияние на ползучесть через зависимость от давления коэффициента диффузии примесей (таких, как частицы воды в кварце). [c.165]

Из табл. 5.7 видно также, что коэффициент диффузии относительно jie4y B TBHTe [eH к принеси. Это объясняется тем, что расчеты в рамках данной модели, у тывающей взаимодействия лишь одиночных атомов примеси, не указывают на сколько-нибудь заметную зависимость от концеитрации примеси. Главным же фактором, влияющим на коэффициент диффузии примеси при очень малых ее концентрациях, является энергия связи между атомом примеси и вакансией. При изменении множителя от 1 до 0,1 коэффициент днффузни увеличивается иа один порядок. [c.170]

Из приведенных таблиц ясно, что при обычном экспериментальном определении коэффициента диффузии примеси в разбавленном твердом растворе нельзя обнаружить влияние дивакаисий. Это влияние можио исследовать, определяя корреляционный множитель. [c.171]

При сварке металл околошовной зоны претерпевает нагрев до температуры, близкой к температуре плавления сплава. В процессе нагрева выше температуры при которой становится возможной диффузия, концентрация растворенных атомов на границе начнет повышаться, приближаясь к равповеспой при некоторой температуре Т , которая должна быть ниже температуры предшествующей закалки если коэффициент диффузии примеси достаточно высок (рис. 46). В противном случае повышение концентрации не будет происходить вплоть до температуры начала интенсивного роста зерна и.р, особенно при высоких скоростях нагрева. [c.97]

В данном разделе будет обсуждаться только диффузия в условиях примесной проводимости, не нарушающая сколько-нибудь заметно равновесную концентрацию точечных дефектов в исходном материале. Другими словами, будет предполагаться, что концентрация точечных дефектов в различных заряженных состояниях зависит только от положения уровня Ферми. Простейшим случаем диффузии в условиях несобственной проводимости является изоконцентрационная диффузия , поскольку при этом коэффициент диффузии примеси постоянен. Конечно, в зависимости от типа и концентрации фоновой примеси, определяющей отношение п/п., коэффициент диффузии рассматриваемой примеси будет увеличиваться или уменьшаться, как легко видеть из (1.31). Поэтому если использовать правильное значение коэффициента диффузии в условиях примесной проводимости, то можно применить и второй закон Фика. Вследствие простоты интерпретации результатов эксперименты по изоконцентрационной диффузии имеют большое значение для исследования фундаментальных закономерностей диффузии, обсуждавшихся в 1.2.4. [c.31]

Ряд процессов, применяемых для изготовления приборов, приводит к нарушению равновесной концентрации точечных дефектов в кремнии. К таким процессам относятся ионная имплантация, окисление и диффузия фосфора при его высоких концентрациях. В общем неравновесные условия для точечных дефектов проявляются в возрастании или уменьшении коэффициента диффузии примеси замещения даже при малых концентрациях и росте дислокационных петель (дефектов упаковки) в кремнии. В зависимости от условий протекания этих процессов связанные с ними напряжения решетки также могут приводить к генерации дислокаций. В данном разделе мы сосредоточим внимание только на окислении и его влиянии на диффузию, поскольку из трех упомянутых процессов именно окисление позволяет непосредственно проанализировать механизмы диффузии в кремнии в целом. Другие два процесса рассмотрены в [1.27, 1.28] (вопросы, касаю- [c.36]

Диффузия примесей в кремнии в отсутствие окисления была успеишо продемонстрирована на основе модели вакансий, описанной выше в связи с окислением сильно легированных подложек. Увеличение концентрации вакансий Су , которое вызывало ускоренное окисление сильно легированных подложек, приводит и к увеличению коэффициентов диффузии примесей и появлению их зависимости от концентрации самих примесей благодаря концентрационной зависимости энергии Ферми Ер [2.20]. [c.63]

Организация вычислительного процесса с дискретным временем показана на рис. 8.5. В начале каждого временного шага с помощью концентрации электрически активной примеси в поликремниевом слое определяются различные параметры процесса, связанные с легирующей примесью, такие, как скорость роста микрокристалла, коэффициент диффузии примеси и скорость окисления. По скорости окисления на каждом временном шаге вычисляется толщина слоя окисла, которая, в свою очередь, определяет общую толщину окисла и оставшегося поликремниевого слоя. Если приборная структура относится к третьему или четвертому типу из указанных на рис. 8.3, увеличение коэффициента диффузии вследствие окисления определяется не только скоростью окисления, но также толщиной поликремниевого слоя и размером кристаллита на соответствующем временном шаге. [c.228]

Так как согласно модели в подложке наблюдается перенасыщение вакансиями, коэффициенты диффузии примесей другого типа, присутствуюш 1х в области хвоста диффузионного профиля (фосфора, увеличиваются в той же степени, что и коэффициент диффузии фосфора. Таким образом, в этой области коэффициент диф4 узии любой примеси следует умножить на множитель Е, описывающий усиление диффузии, максимум которого равен [c.263]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...